一种高度有序的含氟高分子材料的制作方法

本发明涉及材料领域，具体地涉及一种高度有序的含氟高分子材料及其制备和应用。
背景技术：
：随着科学技术的发展和人类需求的提高，电子器件朝着微型化方向不断发展，如何简便地得到高精度的纳米图形结构成为研究人员不断追求的目标。高精密的纳米图形结构在下一代的半导体、显示、存储、传感器以及药物缓释等纳米电子器件中有着广泛的应用前景。纳米材料及纳米器件是当前物理、化学、材料科学、微电子学、机械学和信息科学等交叉学科研究的重要前沿领域之一。以纳米技术制造的电子器件，其性能大大优于传统的电子器件，具有工作速度快、功耗低、信息存储量大、体积小、重量轻等优点。光刻技术是微图形加工中应用最为广泛的一种技术。但是因为光散射效应和加工工艺的限制，目前的光刻技术很难突破10nm尺度。利用嵌段共聚物的微相分离是制备高度有序纳米结构的一种简便高效的方法。具体地，嵌段共聚物的各嵌段的分子结构和性能有较大差异，通过特定的分子设计或一定的掺杂，其有序周期的尺度可从纳米级到乃至微米级。但是，现有的嵌段共聚物材料自组装后，存在自组装尺寸大(目前ps-pmma最低相分离尺寸为18.5nm)、退火温度高(通常需要160℃以上)、退火时间长(6小时以上)的不足，因此均无法满足市场越来越高的需求。综上所述，本领域急需开发一种新型的高度有序嵌段共聚物材料，以制备性能更加优异的含氟高分子材料。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种新型的高度有序嵌段共聚物材料，以制备性能更加优异的含氟高分子材料。本发明的第一方面，提供了一种高度有序的含氟高分子材料，所述高分子材料包含嵌段共聚物，且所述嵌段共聚物包含：i)a嵌段，且以所述a嵌段的总摩尔数计，a嵌段所包含的氟原子的摩尔数百分比为ma’，并且ma’≥0；和ii)b嵌段，所述b嵌段为f取代的嵌段，且以所述b嵌段的总摩尔数计，b嵌段所包含的氟原子的摩尔数百分比为mb’，并且mb’＞0。在另一优选例中，ma’/mb’≤0.8。在另一优选例中，ma’≥0.015，较佳地≥0.03。在另一优选例中，ma’≤0.15，较佳地≤0.12，更佳地≤0.08。在另一优选例中，mb’≥0.2，较佳地≥0.3。在另一优选例中，mb’≤0.8，较佳地≤0.6，更佳地≤0.5。在另一优选例中，ma’/mb’≤0.6，更佳地≤0.4，最佳地≤0.2。在另一优选例中，所述b嵌段具有选自下组结构：或其组合，其中，r4选自下组：f、cl、br、取代或未取代的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的c3-c18环烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c3-c18环烷氧基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基；r4的个数为0-5个；p为3-800的整数；r5选自下组：h、cl、br、取代或未取代的直链或支链c1-c3烷基、取代或未取代的c1-c3烷氧基；r6选自下组：取代或未取代的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的c3-c18环烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c3-c18环烷氧基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基；q为3-800的整数；对于r4、r5和r6，所述取代指被选自下组的一个或多个取代基取代：f、cl、br、c1-c18烷基、c3-c18环烷基、c1-c18烷氧基、c3-c18环烷氧基、含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基。在另一优选例中，r4选自下组：f、cl、br、取代或未取代的直链或支链c2-c8烷基、取代或未取代的c5-c10环烷基、取代或未取代的c2-c8烷氧基、取代或未取代的c5-c10环烷氧基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p和s的杂原子的5-10元杂环基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c2-c8烷基。在另一优选例中，r4的个数为0、1、2、3、4或5个。在另一优选例中，p为5-500的整数，较佳地10-300的整数，更佳地13-100的整数。在另一优选例中，r5选自下组：h、cl、br、取代或未取代的直链或支链c1-c2烷基、取代或未取代的c1-c2烷氧基。在另一优选例中，r6选自下组：取代或未取代的直链或支链c2-c8烷基、取代或未取代的c5-c10环烷基、取代或未取代的c2-c8烷氧基、取代或未取代的c5-c10环烷氧基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p和s的杂原子的5-10元杂环基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c2-c8烷基。在另一优选例中，r6为取代或未取代的直链或支链c2-c16烷基，较佳地取代或未取代的直链或支链c3-c12烷基，更佳地取代或未取代的直链或支链c4-c10烷基。在另一优选例中，对于r6，所述取代或未取代的直链或支链c2-c8烷基中取代基的个数1-15个，较佳地2-12个，更佳地3-11个。在另一优选例中，对于r6，取代基的个数为1-20个，较佳地2-18个，较佳地3-16个，更佳地4-15个；优选地，所述取代基为f。在另一优选例中，q为5-500的整数，较佳地10-300的整数，更佳地13-100的整数。