一种抗菌陶瓷的制备方法与流程

文档序号:14562038发布日期:2018-06-01 07:49阅读:272来源:国知局

本发明涉及陶瓷材料技术领域,具体涉及一种抗菌陶瓷的制备方法。



背景技术:

目前人们使用的陶瓷制品,如浴盆,便池,洗手池、碗、盘及各类建材,如内墙砖、地砖等在使用时经常接触带菌的人体,从而在这些陶瓷的表面可沾染和滋生各种致病菌和条件致病菌,人们与之接触后容易受到感染,伴随着科技的进步和人民生活水平的提高,改善生存环境,提高生活质量,珍爱身体健康的要求日益增长,开发和生产具有抗菌功能的建筑陶瓷、日用陶瓷等成为迫切解决的问题。

抗菌陶瓷是一种保护环境的新型功能材料,技术含量高,它在保持陶瓷制品原有使用功能和装饰效果的同时增加抗菌及化学降解功能,从而能够广泛用于卫生、医疗、家庭居室、民用或工业建筑,有着广阔的应用前景。



技术实现要素:

本发明旨在提供一种抗菌陶瓷的制备方法,在普通陶瓷表面形成一层具有一定厚度的载银纳米二氧化钛薄膜,该薄膜可以使陶瓷表面具有一定的抗菌性能,是一种新型的陶瓷材料,具有极大地应用前景和广阔的市场空间。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种抗菌陶瓷的制备方法,包括:

(1)将工业偏钛酸打浆,然后加入适量的质量分数为98%的浓硫酸中,加热缓慢搅拌,沸腾后继续加热使其煮沸20min,使大部分偏钛酸溶解,形成TiOSO4,静置一周后过滤,得到澄清的TiOSO4溶液;

(2)取一定量的TiOSO4溶液,用氨水调节其pH值=6.5-7,水解得到正钛酸前驱体,用去离子水洗涤该前驱体,洗涤过程中出现溶胶,过滤得到白色正钛酸前驱体;

(3)用去离子水配置浓度为0.5mol/L的正钛酸溶液,用盐酸调节其pH值为3-4,然后加入硝酸银溶液,进行水浴处理,得到半透明的载银纳米二氧化钛溶胶;

(4)将市售普通陶瓷用去离子水在超声波中清洗10min,然后再放入NaOH溶液中用超声清洗10min,最后用乙醇溶液放在超声波中清洗10min,晾干;

(5)将步骤(4)处理后的陶瓷放在步骤(3)得到的载银纳米二氧化钛溶胶中浸渍10h,取出置于烘箱中烘干,自然冷却后,再放入载银纳米二氧化钛溶胶中浸渍10h,取出烘干,重复4-10次,得到载有一定厚度载银纳米二氧化钛薄膜的抗菌陶瓷。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的抗菌陶瓷的制备方法,步骤(3)加入的硝酸银溶液的质量浓度为10%。

前述的抗菌陶瓷的制备方法,步骤(3)所述的水浴处理的温度为80℃,时间为1.5h。

前述的抗菌陶瓷的制备方法,步骤(4)所述NaOH溶液的质量分数为10%。

前述的抗菌陶瓷的制备方法,步骤(4)所述乙醇溶液的质量分数为30%。

本发明提供了一种抗菌陶瓷的制备方法,通过化学方法制备出载银纳米二氧化钛溶胶,然后使普通陶瓷浸渍在该溶胶中,烘干,反复操作,可在普通陶瓷表面形成一层具有一定厚度的载银纳米二氧化钛薄膜,该薄膜可以使陶瓷表面具有一定的抗菌性能,是一种新型的陶瓷材料,具有极大地应用前景和广阔的市场空间。

具体实施方式

以下参照具体的实施例来说明本发明。这些实施例仅用于说明本发明,其不以任何方式限制本发明的范围。

实施例1

(1)将工业偏钛酸打浆,然后加入适量的质量分数为98%的浓硫酸中,加热缓慢搅拌,沸腾后继续加热使其煮沸20min,使大部分偏钛酸溶解,形成TiOSO4,静置一周后过滤,得到澄清的TiOSO4溶液;

(2)取一定量的TiOSO4溶液,用氨水调节其pH值=6.5-7,水解得到正钛酸前驱体,用去离子水洗涤该前驱体,洗涤过程中出现溶胶,过滤得到白色正钛酸前驱体;

(3)用去离子水配置浓度为0.5mol/L的正钛酸溶液,用盐酸调节其pH值为3-4,然后加入质量浓度为10%的硝酸银溶液,进行水浴处理,水浴的温度为80℃,时间为1.5h,得到半透明的载银纳米二氧化钛溶胶;

(4)将市售普通陶瓷用去离子水在超声波中清洗10min,然后再放入质量分数为10%的NaOH溶液中用超声清洗10min,最后用质量分数为30%的乙醇溶液放在超声波中清洗10min,晾干;

(5)将步骤(4)处理后的陶瓷放在步骤(3)得到的载银纳米二氧化钛溶胶中浸渍10h,取出置于烘箱中烘干,自然冷却后,再放入正钛酸溶胶中浸渍10h,取出烘干,重复4-10次,得到载有一定厚度载银纳米二氧化钛薄膜的抗菌陶瓷。

以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明做任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。

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