专利名称：可交联的取代芴化合物和基于其的共轭低聚物或聚合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及新的可交联的芴化合物及它们的制备方法。本发明还涉及这种化合物的低聚物和聚合物，所述的化合物包括其交联衍生物，以及由这种化合物、低聚物或聚合物制备的薄膜和涂层，制备这种薄膜和涂层的方法，以及包含一层或多层的这种聚合物薄膜的电子器件，特别是场致发光器件。
背景技术：
美国专利6，605，373,6, 362，310,6, 255，449,6, 255，447,6, 169，163,5, 962，631
和相关专利公开某些可交联的取代芴化合物，以及来自于它们的低聚物和聚合物。 Macromolecular Rapid Communi r,a.ti on 21, 583-589 (2000)描述了含有含可交联的氧杂环丁烧基的可交联空穴传输材料的芳基胺的合成。Macromolecular Rapid Communication 20,224-228(1999)描述了含有可交联的氧杂环丁烷基的三芳基胺小分子的合成，可以将所述的三芳基胺小分子旋涂并且交联成薄膜。上面的参考文献，在所公开的交联聚合物的范围内，缺少共轭聚合物骨架，并且只具有受限的电荷传输能力。在WO 2004/072123中，公开了用于有机发光显示器中的含芴二基的化合物。相关的化合物还公开于美国专利6，559，256和于2004年3月18日公开的USA 2004/0054152中。显示技术的最新进展得到用于场致发光器件如发光二极管(LED)的改进化合物和制造技术。对于大部分可见光谱，现在可以得到高亮度的材料，包括发蓝光的化合物。最近，已经发现通过将电荷传输层结合在活性或发光层与阳极之间的多层LED中，可以得到多层LED的活性或发光层的提高的寿命和效率。这种层也可以称作空穴注入层和/或空穴传输层，其目的在于改善空穴向发光层的注入并且在阳极和发光层之间提供缓冲层。在其它应用中，已经表明这种在空穴传输层和发光层之间的中间层提供改善的器件效率和寿命。本发明涉及新化合物，该化合物用于多层LED的空穴传输层和中间层，以及其它电子器件如场效应晶体管(FET)、光电池，并且甚至用于集成电路或印刷电路板。
发明内容
在一个方面，本发明提供一种可交联的化合物，其含有一种或多种下式的芴二
权利要求
1.一种可交联的组合物，其包含具有经验式Ia的低聚物或聚合物
2.一种下式的可交联低聚物或聚合物(
3.根据权利要求2的可交联低聚物或聚合物，其具有下面的结构，或
4. 一种对应于下式的交联聚合物
全文摘要
本发明公开了可交联的取代芴化合物；由这种可交联的化合物制备的低聚物和聚合物；薄膜和涂层；以及包含这种薄膜的多层电子器件。
文档编号C07C25/24GK102585172SQ20121003464
公开日2012年7月18日 申请日期2004年10月25日 优先权日2003年11月17日
发明者M·因巴斯卡格, 余旺林 申请人:住友化学株式会社