专利名称：双栅高压n型金属氧化物半导体管的制作方法
技术领域：
本发明是一种金属氧化物半导体管，尤其是双栅高压N型金属氧化物半导体管。
背景技术：
MOS(金属氧化物半导体)型高压器件具有开关特性好、功耗小等优点，更为重要的是金属氧化物半导体型高压器件易于兼容标准低压金属氧化物半导体工艺，降低芯片的生产成本。金属氧化物半导体型高压器件向着两个方向发展横向金属氧化物半导体型高压器件和垂直导电金属氧化物半导体型高压器件。其中垂直导电金属氧化物半导体型高压器件将漏区、漂移区和沟道区从硅片表面分别转移到硅片的底部和体内，与横向金属氧化物半导体型高压器件相比，单个管芯占用的硅片面积大大减小，从而在相同的版图面积上可以得到大的工作电流。目前常用的两种垂直导电金属氧化物半导体型高压器件结构是VDMOS(V型双扩散金属氧化物半导体管)和UMOS(U型金属氧化物半导体管)。
三、技术内容本发明提供一种击穿电压在50V以上、工作电流在100mA以上且与标准外延CMOS工艺相兼容的纵/横向双栅高压N型金属氧化物半导体管，它可以使相同的版图面积上的工作电流得以提高。
本发明可以采用如下技术方案一种属于高压器件的双栅高压N型金属氧化物半导体管，至少包括1个器件单元，该器件单元包括P型衬底1，在P型衬底1上有N型重掺杂埋层2，在N型重掺杂埋层之上设有N型外延层3，N型外延层3上设有深N型漏连接层4，在深N型漏连接层4上方设有N型源区5，在N型外延层3表面的非有元器件区域上设有场氧化层6，在N型外延层3表面的有源器件区域内设有P阱7，在P阱7内设有N型源区，在N型源区以外的有源器件区域上方设有多晶硅栅8且在多晶硅栅8与上述N型源区以外的有源器件区域之间设有栅氧化层9，在场氧化层6上方、多晶硅栅8上方及多晶硅栅8下方以外的其他有源器件区域I上设有氧化层10，在N型漏5、N型源区上分别设有铝引线11和12，N型源区由N型源13和14和P阱接触层15组成，P阱接触层15设在N型源13和14之间，在N型外延层3的有源器件区域内且位于N型源区和P阱7的侧旁设有孔16，在孔16内设有纵向多晶硅栅17，在纵向多晶硅栅17与孔16的内壁及孔底之间设有纵向栅氧化层18。
采用上述技术方案获得如下技术效果(1)本发明引入了纵向多晶硅栅，形成纵向沟道，再加上原来的横向沟道，使沟道密度有了成倍的提高，从而可实现大的工作电流，小的特征导通电阻。(2)引入了P型场限环，可以改善漏区与孔之间的电场分布，从而提高它们之间的击穿电压。(3)器件制造在N型外延层上，外延材料与体硅材料相比可以提供更好的击穿特性。(4)本发明所引入的孔结构以及其它工艺步骤都可以在标准低压外延CMOS(互补型金属氧化物半导体管)工艺线上实现，故本发明具有兼容性好、可靠性高、制造成本低、易产业化等优点。
四
图1是本发明实施例的器件单元结构剖视图。
图2是本发明实施例的器件单元结构俯视图。
五、具体实施方案一种属于高压器件的双栅高压N型金属氧化物半导体管，至少包括1个器件单元，该器件单元包括P型衬底1，在P型衬底1上有N型重掺杂埋层2，在N型重掺杂埋层之上设有N型外延层3，N型外延层3上设有深N型漏连接层4，在深N型漏连接层4上方设有N型源区5，在N型外延层3表面的非有元器件区域上设有场氧化层6，在N型外延层3表面的有源器件区域内设有P阱7，在P阱7内设有N型源区，在N型源区以外的有源器件区域上方设有多晶硅栅8且在多晶硅栅8与上述N型源区以外的有源器件区域之间设有栅氧化层9，在场氧化层6上方、多晶硅栅8上方及多晶硅栅8下方以外的其他有源器件区域I上设有氧化层10，在N型漏5、N型源区上分别设有铝引线11和12，N型源区由N型源13和14和P阱接触层15组成，P阱接触层15设在N型源13和14之间，在N型外延层3的有源器件区域内且位于N型源区和P阱7的侧旁设有孔16，在孔16内设有纵向多晶硅栅17，在纵向多晶硅栅17与孔16的内壁及孔底之间设有纵向栅氧化层18，上述孔16的形状可以是三角形、方形、圆形、异形或是其他形状，在N型外延层3上且位于场氧化层6的下方设有P型场限环19。
权利要求
1.一种属于高压器件的双栅高压N型金属氧化物半导体管，至少包括1个器件单元，该器件单元包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上有N型重掺杂埋层(2)，在N型重掺杂埋层之上设有N型外延层(3)，N型外延层(3)上设有深N型漏连接层(4)，在深N型漏连接层(4)上方设有N型源区(5)，在N型外延层(3)表面的非有元器件区域上设有场氧化层(6)，在N型外延层(3)表面的有源器件区域内设有P阱(7)，在P阱(7)内设有N型源区，在N型源区以外的有源器件区域上方设有多晶硅栅(8)且在多晶硅栅(8)与上述N型源区以外的有源器件区域之间设有栅氧化层(9)，在场氧化层(6)上方、多晶硅栅(8)上方及多晶硅栅(8)下方以外的其他有源器件区域(I)上设有氧化层(10)，在N型漏(5)、N型源区上分别设有铝引线(11和12)，其特征在于N型源区由N型源(13和14)和P阱接触层(15)组成，P阱接触层(15)设在N型源(13和14)之间，在N型外延层(3)的有源器件区域内且位于N型源区和P阱(7)的侧旁设有孔(16)，在孔(16)内设有纵向多晶硅栅(17)，在纵向多晶硅栅(17)与孔(16)的内壁及孔底之间设有纵向栅氧化层(18)。
2.根据权利要求1所述的双栅高压N型金属氧化物半导体管，其特征在于在N型外延层(3)上且位于场氧化层(6)的下方设有P型场限环(19)。
全文摘要
双栅高压N型金属氧化物半导体管，至少含1个器件单元，该单元含P型衬底，P型衬底上有N型重掺杂埋层，埋层上设N型外延层，外延层上设深N型漏连接层，连接层上方设N型源区，外延层表面的非有元器件区域上设场氧，外延层表面的有源器件区域内设P阱，P阱内设N型源区，N型源区以外有源器件区域上方设多晶硅栅且多晶硅栅与N型源区以外的有源器件区域间设栅氧，场氧、多晶硅栅上方及多晶硅栅下方以外的其他有源器件区域上设氧化层，在N型漏、源区上分别有铝引线，N型源区由N型源和P阱接触层组成，P阱接触层设在N型源之间，外延层有源器件区域内且位于源区和P阱的侧旁设孔，孔内设纵向多晶硅栅，纵向多晶硅栅与孔之间设纵向栅氧化层。
文档编号H01L29/66GK1527400SQ0315828
公开日2004年9月8日 申请日期2003年9月22日 优先权日2003年9月22日
发明者孙伟锋, 陆生礼, 茆邦琴, 李海松, 时龙兴 申请人:东南大学