连三吡咯并吡咯二酮聚合物及其合成方法与应用与流程

技术特征：

1.式I所示聚合物：

所述式I中，R为碳原子总数为1-60的直链或支链烷基；

Ar基团选自如下基团中的任意一种；

所述Ar基团中，均表示取代位；

n为5-100。

2.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于：所述式I中R为碳原子总数为1-30的直链或支链烷基或2-癸基十四烷基。

3.一种制备权利要求1或2任一所述式I所示聚合物的方法，包括如下步骤：

将式V所示化合物与双甲基锡化合物在催化剂和配体的作用下进行聚合反应，反应完成后得到所述式I所示聚合物；

所述式V中，R的定义与权利要求1中式I中R的定义相同。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述双甲基锡化合物选自如下化合物中的任意一种：

所述催化剂选自四(三苯基膦)钯、二(三苯基膦)二氯化钯和三(二亚苄基丙酮)二钯中的至少一种；

所述配体选自三苯基膦、三(邻甲苯基)膦和三苯基胂中的至少一种。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于：所述式V所示化合物的投料摩尔份数为1.00份；

所述双甲基锡化合物的投料摩尔份数为0.95～1.05份；

所述催化剂的投料摩尔份数为0.01～0.10份；

所述配体的投料摩尔份数为0.08～0.80份。

6.根据权利要求3-5中任一所述的方法，其特征在于：所述聚合反应步骤中，温度为90～140℃；时间为2小时～80小时；

所述聚合反应在溶剂中进行；

所述聚合反应的溶剂具体选自甲苯、氯苯和二甲苯中的至少一种。

7.权利要求1或2任一所述式I所示聚合物在制备有机场效应晶体管中的应用。

8.含有权利要求1或2任一所述式I所示聚合物的有机场效应晶体管。

9.根据权利要求7所述的应用或权利要求8所述的有机场效应晶体管，其特征在于：所述有机场效应晶体管中，构成半导体层的材料为权利要求1或2任一所述式I所示聚合物。

10.式V所示化合物，

所述式V中，R的定义与权利要求1中所述式I中R的定义相同。