在另一优选例中，对于r4、r5和r6，所述取代指被选自下组的1-10个(较佳地2-8个，更佳地3-6个)取代基取代：f、cl、br、c5-c10环烷基、c3-c10烷氧基、c5-c10环烷氧基、含2-5个选自n、o、p和s的杂原子的5-10元杂环基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c2-c8烷基。在另一优选例中，所述a嵌段选自下组：i)含c、h的有机高分子链；ii)极性单体的有机高分子链，所述极性单体的有机高分子链任选地含有选自下组的元素：c、h、o、n、或其组合；iii)含si的高分子链，所述含si的高分子链任选地含有选自下组的元素：c、h、o、或其组合；iv)含金属元素的高分子链，所述含金属元素的高分子链包含至少一种过渡金属元素且任选地含有选自下组的元素：c、h、o、p、n、或其组合；v)取代的聚乙烯，所述取代指被包括含f的基团取代，且任选地所述取代的聚乙烯包含所有的有机元素；vi)i)、ii)、iii)、iv)和/或v)的组合。在另一优选例中，i)所述含c、h的有机高分子链选自下组：苯乙烯类、丁二烯、或其组合。在另一优选例中，ii)所述极性单体的有机高分子链选自下组：丙烯酸酯类、丙烯腈类、硝基乙烯类、丙烯酮类、或其组合。在另一优选例中，iii)所述含si的高分子链选自下组：聚硅氧链、聚氢倍半氧烷(hsq)链、聚4-三甲基硅代苯乙烯链、聚硅烷基链、或其组合。在另一优选例中，iv)所述含金属元素的高分子链选自下组：二茂铁类、二茂钛类、其他过渡金属络合物、或其组合。在另一优选例中，所述金属元素选自元素周期表中的所有金属元素，较佳地选自过渡金属元素。在另一优选例中，v)所述的取代的聚乙烯具有如下结构：其中ry选自：－(c＝o)or3、-phr1，并且y＝m。在另一优选例中，ph表示苯环。在另一优选例中，所述b嵌段为含氟的有机高分子链，任选地包含所有的有机元素。在另一优选例中，所述嵌段共聚物选自下组：第一类嵌段共聚物：a嵌段为含有c、h的有机高分子链，b嵌段为含氟的有机高分子链(可以含有所有的有机元素)，a嵌段包括苯乙烯类；第二类嵌段共聚物：a嵌段为极性单体的有机高分子链(可含c、h、o、n等)，b嵌段为含氟的有机高分子链(可以含有所有的有机元素)，a嵌段包括甲基丙烯酸酯类；第三类嵌段共聚物：a嵌段为含有si高分子链(可含c、h、o)，b嵌段为含氟的有机高分子链(可以含有所有的有机元素)，a嵌段包括聚硅氧链；第四类嵌段共聚物：a嵌段为含有金属元素的高分子链(可含c、h、o、p、n)，b嵌段为含氟的有机高分子链(可以含有所有的有机元素)；第五类嵌段共聚物：结构式如下其中，a嵌段为低氟含量(侧链ry含有1-3个氟原子)的高分子链(可以含有所有的有机元素)，b嵌段为高氟含量(侧链rz含有4-50个氟原子)的高分子链(可以含有所有的有机元素)，如或其组合。在另一优选例中，rz为－(c＝o)or3，并且z＝m。在另一优选例中，所述a嵌段具有选自下组结构：或其组合，其中，r1选自下组：无、f、cl、br、取代或未取代的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的c3-c18环烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c3-c18环烷氧基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的硅烷基；r1的个数为0-5个；n为3-800的整数；r2选自下组：h、cl、br、取代或未取代的直链或支链c1-c3烷基、取代或未取代的c1-c3烷氧基；r3选自下组：取代或未取代的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的c3-c18环烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c3-c18环烷氧基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的含1-3个fe原子的c3-c20烷基；m为3-800的整数；r7和r8可相同或不同，分别独立地选自下组：取代或未取代的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的c3-c18环烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c3-c18环烷氧基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基；x为3-800的整数；对于r1、r2、r3、r7和r8，所述取代指被选自下组的一个或多个取代基取代：f、cl、br、c1-c18烷基、c3-c18环烷基、c1-c18烷氧基、c3-c18环烷氧基、含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基。在另一优选例中，所述卤素选自下组：f、cl、br、i。在另一优选例中，r1选自下组：无、f、cl、br、取代或未取代的直链或支链c2-c8烷基、取代或未取代的c5-c10环烷基、取代或未取代的c2-c8烷氧基、取代或未取代的c5-c10环烷氧基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p和s的杂原子的5-10元杂环基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c2-c8烷基、取代的硅烷基。在另一优选例中，r1的个数为0、1、2、3、4或5个。在另一优选例中，n为5-500的整数，较佳地10-300的整数，更佳地13-100的整数。在另一优选例中，r3选自下组：取代或未取代的直链或支链c2-c8烷基、取代或未取代的c5-c10环烷基、取代或未取代的c2-c8烷氧基、取代或未取代的c5-c10环烷氧基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p和s的杂原子的5-10元杂环基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c2-c8烷基、取代或未取代的含1-2个fe原子的c5-c15烷基。