一种星形含硅聚合物及其制备方法与应用的制作方法
【专利摘要】本发明涉及有机半导体材料【技术领域】，为解决有机半导体材料存在的稳定性、溶解性等问题，本发明提出了一种星形含硅聚合物及其制备方法与应用，所述的星形含硅聚合物的结构式如（I）所示，本发明的星型结构有利于提高化合物的溶解性，从而得到溶解度较高的聚合物，有利于适用低成本的溶液法器件制备工艺。此外，含硅噻咯环的引入也有利于提高聚合物的稳定性。（I）
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机半导体材料【技术领域】，具体地说涉及一种星形含硅聚合物及其制 备方法与应用。 一种星形含硅聚合物及其制备方法与应用
【背景技术】
[0002] 近几年来，有机半导体材料的发展极为迅速，有机半导体材料在有机光电器件如 场效应晶体管（OFETs)，有机发光二级管（0LED)，有机太阳能光伏电池（0PV)等有机光电器 件中有着重要的潜在应用价值。OFETs具有有机半导体的诸多优良特性，如易于制备和功 能化、较低的器件制备温度、良好的柔韧性、和塑料衬底有良好的兼容性以及可大面积制备 等，因而越来越受到人们的重视。从1986年被报道以来，OFETs取得了很大的进展。0FET 器件未来可应用于智能卡、电子商标、电子纸、存储器等方面，式有机光电子器件和电路的 关键元器件，显示出了极大的发展和应用前景。
[0003] 目前，有机半导体材料的研究主要集中于小分子材料和聚合物材料。聚合物材料 由于其良好的加工性及机械性能，易于工艺化，从而成为新的合成热点。但是目前聚合物材 料的应用开发还面临以下两个主要问题：1、具有高迁移率、高开关比和高稳定性的聚合物 半导体材料还不多；2、大多数有机半导体材料溶解性较差。因此合成既有良好场效应性能， 有适合于溶液加工的的新型有机半导体材料是研究的另一重要方面。
[0004] 申请号为201180019788. 5的中国专利公开了一种苯并二噻吩的聚合物及其作为 有机半导体的用途，该专利的聚合物为线性聚合物，溶解性存在一定的问题。
【发明内容】
[0005] 为解决有机半导体材料存在的稳定性、溶解性等问题，本发明提出了一种星形含 硅聚合物及其制备方法与应用，本发明的星型结构有利于提高化合物的溶解性，从而得到 溶解度较高的聚合物，有利于适用低成本的溶液法器件制备工艺。此外，含硅噻咯环的引入 也有利于提高聚合物的稳定性。
[0006] 本发明是通过以下技术方案实现的：一种星形含硅聚合物的结构式如（I)所示：
【权利要求】
1. 一种星形含硅聚合物，其特征在于，所述的星形含硅聚合物结构式如（I)所示：
2. -种如权利要求1所述的一种星形含硅聚合物的制备方法，其特征在于，所述的制 备方法为以下步骤： (1) 在无水无氧的条件下，在容器中加入1，3,5-三(噻吩-2-基）苯，然后在氮气保护 下加入溶剂A，然后在-78~-50°C、3(Γ60分钟内滴入丁基锂，再在室温下反应3(Γ90分钟，再 将温度降至-78?-50°C后加入三丁基氯化锡，再在室温下反应时间为12?36小时，后处理后 得到1，3, 5-二（5-(二丁基锡）唾吩基）苯； (2) 将步骤（1)制得的1，3, 5-三（5-(三丁基锡)噻吩-2-基)苯与2,6-二溴-4,4-双 (2-乙基己基)-4H-硅杂环戊二烯并[3,2-B: 4,5-B']二噻吩在无氧的条件下，催化剂作用 下进行偶联反应，后处理后得到星形含硅聚合物。
3. 根据权利要求2所述的一种星形含硅聚合物的制备方法，其特征在于，步骤（1)中所 述的溶剂A为四氢呋喃，溶剂的用量为是溶质溶解的量。
4. 根据权利要求2或3所述的一种星形含硅聚合物的制备方法，其特征在于，步骤（1) 中所述的1，3,5_三(噻吩-2-基）苯、丁基锂与三丁基氯化锡的摩尔比为1 :3飞：3飞。
5. 根据权利要求2所述的一种星形含硅聚合物的制备方法，其特征在于，步骤（2)偶联 反应是在溶剂中B进行，反应温度为10(Γ120?，时间为2~4天。
6. 根据权利要求5所述的一种星形含硅聚合物的制备方法，其特征在于，偶联反应的 溶剂B为甲苯，溶剂的用量为是溶质溶解的量。
7. 根据权利要求2或5所述的一种星形含硅聚合物的制备方法，其特征在于，步骤（2) 中1，3, 5-三（5-(三丁基锡）噻吩-2-基）苯与2,6-二溴-4,4-双（2-乙基己基）-4H-硅 杂环戊二烯并[3,2-B: 4,5-B' ]二噻吩的摩尔比为1 1. 5。
8. 根据权利要求2所述的一种星形含硅聚合物的制备方法，其特征在于，步骤（2)中在 氮气的保护下加入催化剂四三苯基磷化钯，催化剂的用量与1，3, 5-三（5-(三丁基锡）噻 吩-2-基）苯的摩尔比为1 :1(Γ30。
9. 一种如权利要求1所述的一种星形含硅聚合物在有机半导体材料中的应用。
【文档编号】C08G61/12GK104119517SQ201410205142
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年5月15日 优先权日:2014年5月15日
【发明者】高建华, 杨成东, 王英峰, 郝望龙, 邹素芬, 张海霞, 谢辉 申请人:杭州师范大学