一种芳杂环化合物及其制备方法以及一种有机电致发光器件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机光电材料技术领域，尤其涉及一种芳杂环化合物及其制备方法以 及一种有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件(0LED)是一种新型的平面显示器件，一般由两个对置的电极和 插入在该两个电极之间的至少一层有机发光化合物组成。即器件的组成是由透明ΙΤ0阳极、 空穴注入层(TIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电 子注入层(EIL)和阴极形成，按需要可省略1~2有机层。其作用机理为两个电极之间形成电 压一边从阴极电子注入，另一边从阳极注入空穴，电子和空穴在发光层再结合形成激发态， 激发态回到稳定的基态，器件发光。
[0003] 其中，电子传输层的材料目前以式1~5为主：
[0004]
[0005] 然而随着近几年光电通讯和多媒体领域的迅速发展，对于发光器件的发光效率、 使用寿命等性能要求也越来越高，上述传统电子传输层材料成为制约行业发展的瓶颈。
【发明内容】
[0006] 有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种芳杂环化合物及其制备方法以 及一种有机电致发光器件，制备的发光器件具有较高的发光效率和使用寿命。
[0007] 本发明提供了一种芳杂环化合物，具有式(I)所示结构：
[0008]
[0009] 六τ，
[0010] 乂以:^上上独立的选帥或化
[0011] RhRhfc独立的选自氢原子、??素原子，氰基、取代或非取代的&~(：5()烷基、取代或 非取代的C6~C5Q的芳基、取代或非取代的C5~C5Q的杂环基、取代或非取代的C 6~C5Q的芳香 族胺基;且R:、R2、R3中至少一个为芳基、杂环基或芳香族胺基；
[0012] 1^为0或 1。
[0013] 优选的，所述化合物具有以下任一结构：
[0014]
[0015]优选的，所述办、1?2和1?3中的任意一个或多个独立的选自以下结构：
[0016]
?；
[0017]
[0018] ArdPAr2独立的选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代C6~C5Q的芳基、取代或 未取代的C 5~C5Q的杂环基、取代或非取代的C6~C3Q的芳香族胺基；
[0019] Ar3和Ar4独立的选自取代或未取代C6~C5Q的芳基、取代或未取代的C 5~C5Q的杂环 基；
[0020] R4为取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6~C5Q的芳基、取代或未取代 的C5~C5Q的杂环基；
[0021] R5和R6独立的选自取代或未取代的&~〇50烷基、取代或未取代的C6~C5Q的芳基、取 代或未取代的C 5~C5Q的杂环基。
[0022] 优选的，所述化合物具有以下结构：
[0024]
[0025] 其中，
[0026] X/、X；/、X/、X/、X^ 独立的选自 C或N;
[0027] Y为0、S或N(R/);
[0028] Z为(KS'NU/)i
[0029] R2、R3独立的选自氢原于、面素原于，氰基、取代或非取代的Cl~C5Q烷基、取代或非 取代的c6~C5Q的芳基、取代或非取代的C5~C5Q的杂环基、取代或非取代的c 6~C5Q的芳香族 胺基；
[0030] R/为取代或未取代的C6~C5Q的芳基、取代或未取代的C5~C 5Q的杂环基；
[0031 ] t和t独立的选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6~C5Q的芳基、 取代或未取代的C5~C5Q的杂环基；
[0032] Ar/和AW独立的选自取代或非取代的C6~C6Q的芳基;取代或非取代的C5~C 60的 杂环基、取代或非取代的C6~C3Q的芳胺基；
[0033] Ar/和Ar，独立的选自取代或非取代C6~C5Q的芳基、取代或非取代的C5~C 5Q杂环 基；
[0034] K为取代或非取代的C6~C5Q芳烯基；
[0035] Li为0或 1。
[0036] 优选的，所述化合物具有以下E-1~E-l52任一结构：
[0037]
[0040]
[0041]
[0042]
[0043]
[0044]
[0045]
[0046] 本发明还提供了一种芳杂环化合物的制备方法，包括：
[0047] 1^为0时，将式（ΙΠ )所示的化合物与式（IV)所示的化合物和式(V)所示的化合物进 行反应，得到式(I)所示的芳杂环化合物；
[0048] 或者1^为1时，将式（ΙΠ )所示的化合物与式（IV)所示的化合物和式(V)所示的化合 物、式(VI)所示的化合物进行反应，得到式(I)所示的芳杂环化合物；
[0049]
[0050]
[0051] 其中，
[0052] Xa、Xb、Xc、Xd独立的选自 C-Br、C-C1 或N;
[0053] Yd-B (OH) 2、硼类化合物基团、-NH2 或-NH-R!;
[0054] 父1、父2、父3、父4独立的选自(：或1
[0055] 独立的选自氢原子、卤素原子，氰基、取代或非取代的烷基、取代或 非取代的C6~C 5Q的芳基、取代或非取代的C5~C5Q的杂环基、取代或非取代的C6~C 5Q的芳香 族胺基;且R:、R2、R3中至少一个为芳基、杂环基或芳香族胺基。
[0056] 优选的，所述式(ΙΠ )所示的化合物按照以下方法制备：
[0057 ]将式(νπ)所示的化合物与式(VI)所示的化合物进行置换反应，得到式(IX)所示的 化合物；
[0058]将式(IX)所示的化合物依次进行缩合环化、还原反应，得到式(m)所示的化合物；
[ρη^ο?