在另一优选例中，所述“取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基”为-c6sio3h15(即)。在另一优选例中，所述“取代或未取代的含1-3个fe原子的c3-c20烷基”为－c11h12fe(即)。在另一优选例中，m为5-500的整数，较佳地10-300的整数，更佳地13-100的整数。在另一优选例中，r7和r8可相同或不同，分别独立地选自下组：取代或未取代的直链或支链c2-c8烷基、取代或未取代的c5-c10环烷基、取代或未取代的c2-c8烷氧基、取代或未取代的c5-c10环烷氧基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p和s的杂原子的5-10元杂环基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c2-c8烷基。在另一优选例中，x为5-500的整数，较佳地10-300的整数，更佳地13-100的整数。在另一优选例中，对于r1、r2、r3、r7和r8，所述取代指被选自下组的1-10个(较佳地2-8个，更佳地3-6个)取代基取代：f、cl、br、c5-c10环烷基、c3-c10烷氧基、c5-c10环烷氧基、含2-5个选自n、o、p和s的杂原子的5-10元杂环基、取代或未取代的含2-5个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c2-c8烷基。在另一优选例中，所述嵌段共聚物具有a-b-b两嵌段结构；和/或所述嵌段共聚物具有b-b-a-b-b三嵌段结构。在另一优选例中，b为block，表示嵌段。在另一优选例中，a嵌段选自下组：取代或未取代的聚苯乙烯嵌段、取代或未取代的聚甲基丙烯酸甲酯嵌段、取代或未取代的聚硅氧烷嵌段、或其组合。在另一优选例中，a嵌段选自下组：聚苯乙烯嵌段、聚甲基丙烯酸甲酯嵌段、聚硅氧烷嵌段、或其组合。在另一优选例中，b嵌段为含f的聚苯乙烯嵌段和/或含f的聚甲基丙烯酸甲酯嵌段。在另一优选例中，b嵌段为部分或全部被f取代的聚苯乙烯嵌段和/或部分或全部被f取代的聚甲基丙烯酸甲酯嵌段。在另一优选例中，n和p表示聚苯乙烯的聚合度。在另一优选例中，m和q表示聚甲基丙烯酸甲酯的聚合度。在另一优选例中，x表示聚硅氧烷的聚合度。在另一优选例中，所述嵌段共聚物中a嵌段和b嵌段直接连接或者通过取代或未取代的亚烷基连接；其中，所述取代指被1-5个(较佳地2-3个)苯基取代。在另一优选例中，按所述嵌段共聚物的总摩尔数计，所述a嵌段的含量为1-99％，较佳地10-90％，更佳地25-80％。在另一优选例中，按所述嵌段共聚物的总摩尔数计，所述b嵌段的含量为1-99％，较佳地10-90％，更佳地25-80％。在另一优选例中，所述嵌段共聚物中，a嵌段和b嵌段的单体聚合度比为0.1-10，较佳地0.2-8，更佳地0.4-5，最佳地0.5-3。在另一优选例中，以所述嵌段共聚物的总摩尔数计，所述嵌段共聚物所包含的f原子的摩尔百分含量为4－75％，较佳地10－50％，更佳地15－35％。在另一优选例中，所述嵌段共聚物的数均分子量mn为1000-200000；和/或所述嵌段共聚物的多分散性pdi为1.01-1.8。在另一优选例中，所述嵌段共聚物的数均分子量mn为2000-100000，较佳地3000-60000，更佳地4000-20000。在另一优选例中，所述a嵌段的数均分子量mn为500-100000，较佳地1500-50000，较佳地2000-10000，更佳地3000-8000。在另一优选例中，所述b嵌段的数均分子量mn为500-100000，较佳地1500-50000，较佳地2000-10000，更佳地3000-8000。在另一优选例中，所述嵌段共聚物的多分散性pdi为1.01-1.6，较佳地1.03-1.4，更佳地1.05-1.3。在另一优选例中，按所述含氟高分子材料的总重量计，所述嵌段共聚物的含量为60－100wt％。在另一优选例中，按所述含氟高分子材料的总重量计，所述嵌段共聚物的含量为75－100wt％，较佳地90－100wt％。在另一优选例中，所述含氟高分子材料选自下组：dsa光刻材料、载体、纳米器件、疏水涂料、乳化剂、表面活性剂。在另一优选例中，所述载体为药物载体。在另一优选例中，所述纳米器件选自下组：纳米传感器、纳米载体器件、纳米生物芯片、纳米涂层器件。在另一优选例中，所述dsa光刻材料任选地包含用于溶解所述嵌段共聚物的第一溶剂。在另一优选例中，所述第一溶剂选自下组：甲苯、thf、氯苯、二甲苯、或其组合。在另一优选例中，按所述dsa光刻材料的总重量计，所述嵌段共聚物的质量分数为0.5-10％，较佳地0.8-8％，更佳地1-5％。本发明的第二方面，提供了一种纳米级含氟材料，所述纳米级含氟材料的尺寸为1-100nm，且所述纳米级含氟材料的氟含量为0.1－5％，按所述纳米级含氟材料的总重量计；并且，所述纳米级含氟材料由本发明第一方面所述的含氟高分子材料制成。在另一优选例中，所述纳米级含氟材料的尺寸为3-50nm，较佳地≤30nm，更佳地≤20nm，最佳地≤15nm，优选为约10nm。在另一优选例中，按所述纳米级含氟材料的总重量计，所述纳米级含氟材料的氟含量为0.5－3％，较佳地0.5－1.0％。应理解，在本发明范围内中，本发明的上述各技术特征和在下文(如实施例)中具体描述的各技术特征之间都可以互相组合，从而构成新的或优选的技术方案。限于篇幅，在此不再一一累述。附图说明图1是实施例1所得嵌段共聚物ps-pfmba-67的1h-nmr(cdcl3)图谱。图2是实施例2所得嵌段共聚物ps-pfmba-71的1h-nmr(cdcl3)图谱。图3为高分子材料的自组装流程图。图4为实施例5所得薄膜1热处理所得产物的saxs谱图。图5为高分子材料的导向自组装流程图。