专利名称：有机电致发光器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及有机电致发光器件及其制造方法，更具体地，涉及非晶硅薄膜晶体管用作驱动元件的有机电致发光器件及其制造方法。
背景技术：
液晶显示器件(LCD)具有重量轻、外形薄和低功率消耗的优点，已经成为吸引公众注意的平板显示器件的重要部分。
然而，由于LCD为无源器件，而不是发光器件(即有源器件)，因此在亮度、对比度、视角、大尺寸屏幕等方面具有技术限制。为此，正在积极研究能够克服LCD缺陷的新的平板显示器件。
在这样的平板显示器件中，有机电致发光器件(ELD)为自发光型显示器件，其具有高对比度和较宽的视角。与其他显示器件相比，由于有机ELD不需要背景光源，因此它可以制造成具有轻重量和薄外形。与其它显示器件相比，它还可以降低功率消耗。
进一步，有机ELD可以利用低直流电压以快速响应速率驱动。由于有机ELD的所有部件都由固体材料制成，因此在抵御外部冲击方面很耐久。它也可以在宽温度范围内使用以及以低成本制造。
特别是，由于有机ELD仅通过沉积过程和封装过程制造，因此制造过程和设备很简单，不同于制造LCD或等离子显示面板(PDP)的方法。
同样，在以有源矩阵方式，即每个像素具有薄膜晶体管作为开关元件，来驱动ELD时，即使施加低电流时，仍可以得到均匀的发光。因此，有机ELD具有低功率消耗、高清晰度和大尺寸屏幕的优点。
这种有源矩阵型有机电致发光器件(以下称作‘AMOELD’)将在下面参考所附附图描述。
图1示出了说明相关技术AMOELD的基本像素结构的电路图。
如附图中所示，栅极线GL 2沿第一方向形成，数据和电源线DL 3和VDD4沿与第一方向交叉的第二方向形成，从而限定一个单元像素区。
作为寻址元件的开关TFT 5形成在栅极线2和数据线3的每个交叉点上。存储电容CS6与开关TFT 5和电源线4连接。作为电流源元件的驱动TFT 7与存储电容CS6和电源线4连接。有机电致发光二极管8也与驱动TFT 7连接。
当电流以正向施加到有机发光材料时，电子和空穴穿过作为空穴施主的阳极和作为电子施主的阴极之间的PN结而复合。因此，有机电致发光二极管8的能量变得低于电子与空穴分离时的能量。在这一点上，产生能量差，由此发射光。
换句话说，AMOELD的单元像素基本上包括用于寻址像素电压的开关TFT 5，所述像素电压为栅极驱动电压，控制AMOELD驱动电流的驱动TFT 7，和使像素电压保持稳定的存储电容6。
有机电致发光器件可以根据有机电致发光二极管发射的光的前进方向分类为顶部发光型和底部发光型。
AMOELD中使用的TFT可以根据作为有源沟道(active channel)的半导体薄膜的状态分类为非晶硅(a-Si)TFT和多晶硅(p-Si)TFT。
最近，对AMOELD中使用具有高场效应迁移率的p-Si TFT的研究已经积极地进行，但是更一般的在AMOELD中使用a-Si TFT。
图1说明了使用a-Si TFT的AMOELD。a-Si TFT为n型a-Si TFT。因此，如图1所示，AMOELD连接到驱动TFT 7的源极(S)，电源线4连接到驱动TFT7的漏极D。
图2为说明现有技术底部发光型AMOELD的示意截面图。
如附图中所示，底部发光型AMOELD包括第一透明基板12，形成在第一透明基板12上的阵列部分14，和顺序形成在阵列部分14上并形成有机电致发光二极管的阳极16，有机发光层18和阴极。
此处，有机发光层18提供红色R，绿色G和蓝色B光。例如，发射R，G和B光的有机材料在每个像素P上形成图案。作为选择，有机发光层18可以为由有机材料构成的多层结构的形式。
换句话说，可以通过顺序沉积空穴注入层(HLL)，空穴迁移层(HTL)，发光层(EML)，和电子迁移层(ETL)，在阳极和阴极之间形成有机电致发光层18。
第一基板12与第二基板28通过密封剂26连接，在第二基板上形成吸收剂22，由此完成有机电致发光器件的封装。
吸收剂22用于去除可能渗入密封的有机电致发光器件的水分和氧气。对基板28的一部分进行蚀刻，吸收剂22填充到已蚀刻部分中并通过绝缘胶布固定。
图3为说明图1和2中现有技术AMOELD的TFT阵列部分的部分截面图。具体地，图3说明了包括TFT阵列部分的驱动TFT的区域的截面。
通常，在AMOELD中，形成在基板上的TFT阵列的每个像素都设有开关元件，驱动元件和存储电容。取决于工作特性，开关元件或驱动元件可以由多于一个TFT的组合形成。
每个开关TFT T和驱动TFT TD包括栅极，有源层(active layer)，源极和漏极。同时，AMOELD中使用的TFT可以根据起工作通道作用的半导体薄膜的状态分类为a-Si TFT和p-Si TFT。