[0060] 本发明还提供了一种有机电致发光器件，包括上述芳杂环化合物或上述制备方法 制备的芳杂环化合物。
[0061] 所述有机电致发光器件，优选包括第一电极、第二电极和设置于所述第一电极与 第二电极之间的有机物层;所述有机物层包括上述芳杂环化合物或上述制备方法制备的芳 杂环化合物。
[0062] 本发明还提供了一种有机光电材料，包括上述芳杂环化合物或上述制备方法制备 的芳杂环化合物;所述有机光电材料包括有机发光器件、有机太阳电池、电子纸、有机感光 体或有机薄膜晶体管。
[0063] 与现有技术相比，本发明提供了一种芳杂环化合物，具有式（I)所示结构，其中， 父1、父2丄、乂4独立的选自(：或11?1、1?2、1?3独立的选自氢原子、卤素原子，氰基、取代或非取代的 &~(：5〇烷基、取代或非取代的C6~C5Q的芳基、取代或非取代的C 5~C5Q的杂环基、取代或非取 代的C6~C5Q的芳香族胺基;且Ri、R 2、R3中至少一个为芳基、杂环基或芳香族胺基;1^为0或1。
[0064] 本发明在苯并[g ]喹喔啉，苯并[g ]喹啉及苯并[g ]异喹啉等化合物中引进Ri、R2、 R3,可提高电子密度、向上技能及改善化合物性能，从而使式（I)所示的芳杂环化合物可以 作为很好的电子传输材料应用，以其制备的有机电致发光器件具备较高的亮度、较好的耐 热性、长寿命及较高的发光效率等特点。 【具体实施方式】[0065] 本发明提供了一种芳杂环化合物，具有式(I)所示结构：
[0066]
[0067] 斤丨，
[0068] 父1、父2、父3、父4独立的选自(：或1
[0069] 独立的选自氢原子、卤素原子，氰基、取代或非取代的&~&()烷基、取代或 非取代的C 6~C5Q的芳基、取代或非取代的C5~C5Q的杂环基、取代或非取代的C 6~C5Q的芳香 族胺基;且中至少一个为上述取代或非取代的芳基、杂环基或芳香族胺基；
[0070] 1^为〇或 1。
[0071 ] 本发明在苯并[g ]喹喔啉，苯并[g ]喹啉及苯并[g ]异喹啉中引进Ri、R2、R3，可提高 电子密度、向上技能及改善化合物性能，从而使式（I)所示的芳杂环化合物可以作为很好的 电子传输材料应用，以其制备的有机电致发光器件具备较高的亮度、较好的耐热性、长寿命 及较高的发光效率等特点。
[0072]本发明所提供的式（I)所示芳杂环化合物中，所述心、心、乂344独立的优选为(：或1 在本发明的某些具体实施例中，所述Χι或X2为N，其余为C;或者X4PX4为N，其余为C。
[0073] RiUs独立的优选为氢原子、卤素原子，氰基、取代或非取代的烷基、取代 或非取代的c6~C5Q的芳基、取代或非取代的C5~C5Q的杂环基、取代或非取代的C 6~C5Q的芳 香族胺基;且Ri、R2、R3中至少一个为芳基、杂环基或芳香族胺基。所述烷基优选为Ci ~C1Q烷基，更优选为烷基，在本发明的某些具体实施例中，其为甲基、乙基、丙基、异 丙基或丁基。
[0074] Μ尤选为0或1。当Xi、χ2、χ3、X4中的任意两个为N时，Ld〇。
[0075] 本发明优选的，所述化合物具有以下任一结构：
[0076]
[0077] 本发明优选的，所述办、1?2和1?3中的任意一个或多个独立的选自以下结构：
[0078]
[0079] 上述*表示连接的位置；
[0080] 其中，
[0081] ArdPAr2独立的优选为氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代C6~C5Q的芳基、取代 或未取代的C5~C5Q的杂环基、取代或非取代的C6~C3Q的芳香族胺基；
[0082] Ar3和Ar4独立的优选为取代或未取代C6