图6为实施例6所得薄膜2热处理所得产物的saxs谱图。图7为实施例7所得薄膜3热处理所得产物的saxs谱图。图8为实施例8所得薄膜4热处理所得产物的saxs谱图。图9为ps-ppfmba1的六角柱状形貌组装的saxs结果。图10为层状结构ps-ppfmba2-5退火后的saxs测试结果。图11是实施例4所得嵌段共聚物ps-ppfmba6的1h-nmr(cdcl3)图谱。图12为退火后的ps-ppfmba1六角柱状相的tem表征结果。图13为退火后的ps-ppfmba2层状相的tem表征结果。图14为ps-ppfmba6在90nm宽的硅片模板中组装得到的条纹结构。图15是实施例10所得嵌段共聚物ptmss-pfbma的1h-nmr(cdcl3)图谱。图16为六角柱状结构ptmss-pfbma退火后的saxs测试结果。图17为层状结构p2vp-ppfmba1退火后的saxs测试结果。图18为退火后的p2vp-ppfmba1层状相的tem表征结果。图19为层状结构p2vp-ppfmba2退火后的saxs测试结果。图20为退火后的p2vp-ppfmba2层状相的tem表征结果。图21为层状结构pfs-pfmba退火组装后的saxs测试数据图。图22为层状结构psi-pfmba退火组装后的saxs测试数据图。图23是实施例16所得嵌段共聚物ps-p2vp-ppfmba的1h-nmr(cdcl3)图谱。图24为层状结构ps-p2vp-ppfmba退火后的saxs测试结果。图25是嵌段共聚物ps-b-(pfbma-r-ptbma)的1h-nmr(cdcl3)图谱。图26为层状结构ps-b-(pfbma-r-ptbma)退火后的saxs测试结果。图27为层状结构ps-b-(pfbma-r-ptbma)退火后的tem测试结果。图28是嵌段共聚物pfs-ptmss的1h-nmr(cdcl3)图谱。具体实施方式本发明人经过长期而深入的研究，意外地制备得到一种包含f取代基(优选为f含量较高)的嵌段和不包含f取代基(或f含量较低)的嵌段所形成的嵌段共聚物，以包含所述嵌段共聚物的含氟高分子材料涂覆所成膜层经热处理或者溶剂退火后可以实现相分离，从而自组装为有序图案。通过调整所述嵌段共聚物中所述含f取代基的嵌段和不包含f取代基(或f含量较低)的嵌段的比例以及所述嵌段共聚物的数均分子量等参数，在自组装后可以可控地实现层状以及六角柱状的堆积结构，进而得到纳米级(优选≤10nm)的相分离尺寸,并且该自组装所需温度小于100℃且所需时间小于5分钟。这无疑为制备10nm以下高度有序纳米结构提供了一种简便高效的途径。在此基础上，发明人完成了本发明。术语本发明中，术语“含有”、“包含”、“包括”表示各种成分可一起应用于本发明的材料中。因此，术语“主要由…组成”和“由…组成”包含在术语“含有”、“包含”、“包括”中。如本文所用，术语“高分子材料”和“含氟高分子材料”可互换使用。含氟高分子材料本发明提供了一种高度有序的含氟高分子材料，所述高分子材料包含嵌段共聚物。在本发明中，按所述含氟高分子材料的总重量计，所述嵌段共聚物的含量没有特别限制，可在很大范围内根据实际需要进行调整。在另一优选例中，按所述含氟高分子材料的总重量计，所述嵌段共聚物的含量为60－100wt％，较佳地75－100wt％，更佳地90－100wt％。嵌段共聚物为了更方便地实现纳米图形制备工艺，通常需要嵌段高分子具有较低的自组装温度和较短的自组装时间。本发明人经过长期而深入的研究发现：当嵌段共聚物的某一嵌段包含氟原子(或含高含量的f原子)时，该嵌段与常规的有机嵌段(不含f原子或含低含量的f原子)之间将存在巨大的性能差异，因而所得嵌段共聚物将是一类自组装性能非常优异的嵌段共聚物材料。自组装性能优异的嵌段共聚物不仅可应用于dsa(directlyself-assembly，定向自组装技术)光刻领域，还可以应用于药物缓释领域。当应用于药物缓释领域时，上述嵌段共聚物材料在溶液中将形成纳米胶束，而该纳米胶束可进一步作为药物载体附着到具有特定官能团的基材上的特定位置，通过感应粘度等外界环境的变化，从而实现胶束的关闭和打开，进而实现药物的靶向释放功能。此外，将碳材料、硅材料或者金属材料掺杂进上述嵌段共聚物后，所得产物在发光、纳米传感器中也有重要的应用价值。在研究过程中，本发明人发现：为了得到更小的相分离尺寸，需要高分子材料中的嵌段共聚物具有更小的聚合度。为此，本发明提供了一种嵌段共聚物，所述嵌段共聚物包含：i)a嵌段，且以所述a嵌段的总摩尔数计，a嵌段所包含的氟原子的摩尔数百分比为ma’，并且ma’≥0；和ii)b嵌段，所述b嵌段为f取代的嵌段，且以所述b嵌段的总摩尔数计，b嵌段所包含的氟原子的摩尔数百分比为mb’，并且mb’＞0；并且，ma’/mb’≤0.8；并且，所述b嵌段具有选自下组结构：或其组合，其中，r4选自下组：f、cl、br、取代或未取代的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的c3-c18环烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c3-c18环烷氧基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基；r4的个数为0-5个；p为3-800的整数；r5选自下组：h、cl、br、取代或未取代的直链或支链c1-c3烷基、取代或未取代的c1-c3烷氧基；r6选自下组：取代或未取代的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的c3-c18环烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c3-c18环烷氧基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基；q为3-800的整数；对于r4、r5和r6，所述取代指被选自下组的一个或多个取代基取代：f、cl、br、c1-c18烷基、c3-c18环烷基、c1-c18烷氧基、c3-c18环烷氧基、含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基。