技术总结
本发明公开了一种连三吡咯并吡咯二酮聚合物及其合成方法与应用。该聚合物的结构如式Ⅰ所示，其中，R为C1～C60的直链或支链烷基。本发明还提供了式I所示聚合物的制备方法。本发明的原料为商业化产品；合成路线简单；产率高。以本发明的连三吡咯并吡咯二酮聚合物为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率最高为1.12cm2V‑1s‑1，电子迁移率最高为1.27cm2V‑1s‑1，在有机场效应晶体管器件中有着良好的应用前景。
技术研发人员：刘云圻;杨杰;王翰林;姜莹莹;陈金佯;郭云龙;王帅
受保护的技术使用者：中国科学院化学研究所
文档号码：201611138353
技术研发日：2016.12.12
技术公布日：2017.05.31