[0021]所述的电源采用型号为SS1710的可调直流稳压电源1，通过调节直流稳压电源1的电压来控制电路中的电流大小。电路中的电流大小由型号为C43的毫安电流表2来测试。可调直流稳压电源1与毫安电流表2通过导线3与铜电极4和铂电极5相连，通过电解液6连通电路，将单晶硅片7放入电解液6中进行电化学腐蚀(阳极氧化)，所述单晶硅片7采用的是P型〈111〉取向的单晶硅。在阳极氧化单晶硅片7制备多孔硅时，铜电极4与可调直流稳压电源1的正极相连；铂电极5与可调直流稳压电源1的负极相连；对多孔硅进行阴极还原处理时，铜电极4与可调直流稳压电源1的负极相连；铂电极5与可调直流稳压电源1的正极相连，在多孔硅的制备及后处理过程中，单晶硅片7始终是放置在铜电极4的上面。所述电解池8采用的是聚四氟乙烯材质的容器，容器的底部有一个直径为10mm的圆孔9 ;电解池8两侧各设有一个固定板10，两侧的固定板10的底部各垫有一片橡胶垫片11，两片橡胶垫片11的底部垫有一个铜电极4，铜电极4底部有一个大固定板12，大固定板12与铜电极4接触地方有一小孔13，确保连接可调直流稳压电源1的导线3能与铜电极4接触。夹有两片橡胶垫片11和一铜电极4的固定板10和大固定板12通过螺丝14加固。为了防止电解液6从电解池8中渗出，电解池8的固定板10与橡胶垫片11，橡胶垫片11与铜电极4，铜电极4与大固定板12之间用氯仿粘合。
[0022]如图2，所述电解池8设有固定板10，进液口 15和出液口 16，进液口 15和出液口16便于电解液的更换，且进液口 15和出液口 16上各设有一塞子17，用于防尘及防止电解液漏出。固定板10和大固定板12上对应的设置有4个小螺丝孔18，便于螺丝加固固定板10和大固定板12。
[0023]本实用新型提供了一种多孔硅制备装置，所述多孔硅制备装置可用于研究不同腐蚀液浓度、不同腐蚀时间和不同腐蚀电流等对多孔硅发光强度的影响；还可以通过对调铜电极与铂电极接入可调直流稳压电源中的电极，直接对刚制备出的多孔硅进行阴极还原处理，所述装置中电解池设有进液口和出液口，可更换电解液，将氢氟酸溶液更换为硝酸溶液，可直接对刚制备出的多孔硅进行酸处理。所述多孔硅制备装置实现了多孔硅制备及后处理一体化，已用于实验室中多孔硅的制备和后处理研究中，制得的多孔硅具有良好的发光强度且发光稳定性很好。
[0024]以上所述实施例仅表达了本实验新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能以此来限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型的实质所作的等效变化，均应涵盖在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种多孔硅制备装置，包括电解池，电解液，铜电极，铂电极，毫安电流表，导线和可调直流稳压电源；所述可调直流稳压电源与毫安电流表通过导线与铜电极和铂电极相连，所述电解液用于连通电路，将单晶硅片放入电解液中可直接进行电化学腐蚀。2.根据权利要求1所述的一种多孔硅制备装置，其特征在于，所述可调直流稳压电源型号为SS1710 ;所述毫安电流表型号为C43 ;所述单晶硅片为P型〈111〉取向的单晶硅。3.根据权利要求1所述的一种多孔硅制备装置，其特征在于，所述电解池为聚四氟乙烯材质的容器，电解池上设有进液口和出液口，用于更换电解液，直接对刚制备出的多孔硅进行酸处理。4.根据权利要求1所述的一种多孔硅制备装置，其特征在于，所述电解池底部设有一直径为10 mm的圆孔；两侧各设有一个固定板；两侧固定板上设有4个小螺丝孔，底部各垫有一橡胶垫片；橡胶垫片底部垫有一铜电极，铜电极底部设有一大固定板。5.根据权利要求4所述的一种多孔硅制备装置，其特征在于，所述大固定板设有一小孔，确保连接可调直流稳压电源的导线能与铜电极接触。6.根据权利要求4所述的一种多孔硅制备装置，其特征在于，夹有橡胶垫片和铜电极的固定板与大固定板间通过螺丝加固。7.根据权利要求4所述的一种多孔硅制备装置，其特征在于，所述固定板与橡胶垫片，橡胶垫片与铜电极，铜电极与大固定板接触地方用氯仿粘合，防止漏液。8.根据权利要求1所述的一种多孔硅制备装置，其特征在于，在制备多孔硅时，铜电极与可调直流稳压电源的正极相连；铂电极与可调直流稳压电源的负极相连；对多孔硅进行阴极还原处理时，电极对调，铜电极与可调直流稳压电源的负极相连；铂电极与可调直流稳压电源的正极相连。9.根据权利要求1所述的一种多孔硅制备装置，其特征在于，在多孔硅制备及后处理过程中，单晶硅片始终放置在铜电极的上面。
【专利摘要】本实用新型提供了一种多孔硅制备装置，包括电解池，电解液，铜电极，铂电极，毫安电流表，导线和可调直流稳压电源。所述可调直流稳压电源与毫安电流表通过导线与铜电极和铂电极相连，通过电解液连通电路，将单晶硅片放入电解液中可直接进行电化学腐蚀(阳极氧化)。所述装置可对调铜电极与铂电极接入电源中的电极，直接对刚制备出的多孔硅进行阴极还原处理。所述电解池设有进液口和出液口，用于更换电解液，将氢氟酸溶液更换为硝酸溶液，可直接对刚制备出的多孔硅进行酸处理。所述多孔硅制备装置不仅可以制备出多孔硅，而且可以直接对多孔硅进行阴极还原和酸处理，实现了多孔硅制备及后处理一体化。所述装置已用于多孔硅的制备及后处理实验中，制得的多孔硅具有良好的发光强度且发光稳定性很好。
【IPC分类】C30B33/10, C25F3/14, C25F3/12, C25F7/00
【公开号】CN205115660
【申请号】CN201520493537
【发明人】唐鹿
【申请人】江西科技学院
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年7月10日