在另一优选例中，ma’≥0.015，较佳地≥0.03。在另一优选例中，ma’≤0.15，较佳地≤0.12，更佳地≤0.08。在另一优选例中，mb’≥0.2，较佳地≥0.3。在另一优选例中，mb’≤0.8，较佳地≤0.6，更佳地≤0.5。在另一优选例中，ma’/mb’≤0.6，更佳地≤0.4，最佳地≤0.2。在另一优选例中，按所述嵌段共聚物的总摩尔数计，所述a嵌段的含量为1-99％，较佳地10-90％，更佳地25-80％。在另一优选例中，按所述嵌段共聚物的总摩尔数计，所述b嵌段的含量为1-99％，较佳地10-90％，更佳地25-80％。在另一优选例中，所述嵌段共聚物中，a嵌段和b嵌段的物质的量比为0.1-10，较佳地0.2-8，更佳地0.4-5，最佳地0.5-3。在另一优选例中，以所述嵌段共聚物的总摩尔数计，所述嵌段共聚物所包含的f原子的摩尔百分含量为4－75％，较佳地10－50％，更佳地15－35％。在另一优选例中，所述a嵌段具有选自下组结构：或其组合，其中，r1选自下组：无、f、cl、br、取代或未取代的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的c3-c18环烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c3-c18环烷氧基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的硅烷基；r1的个数为0-5个；n为3-800的整数；r2选自下组：h、cl、br、取代或未取代的直链或支链c1-c3烷基、取代或未取代的c1-c3烷氧基；r3选自下组：取代或未取代的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的c3-c18环烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c3-c18环烷氧基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的含1-3个fe原子的c3-c20烷基；m为3-800的整数；r7和r8可相同或不同，分别独立地选自下组：取代或未取代的直链或支链c1-c18烷基、取代或未取代的c3-c18环烷基、取代或未取代的c1-c18烷氧基、取代或未取代的c3-c18环烷氧基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基；x为3-800的整数；对于r1、r2、r3、r7和r8，所述取代指被选自下组的一个或多个取代基取代：f、cl、br、c1-c18烷基、c3-c18环烷基、c1-c18烷氧基、c3-c18环烷氧基、含1-9个选自n、o、p和s的杂原子的3-18元杂环基、取代或未取代的含1-9个选自n、o、p、si和s的杂原子的直链或支链c1-c18烷基。在另一优选例中，所述嵌段共聚物具有a-b-b两嵌段结构；和/或所述嵌段共聚物具有b-b-a-b-b三嵌段结构。在另一优选例中，b为block，表示嵌段。在另一优选例中，所述嵌段共聚物的数均分子量mn为1000-200000；和/或所述嵌段共聚物的多分散性pdi为1.01-1.8。在另一优选例中，所述嵌段共聚物的示意结构为：应理解，在本发明所述嵌段共聚物中，可以通过调节不含氟(或含低含量f原子)嵌段的链长来实现对所得嵌段共聚物自组装性能的调控。具体地，在本发明所述嵌段共聚物中，n、m和/或x越小，即所述不含氟(或含低含量f原子)嵌段链长越小，则以所得嵌段共聚物所形成的纳米材料在自组装时所形成的微相分离尺度就越细，进而可以得到尺寸更小的纳米级结构。嵌段共聚物的制备方法本发明还提供了一种所述嵌段共聚物的制备方法，包括如下步骤：i)提供包含a嵌段单体的第一混合液和包含b嵌段单体的第二混合液；ii)混合所述第一混合液和所述第二混合液，反应得到所述嵌段共聚物。典型地，所述嵌段共聚物是通过如下的阴离子聚合方法制备的：将一定量的单体a和四氢呋喃用二丁基镁溶液(1m，溶剂为正己烷)在40℃下处理0.5h，闪蒸至反应瓶中。将反应瓶恢复至室温，搅拌均匀，然后置于-85℃的冷浴中，冷却15min。加入所需含量的sec-buli(1m，溶剂为正己烷),保持-85℃反应30min。接着将干燥处理好的单体b滴入前述步骤所得反应体系，保持-85℃反应30min。用甲醇淬灭，沉淀后得到白色固体。应用本发明还提供了一种所述嵌段共聚物材料的用途，用于制备包括(但并不限于)下组的材料：dsa光刻材料、载体、纳米器件、疏水涂料、乳化剂、表面活性剂。在另一优选例中，所述载体为药物载体。在另一优选例中，所述纳米器件包括(但并不限于)：纳米传感器、纳米载体器件、纳米生物芯片、纳米涂层器件。在另一优选例中，所述dsa光刻材料任选地包含用于溶解所述嵌段共聚物的第一溶剂。在另一优选例中，所述第一溶剂包括(但并不限于)：甲苯、thf、氯苯、二甲苯、三氟甲苯、氯仿、甲醇、或其组合。在另一优选例中，按所述dsa光刻材料的总重量计，所述嵌段共聚物的质量分数为0.5-10％，较佳地0.8-8％，更佳地1-5％。应理解，在所述dsa光刻材料中，当所述嵌段共聚物的质量分数小于0.5％时，将出现成膜性差，薄膜不连续或过薄的缺点；当所述嵌段共聚物的质量分数大于10％时，将存在薄膜层过厚的缺点。在另一优选例中，所述纳米传感器由包含所述嵌段共聚物的原料制成。本发明还提供了一种纳米级含氟材料，所述纳米级含氟材料的尺寸为1-100nm，且所述纳米级含氟材料的氟含量为0.1－5％，按所述纳米级含氟材料的总重量计；并且，所述纳米级含氟材料由包含所述嵌段共聚物的原料制成。在另一优选例中，所述纳米级含氟材料的尺寸为3-50nm，较佳地≤30nm，更佳地≤20nm，最佳地≤15nm，优选为≤10nm(即其中任意组分≤5nm)。