专利名称：硬盘磷化铟基板cmp抛光液的制备方法
技术领域：
本发明属于抛光液制备方法，特别是涉及硬盘磷化铟(InP)基板的抛光液制备方法。
背景技术：
近年来，计算机技术突飞猛进，作为计算机数据存储的主要部件硬盘，向大容 量、高转速、小体积和高安全性的方向发展。要使单片容量增加，就对硬盘基板抛光后 的表面状况提出了很高的要求。现有提高硬盘基板表面状况的CMP技术是主流技术。 抛光后硬盘基板表面粗糙度下降至O.lnm以下，波纹度小于0.2nm，在很大程度上提高了 单片硬盘的存储容量。制造硬盘基板的材料主要有InP/Al合金、玻璃和微晶玻璃。目 前多用InP/Al合金制作硬盘基板；微晶玻璃因其独特的优势，虽具有很大的发展优势， 但应用并不广泛。作为抛光技术之一的抛光液制备方法尤其重要。目前国内在硬盘InP基板批量 生产中所用的抛光液大部分靠进口，原因之一就是国内传统抛光液制备方法带来的污染 等负面作用。如传统的复配及机械搅拌等制备方法容易造成有机物、金属离子、大颗粒 等有害污染。从而造成后续加工中成本的提高及器件成品率的降低。
发明内容
本发明是为了解决公知硬盘InP基板抛光液在制备过程中存在的有机物、金属离 子、大颗粒等有害污染，而公开一种简便易行、无污染的硬盘InP基板抛光液制备方法。本发明硬盘InP基板CMP抛光液的制备方法步骤如下(1)将密闭反应器系统用去离子水负压涡流下清洗三遍；(2)在负压涡流状态下逐渐加入胺碱调节pH值，加入胺碱的量为1_6%，无机 强碱试剂用18ΜΩ以上超纯水稀释后在负压涡流状态下逐渐吸入，加入无机强碱的量为 0.2-1.5% ； pH 值调节为 9-12 ；(3)在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售FA/0活性 剂，加入FA/0活性剂的量为0.3-2.5% ；持续时间18分钟；(4)在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售FA/0螯合 剂，加入FA/0螯合剂的量为0.3-2.5% ；(5)将纳米SiO2溶胶用负压吸入反应器内并呈涡流状态，所述溶胶是粒径15 lOOnm、分散度< 0.001、莫氏硬度7的SiO2溶胶，浓度30 50wt% ；(6)负压涡流状态下充分搅拌，搅拌时间为5-20分钟，均勻后进行灌装；上述各重量百分比均以最后得到的抛光液为基准。上述天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/0活性剂为聚氧乙烯醚， 是(C15H15 190 (CH2CH2O) 5H)、(C20H15 190 (CH2CH2O) 5H)、(C4OH15 190 (CH2CH2O)5H)的复合物。
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上述天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/0螯合剂为乙二胺四乙酸四(四羟 乙基乙二胺)，结构式如下
权利要求
1.一种硬盘磷化铟基板CMP抛光液的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行 (重量％)(1)将密闭反应器系统用去离子水负压涡流下清洗三遍；密闭反应器原材料选用无 污染的聚丙烯、聚乙烯或聚甲基丙烯酸甲脂；(2)在负压涡流状态下逐渐加入胺碱调节pH值，加入胺碱的量为1_6%，无机强 碱试剂用18M Ω以上超纯水稀释后在负压涡流状态下逐渐吸入，加入无机强碱的量为 0.2-1.5% ； pH 值调节为 9-12 ；(3)在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/0活性剂， 加入FA/0活性剂的量为0.3-2.5% ；持续时间20分钟；(4)在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/0螯合剂， 加入FA/0螯合剂的量为0.3-2.5% ；(5)将纳米SiO2溶胶用负压吸入反应器内并呈涡流状态，所述溶胶是粒径15 lOOnm、分散度< 0.001、莫氏硬度7的SiO2溶胶，浓度30 50wt% ；(6)负压涡流状态下充分搅拌，搅拌时间为5-20分钟，均勻后进行灌装；上述各重量百分比均以最后得到的抛光液为基准。
2.根据权利要求1所述的硬盘磷化铟基板CMP抛光液的制备方法，其特征在于所 述步骤(2)胺碱为羟乙基乙二胺、三乙醇胺、四甲氢氧化铵中的任一种。
全文摘要
本发明涉及硬盘磷化铟基板表面高精密加工过程中化学机械抛光(CMP)抛光液的制备方法。该抛光液选用高浓度纳米SiO2磨料，磨料的浓度为5-50wt％，粒径15-100nm，pH值9-12。本发明采用负压涡流搅拌的制备方法，避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染，可以达到超净的要求。该方法同时可实现纳米SiO2磨料高浓度、高pH值条件下不凝聚、不溶解，具有成本低、低粗糙、高速率、不污染环境及腐蚀设备的优点。
文档编号C09G1/02GK102010664SQ20101023165
公开日2011年4月13日 申请日期2010年7月21日 优先权日2010年7月21日
发明者刘玉岭, 王胜利, 项霞 申请人:天津晶岭微电子材料有限公司