技术特征：
技术总结
本发明公开了一种利用分步退火技术制备亚微米级无裂纹铁氧体薄膜的方法，该方法涉及到微波铁氧体材料，利用真空溅射沉积技术，在单晶基片上沉积铁氧体薄膜。由于单晶基片和铁氧体薄膜的热膨胀系数以及晶格常数不匹配，会使得薄膜在结晶过程中产生残余应力。当残余应力超过一定值时，会导致薄膜发生开裂现象。然而通过分步退火的方法可以有效释放残余应力，避免薄膜裂纹的产生，最终提高了无裂纹薄膜的厚度。本发明制备过程简单、生产成本低，制备的薄膜具有较高致密性，不易开裂等优点。
技术研发人员：郑辉;李康复;郑鹏;郑梁
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
技术研发日：2017.03.20
技术公布日：2017.08.08