在另一优选例中，按所述纳米级含氟材料的总重量计，所述纳米级含氟材料的氟含量为0.5－3％，较佳地0.5－1.0％。本发明还提供了一种膜层，所述膜层由所述dsa光刻材料涂覆于基材上得到。在另一优选例中，所述基材包括(但并不限于)：硅片、氧化硅、石英、氮化硅、玻璃。在另一优选例中，所述膜层的厚度没有特别限制，优选为5-100nm，更优选为10-60nm。在另一优选例中，在热处理条件下，所述膜层可以实现相分离，并定向自组装为有序图案。在另一优选例中，所述热处理的处理温度≤250℃，较佳地≤200℃，更佳地≤150℃，最佳地≤100℃，最佳地≤80℃。在另一优选例中，所述热处理的处理时间为0.02-5h，较佳地0.05-3h，更佳地0.08-1h，最佳地0.1-0.5h。在另一优选例中，所述有序图案的相分离尺寸为1-100nm，较佳地3-50nm，更佳地5-30nm，最佳地6-20nm，最佳地6-10nm。应理解，本发明着重于含氟的嵌段共聚物材料的自组装性质。具体地，包含本发明所述嵌段共聚物的材料主要用于制备20nm以下的高精度的纳米图形结构。由于含氟材料所具有的特殊性能(如由于c-f键具有高达485kj·mol-1的键能、氟原子较低的极化率、极强的电负性和较小的范德瓦尔斯半径，使得含氟聚合物呈现出优异的耐热性、耐化学腐蚀性、耐候性、耐溶剂性、疏水性、疏油性、低表面能、低折射率和低电容等特性)，在结构的微细化以后，特别是10nm以下(甚至5nm)的尺寸，可以预计所得材料将具有各种特殊的材料特性，进而具有各种特殊应用。通常，本发明嵌段共聚物也可以应用于dsa光刻以外的其他领域，如制药、载药、生物合成、纳米传感器等，以及其他需要细微含氟图形的各种新型材料领域。与现有技术相比，本发明具有以下主要优点：(1)所述含氟高分子材料组装尺寸和组装形貌高度可控，具体的根据引入单体不同有差异；(2)所述含氟高分子材料可在较低的分子量、较低的退火温度和较短的退火时间条件下实现优异的相分离和快速的自组装性能；(3)所述含氟高分子材料经高温退火可以获得最小10纳米的微相尺寸；(4)所述嵌段共聚物的制备方法简单、安全且成本低，可制得具有较小pdi的嵌段共聚物。(5)所述嵌段共聚物可以在硅模板中自组装成有序线条。下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件或按照制造厂商所建议的条件。除非另外说明，否则百分比和份数按重量计算。除非另行定义，文中所使用的所有专业与科学用语与本领域熟练人员所熟悉的意义相同。此外，任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明方法中。文中所述的较佳实施方法与材料仅作示范之用。原料前处理将四氢呋喃、环己烷先用氢化钙干燥过夜，常压蒸馏，反应之前用二丁基镁(1m，溶剂为正己烷)处理，蒸至反应瓶中备用。将苯乙烯、甲基丙烯酸酯类单体先用5％naoh洗涤两次，然后依次进行水洗、饱和食盐水洗和硫酸镁干燥。接着用氢化钙干燥过夜，反应之前用三异丁基铝(1m，溶剂为正己烷)处理，蒸至反应瓶中备用。聚合过程示例检测方法在本发明中，数均分子量和多分散性pdi可以通过凝胶色谱法测试，使用通用校正方法校正即可，且以苯乙烯为基准。实施例1嵌段共聚物ps-pfmba-67的制备将2ml苯乙烯和30ml四氢呋喃用二丁基镁溶液(1m，溶剂为正己烷)在40℃下处理0.5h，闪蒸至反应瓶中。将反应瓶恢复至室温，搅拌均匀，然后置于-85℃的冷浴中，冷却15min。加入0.5mlsec-buli(1m，溶剂为正己烷),溶液迅速变为橙红色，保持-85℃反应15min。将干燥好的含氟丙烯酸酯类单体(1.6g,结构式为)的温度降至-50℃，通过双头针逐滴滴入含苯乙烯的反应体系，保持-85℃反应30min。用甲醇淬灭，恢复至室温，旋蒸出大部分的溶剂，滴入甲醇中沉淀，得到白色固体3.1g,产率90％。经gpc(thf)测试得知：mn＝2000-20000，pdi＝1.10-1.25。图1是实施例1所得嵌段共聚物ps-pfmba-67的1h-nmr(cdcl3)图谱。从图1可以看出：实施例1合成所得嵌段共聚物ps-pfmba-67含有ps嵌段和pfmba嵌段两个嵌段，经过积分比测得其中ps嵌段和pfmba嵌段之间的单体聚合度比例为0.56，进一步测得在ps嵌段中氟原子的摩尔数百分比为0％，在pfmba嵌段中氟原子的摩尔数百分比为31％，并且以所述嵌段共聚物的总摩尔数计，所述嵌段共聚物所包含的f原子的摩尔百分含量为25.5％。实施例2嵌段共聚物ps-pfmba-71的制备制备过程同实施例1，区别在于：增加含氟丙烯酸酯类单体的用量，用量增加为3.5g。经gpc(thf)测算，实施例2所得ps-pfmba-71的mn＝2000-20000且pdi＝1.10-1.25。图2是实施例2所得嵌段共聚物ps-pfmba-71的1h-nmr(cdcl3)图谱。从图2可以看出：实施例2所得嵌段共聚物ps-pfmba-71含有ps嵌段和pfmba嵌段两个嵌段，经过积分比测得其中ps嵌段和pfmba嵌段之间的单体聚合度比例为2.2，进一步测得在ps嵌段中氟原子的摩尔数百分比为0％，在pfmba嵌段中氟原子的摩尔数百分比为31％，并且以所述嵌段共聚物的总摩尔数计，所述嵌段共聚物所包含的f原子的摩尔百分含量为16.8％。实施例3嵌段共聚物pmtefa-pfmba-19的制备制备过程同实施例1，区别在于：将苯乙烯换为以下单体，单体结构式为：经gpc(thf)测算，实施例3所得pmtefa-pfmba-19的mn＝2000-20000且pdi＝1.10-1.25。进一步测得在所述嵌段共聚物pmtefa-pfmba-19中，在pmtefa嵌段中氟原子的摩尔数百分比为11.1％，在pfmba嵌段中氟原子的摩尔数百分比为31％，并且以所述嵌段共聚物的总摩尔数计，所述嵌段共聚物所包含的f原子的摩尔百分含量为26.5％。