300之间的阻抗失配。
[0049]参考图6，阻抗校准电路400可以包括测试焊盘401以及参考电阻设定单元500。阻抗校准电路400可以包括第一复制驱动器群组、第二复制驱动器群组以及阻抗校准单
J L.ο
[0050]第一复制驱动器群组可以包括通过复制图5的测试电极区的上拉驱动器310而获得的上拉驱动器610和620。第一复制驱动器群组可以包括通过复制图5的测试电极区的下拉驱动器320而获得的下拉驱动器630。
[0051]第二复制驱动器群组可以包括通过复制图4的物理区的上拉驱动器210而获得的上拉驱动器710和720。第二复制驱动器群组可以包括通过复制图4的物理区的下拉驱动器220而获得的下拉驱动器730。
[0052]参考电阻设定单元500可被配置为使得在测试模式中设定参考电阻值。
[0053]参考电阻设定单元500可以包括电阻器阵列510、多个开关SWEN、SWA和SWB以及保险丝组520。
[0054]电阻器阵列510可以包括彼此串联连接的多个电阻器。
[0055]保险丝组520可以被配置成输出储存的保险丝信号FUSE_EN〈0:1>。
[0056]测试激活开关SWEN可以被配置成响应于测试使能信号ENTEST来将测试焊盘401连接至第一开关阵列SWA。
[0057]第一开关阵列SWA可以被配置成响应于使能信号EN〈0:1>来将测试焊盘401连接至电阻器阵列510的节点的特定节点。
[0058]第二开关阵列SWB可以被配置成响应于保险丝信号FUSE_EN〈0:1>来将电阻器阵列510的节点的特定节点连接至上拉驱动器610或上拉驱动器710。
[0059]依照HBM规格，存储器HBM可以不连接至外部电阻器。
[0060]因此，在测试操作中，存储器HBM通过使用测试焊盘401允许恒定电流流过，并且通过使用使能信号EN〈0:1>来允许参考电阻设定单元500的电阻值大体上等于参考电阻值。
[0061]在参考电阻设定单元500的电阻值大体上等于参考电阻值的状态下，存储器HBM控制保险丝组520输出大体上等于使能信号EN〈0:1>的值的保险丝信号FUSE_EN〈0:1>的值。
[0062]在测试操作之后，参考电阻设定单元500的电阻值可以通过保险丝信号FUSE_EN<0:1>被设定为参考电阻值。
[0063]阻抗校准单元可以被配置成校准阻抗校准信息(即，第一阻抗校准码CNTP以及第二阻抗校准码CNTN)，以便选自第一复制驱动器群组610、620和630以及第二复制驱动器群组710、720和730的驱动器群组的输出电压PC0M或NC0M大体上等于参考电压VREF。
[0064]阻抗校准单元可以包括复用部810、820、830、840、850和860、参考电压发生部870、比较部880和890以及计数部900和910。
[0065]第一复用路至第三复用器810、820和830可以被配置成当选择信号SEL位于特定逻辑电平(例如，逻辑高电平)时，激活第一复制驱动器群组610、620和630，并且通过使用第一阻抗校准码CNTP和第二阻抗校准码CNTN来校准第一复制驱动器群组610、620和630的电阻值。
[0066]第一复用器至第三复用器810、820和830可以被配置成例如当选择信号SEL位于逻辑低电平时，去激活第一复制驱动器群组610、620和630。
[0067]第四复用器至第六复用器840、850和860可以被配置成例如当选择信号SELB位于逻辑高电平时，激活第二复制驱动器群组710、720和730，并且通过使用第一阻抗校准码CNTP和第二阻抗校准码CNTN来校准第二复制驱动器群组710、720和730的电阻值。
[0068]第四复用器至第六复用器840、850和860可以被配置成例如当选择信号SELB位于逻辑低电平时，去激活第二复制驱动器群组710、720和730。
[0069]第一复用器810可以根据选择信号SEL将第一阻抗校准码CNTP或电源电平VDD施加至上拉驱动器610。
[0070]第二复用器820可以根据选择信号SEL将第一阻抗校准码CNTP或电源电平VDD施加至上拉驱动器620。
[0071]第三复用器830可以根据选择信号SEL将第二阻抗校准码CNTN或接地电平VSS施加至下拉驱动器630。
[0072]第四复用器840可以根据选择信号SELB将第一阻抗校准码CNTP或电源电平VDD施加至上拉驱动器710。
[0073]第五复用器850可以根据选择信号SELB将第一阻抗校准码CNTP或电源电平VDD施加至上拉驱动器720。
[0074]第六复用器860可以根据选择信号SELB将第二阻抗校准码CNTN或接地电平VSS施加至下拉驱动器730。
[0075]参考电压发生部870可以被配置成产生与0.5*VDD相应的参考电压VREF。
[0076]第一比较部880可以被配置成比较参考电压VREF与第一电压PC0M，并且产生第一比较信号CMPP。
[0077]第二比较部890可以被配置成比较参考电压VREF与第二电压NC0M，并且产生第二比较信号CMPN。
[0078]第一计数部900可以被配置成响应于第一比较信号CMPP来计数第一阻抗校准码CNTP的值。
[0079]第二计数部910可以被配置成响应于第二比较信号CMPN来计数第二阻抗校准码CNTN的值。
[0080]可以如下描述前述阻抗校准电路400的阻抗校准操作的示例。
[0081]从存储系统100的外部提供位于逻辑高电平的选择信号SEL，由此激活第一复制驱动器群组610、620和630。
[0082]由于选择信号SEL位于逻辑高电平，因此选择信号SELB位于逻辑低电平，以便去激活第二复制驱动器群组710、720和730，S卩，阻止与第一复制驱动器群组610、620和630的电连接。
[0083]为了便利起见，已经描述首先选择第一复制驱动器群组610、620和630的示例。相应地，也可以首先选择第二复制驱动器群组710、720和730。
[0084]根据第一阻抗校准码CNTP的初始值来设定第一复制驱动器群组610、620和630的上拉驱动器610的电阻值。
[0085]第一阻抗校准码CNTP的值改变，直到从上拉驱动器610与参考电阻设定单元500的连接节点输出的第一电压PC0M大体上等于参考电压VREF。
[0086]因为参考电压VREF为0.5*VDD，当第一电压PC0M大体上等于参考电压VREF时，上拉驱动器610具有与参考电阻设定单元500的电阻值大体上相同的电阻值。
[0087]根据第一阻抗校准码CNTP，上拉驱动器620也具有与上拉驱动器610的电阻值大体上相同的电阻值。
[0088]根据第二阻抗校准码CNTN的初始值设定下拉驱动器630的电阻值。
[0089]第二阻抗校准码CNTN的值改变，直到从上拉驱动器620与下拉驱动器630的连接节点输出的第二电压NC0M大体上等于参考电压VREF。
[0090]因为参考电压VREF为0.5*VDD，当第二电压NC0M大体上等于参考电压VREF时，下拉驱动器630具有与上拉驱动器620的电阻值大体上相同的电阻值。
[0091]经过上述过程，第一复制驱动器群组610、620和630的电阻值校准(即，测试电极区的上拉驱动器310的电阻值校准操作)完成。
[0092]从存储系统100的外部提供位于逻辑高电平的选择信号SELB，由此激活第二复制驱动器群组710、720和730。
[0093]由于选择信号SELB位于逻辑高电平，因此选择信号