实施例4嵌段共聚物ps-ppfmba1-6的制备制备过程同实施例1，区别在于：改变含氟丙烯酸酯类的单体类型，单体结构式为经gpc(thf)测算，实施例4所得ps-ppfmba1-6的mn＝2000-20000且pdi＝1.10-1.25。进一步测得在所述嵌段共聚物ps-ppfmba6中，在ps嵌段中氟原子的摩尔数百分比为0％，在ppfmba嵌段中氟原子的摩尔数百分比为42％，并且以所述嵌段共聚物的总摩尔数计，所述嵌段共聚物所包含的f原子的摩尔百分含量为32％。在同系列嵌段共聚物中，通过精确调控两组分的不同比例，可以得到不同尺寸的嵌段共聚物(ps-ppfmba1-6)，其中，ps-ppfmba1-6分别对应的ps和ppfmba的用量如表1所示。表1ps(ml)ppfmba(ml)ps-ppfmba111.5ps-ppfmba21.21.5ps-ppfmba31.51.5ps-ppfmba41.81.5ps-ppfmba521.5ps-ppfmba62.11.5图9为ps-ppfmba1的六角柱状形貌组装的saxs结果，具体测试条件同实施例5。通过saxs结果表征出其微观相分离的组装尺寸为8.7nm。图10为层状结构ps-ppfmba2-5退火后的saxs测试结果，从上到下依次为ps-ppfmba2，ps-ppfmba3，ps-ppfmba4，ps-ppfmba5。经分析得知，其组装尺寸介于10.2nm-12.8nm之间。图11是实施例4所得嵌段共聚物ps-ppfmba6的1h-nmr(cdcl3)图谱。图12为退火后的ps-ppfmba1六角柱状相的tem表征结果。其中，明暗相间的条纹分别代表聚合物中的两个嵌段，经过与标尺对照计算，其电镜下的组装尺寸为6.5nm。图13为退火后的ps-ppfmba2层状相的tem表征结果。明暗相间的条纹分别代表聚合物中的两个嵌段，经过与标尺对照计算，其电镜下的组装尺寸为7.4nm。图14为ps-ppfmba6在90nm宽的硅片模板中组装得到的条纹结构。其组装方向平行于凹槽的延展方向。经测量，线条宽度为8nm。实施例5嵌段共聚物ps-pfmba-67的自组装及性能测试如图3所示，将实施例1所得嵌段共聚物ps-pfmba-67(用量50mg)溶解于甲苯(1ml)中配置成质量分数约为1-5％的溶液(如有掺杂均聚物，则根据比例配置共聚物的总浓度保持为1-5％)，得到溶液1。将溶液1旋涂在硅片上，转速500-3000rpm/min,时间30s。将得到的薄膜1置于100℃的热板内保持5分钟，之后迅速冷却至室温。将得到的薄膜刮下，进行小角x射线散射(saxs)检测，以观察分析层间距以及相分离结构。图4为实施例5所得薄膜1热处理所得产物的saxs谱图。从图4可以看出：薄膜1热处理所得产物出现了一组衍射峰，出峰位置分别为1、√3、√4和√7，表明包含嵌段共聚物ps-pfmba-67的薄膜1经热处理所得薄膜中有明显的相分离且薄膜中的结晶微相呈六角柱状(hexagonal)堆积结构。进一步地，根据qmax＝0.475nm-1,测得d100＝2π/q＝13.2nm，进一步测得结晶相之间的距离为d＝2/√3×d100＝15.3nm(即相分离的尺寸)。如图5所示，进一步将该嵌段共聚物材料在一定的模板上，通过模板的导向作用，引导高分子材料自组装，得到更为有序的纳米线条结构。实施例6嵌段共聚物ps-pfmba-71的自组装及性能测试同实施例5，区别在于：采用实施例2所得嵌段共聚物ps-pfmba-71替换实施例1所得嵌段共聚物ps-pfmba-67。图6为实施例6所得薄膜2热处理所得产物的saxs谱图。从图6可以看出：薄膜2热处理所得产物出现了一组衍射峰，出峰位置分别为1、2、3和4，表明包含嵌段共聚物ps-pfmba-71的薄膜2热处理所得薄膜中有明显的相分离，并且结晶微相呈层状(lamella)堆积结构。进一步地，根据qmax＝0.243nm-1,测得d100＝2π/q＝25.8nm,进一步测得结晶相之间的距离为d＝d100＝25.8nm(即相分离的尺寸)。比较实施例1所得嵌段共聚物ps-pfmba-67和实施例2所得嵌段共聚物ps-pfmba-71，可以发现：通过改变嵌段之间的比例，可以很容易的得到不同的相分离结构，当ps嵌段和pfmba嵌段之间的物质的量比例为0.56时，高分子的薄膜呈现六角柱状堆积结构，当ps嵌段和pfmba嵌段之间的物质的量比例为2.2时，高分子的薄膜呈现层状堆积结构。实施例7嵌段共聚物pmtefa-pfmba-19的自组装及性能测试同实施例5，区别在于：采用实施例3所得嵌段共聚物pmtefa-pfmba-19替换实施例1所得嵌段共聚物ps-pfmba-67。图7为实施例7所得薄膜3热处理所得产物的saxs谱图。从图7可以看出：薄膜3热处理所得产物出现了一组衍射峰，出峰位置分别为1、2和3，表明包含嵌段共聚物pmtefa-pfmba-19的薄膜3热处理所得薄膜中有明显的相分离，并且结晶微相呈层状(lamella)堆积结构。进一步地，根据qmax＝0.442nm-1,测得d100＝2π/q＝14.2nm,进一步测得结晶相之间的距离为d＝d100＝14.2nm(即相分离的尺寸)。实施例8嵌段共聚物ps-ppfmba-21的自组装及性能测试同实施例5，区别在于：采用实施例4所得嵌段共聚物ps-ppfmba-21替换实施例1所得嵌段共聚物ps-pfmba-67。图8为实施例8所得薄膜4热处理所得产物的saxs谱图。从图8可以看出：薄膜4热处理所得产物出现了一组衍射峰，出峰位置分别为1、2、3和4，表明包含嵌段共聚物ps-ppfmba-21的薄膜4热处理所得薄膜中有明显的相分离，并且结晶微相呈层状(lamella)堆积结构。进一步地，根据qmax＝0.581nm-1,测得d100＝2π/q＝10.8nm,进一步测得结晶相之间的距离为d＝d100＝10.8nm(即相分离的尺寸)。实施例9嵌段共聚物ptmss-ppfmba的制备制备过程同实施例1，区别在于：将苯乙烯单体替换为含三甲基硅的苯乙烯，单体结构式为同时改变含氟丙烯酸酯类的单体类型，单体结构式为单体投料及比例依据所需组装尺寸和形貌有所区别(如的用量为2ml，的用量为1.6ml)。经gpc(thf)测算，实施例9所得ptmss-ppfmba的mn＝4000-15000且pdi＝1.13-1.19。实施例10嵌段共聚物ptmss-pfbma的制备制备过程同实施例1，区别在于：苯乙烯部分替换为含硅嵌段，单体结构式为改变含氟丙烯酸酯类的单体类型，单体结构式为经gpc(thf)测算，实施例10所得ptmss-pfbma的mn＝4000-20000且pdi＝1.13-1.25。图15是实施例10所得嵌段共聚物ptmss-pfbma的1h-nmr(cdcl3)图谱。图16为六角柱状结构ptmss-pfbma退火后的saxs测试结果，经分析得知，其组装尺寸为14.5nm。实施例11嵌段共聚物p2vp-ppfmba的制备制备过程同实施例1，区别在于：将苯乙烯单体替换为2-乙烯基吡啶，单体结构式为同时改变含氟丙烯酸酯类的单体类型，单体结构式为单体投料及比例依据所需组装尺寸和形貌有所区别(如的用量为1.2ml，的用量为1.6ml)。经gpc(thf)测算，实施例11所得p2vp-ppfmba的mn＝3500-20000且pdi＝1.12-1.20。通过调整p2vp和ppfmba的用量，分别得到p2vp-ppfmba1和p2vp-ppfmba2，其用量如表2所示。表2p2vpppfmbap2vp-ppfmba11.21.6p2vp-ppfmba21.51.6图17为层状结构p2vp-ppfmba1退火后的saxs测试结果，经分析得知，其组装尺寸为9.7nm。图18为退火后的p2vp-ppfmba1层状相的tem表征结果。明暗相间的条纹分别代表聚合物中的两个嵌段，经过与标尺对照计算，其电镜下的组装尺寸为7.8nm。图19为层状结构p2vp-ppfmba2退火后的saxs测试结果。经分析得知，其组装尺寸为13.9nm。图20为退火后的p2vp-ppfmba2层状相的tem表征结果。其电镜下的组装尺寸为12.2nm。实施例12嵌段共聚物pfs-ppfmba的制备制备过程同实施例1，区别在于：将苯乙烯单体替换为对氟苯乙烯，单体结构式为同时改变含氟丙烯酸酯类的单体类型，单体结构式为单体投料及比例依据所需组装尺寸和形貌有所区别(如的用量为2ml，的用量为1.5ml)。经gpc(thf)测算，实施例12所得pfs-ppfmba的mn＝3000-18000且pdi＝1.11-1.23。实施例13嵌段共聚物pfs-pfmba的制备制备过程同实施例1，区别在于：将苯乙烯单体替换为对氟苯乙烯，单体结构式为单体投料及比例依据所需组装尺寸和形貌有所区别(如的用量为2ml，的用量为2ml)。经gpc(thf)测算，实施例13所得pfs-pfmba的mn＝3300-18000且pdi＝1.10-1.20。图21为层状结构pfs-pfmba退火组装后的saxs测试数据图。实施例14嵌段共聚物psi-pfbma的制备制备过程同实施例1，区别在于：苯乙烯部分替换为含硅嵌段，单体结构式为改变含氟丙烯酸酯类的单体类型，单体结构式为经gpc(thf)测算，实施例14所得psi-pfbma的mn＝4000-20000且pdi＝1.13-1.25。图22为层状结构psi-pfmba退火组装后的saxs测试数据图。实施例15嵌段共聚物pfcs-ppfmba的制备制备过程同实施例1，区别在于：将苯乙烯单体替换为含二茂铁的丙烯酸酯类单体，单体结构式为同时改变含氟丙烯酸酯类的单体类型，单体结构式为单体投料及比例依据所需组装尺寸和形貌有所区别(如的用量为1.5g，的用量为1.6ml)。经gpc(thf)测算，实施例15所得pfcs-ppfmba的mn＝3000-18000且pdi＝1.11-1.23。实施例16三嵌段共聚物ps-p2vp-ppfmba的制备制备过程同实施例1，区别在于：将苯乙烯单体与2-乙烯基吡啶单体依次进行阴离子聚合作为前两个嵌段；同时改变含氟丙烯酸酯类的单体类型，单体结构式为聚合成第三个嵌段。单体投料及比例依据所需组装尺寸和形貌有所区别(如的用量为1.5ml，的用量为0.5ml，的用量为1.6ml)。经gpc(thf)测算，实施例16所得ps-p2vp-ppfmba的mn＝4000-20000且pdi＝1.14-1.20。图23是实施例16所得嵌段共聚物ps-p2vp-ppfmba的1h-nmr(cdcl3)图谱。图24为层状结构ps-p2vp-ppfmba退火后的saxs测试结果。经分析得知，其组装尺寸为17.2nm。实施例17嵌段共聚物ps-b-(pfbma-r-ptbma)的制备制备过程同实施例1，区别在于：嵌段b采用两种丙烯酸酯类单体共混形式组成，其中含氟单体结构式为不含氟单体结构式为共混比例的调整可以一定程度上改变第二嵌段的性质(其中，的共混比例为2：1)。经gpc(thf)测算，实施例17所得ps-b-(pfbma-r-ptbma)的mn＝4000-20000且pdi＝1.13-1.25.图25是嵌段共聚物ps-b-(pfbma-r-ptbma)的1h-nmr(cdcl3)图谱。图26为层状结构ps-b-(pfbma-r-ptbma)退火后的saxs测试结果。经分析得知，其组装尺寸为17.5nm。图27为层状结构ps-b-(pfbma-r-ptbma)退火后的tem测试结果。明暗条纹的间距为15.2nm。实施例18嵌段共聚物pfs-ptmss的制备制备过程同实施例1，区别在于：将苯乙烯单体替换为对氟苯乙烯，嵌段b为含三甲基硅的苯乙烯。单体投料及比例依据所需组装尺寸和形貌有所区别(如的用量为2ml，的用量为1.5ml)。经gpc(thf)测算，实施例18所得pfs-ptmss的mn＝3500-2000且pdi＝1.10-1.20。图28是嵌段共聚物pfs-ptmss的1h-nmr(cdcl3)图谱。方便起见，实施例1-18的相关参数汇总如下表3所示。表3在本发明提及的所有文献都在本申请中引用作为参考，就如同每一篇文献被单独引用作为参考那样。此外应理解，在阅读了本发明的上述讲授内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。当前第1页12