图3说明了使用a-Si TFT的AMOELD。同时，如上所述，a-Si TFT为n型a-Si TFT。因此，AMOELD的阳极连接到驱动TFT的源极(S)。
参考图3，驱动TFT TD包括栅极30，栅极绝缘层31，源极33和漏极34。有源层32配置在源极33和漏极34之间。
同样，像素区配置成包括与源极33连接的阳极36，以单层结构或多层结构形成在阳极36上的有机发光层38，和形成在有机发光层38上用于注入电子的阴极39。阳极36将空穴注入到有机发光层38中。
具有多层结构的有机发光层38可以配置成包括HIL，HTL，EML和ETL，如上所述。
像素区以矩阵结构布置，并通过缓冲区37彼此分离。
换句话说，现有技术的AMOELD配置成包括形成在像素区上的驱动TFT TD；与源极33连接并起像素电极作用的阳极36；形成在阳极36上，用于将像素区彼此隔开的缓冲区37；在缓冲区37内由HIL，HTL，EML和ETL组成的有机发光层38；和形成在有机发光层38上的阴极39。
根据附图1到3，已知使用a-Si TFT作为驱动TFT的现有技术AMOELD配置成包括与驱动TFT TD的源极33连接的阳极36，有机发光层38和配置在阳极36上的阴极39。
换句话说，根据现有AMOELD的结构，与驱动TFT TD的源极33连接的阳极36起像素电极的作用，阴极39起配对电极，即公共电极的作用，这与阴极起像素电极的作用，阳极起公共电极的作用的一般结构相反。
因此，当AMOELD的像素以上述结构配置时，电路不稳定，因此可能引起驱动故障。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供有机电致发光器件和其制造方法，其基本上避免了由于现有技术的限制和缺陷引起的一个或多个问题。
本发明的优点在于提供有机电致发光器件和其制造方法，其中每个像素的驱动TFT由a-Si形成，有机电致发光二极管的第二电极(即阴极)与驱动TFT的漏极连接，有机电致发光二极管具有层叠结构，其与常规EL的结构相同，由此稳定且容易地驱动有机电致发光器件。
本发明另外的优点和特征将部分在下面的描述中提出，部分对于本领域的技术人员来说根据下面的描述是显而易见的，或者可以从本发明的实施中了解。通过以下的描述及其权利要求以及所附附图中所指出的具体结构，本发明的这些和其它优点可以实现和得到。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如这里具体和概括描述的，提供一种有机电致发光器件，包括在基板上的多个TFT；在包括TFT的基板上的钝化层和第一电极；穿过第一电极和钝化层预定部分的接触孔，暴露出薄膜晶体管漏极的上表面；在第一电极上表面边缘处预定部分的缓冲层；在由缓冲层所限定区域内的有机发光层；和第二电极，在有机发光层上并通过接触孔与漏极电连接。
根据本发明的另一方面，提供一种制造有机电致发光器件的方法，该方法包括在基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的基板上形成钝化层；在钝化层上形成第一电极层；在第一电极和钝化层的预定部分处穿过钝化层和第一电极层形成接触孔，暴露出薄膜晶体管的漏极上表面；在第一电极上表面的预定部分上形成缓冲层；在由缓冲层所限定区域内形成有机发光层；和在有机发光层上形成第二电极，使第二电极通过接触孔与漏极电连接。
根据本发明的另一方面，提供一种制造有机电致发光器件的方法，该方法包括在基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的基板上形成钝化层；构图钝化层形成接触孔；在钝化层上形成第一电极层；构图第一电极层形成接触孔，该接触孔相应于通过钝化层的接触孔并在第一电极和钝化层的预定部分处暴露出薄膜晶体管的漏极上表面；在第一电极上表面的预定部分上形成缓冲层；在由缓冲层所限定区域内形成有机发光层；和在有机发光层上形成第二电极，使第二电极通过接触孔与漏极电连接。
根据本发明的另一方面，提供一种制造有机电致发光器件的方法，该方法包括在基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的基板上形成钝化层；在钝化层上形成第一电极层；构图第一电极层形成接触孔；构图钝化层形成接触孔，该接触孔相应于通过第一电极层的接触孔并在第一电极和钝化层的预定部分处暴露出薄膜晶体管的漏极上表面；在第一电极上表面的预定部分上形成缓冲层；在由缓冲层所限定区域内形成有机发光层；和在有机发光层上形成第二电极，以使第二电极通过接触孔与漏极电连接。
应当理解，本发明之前的概括描述和下面的详细描述为示例性和解释性的，并如权利要求所要求保护的，意在提供本发明的进一步解释。
所附附图用于提供本发明的进一步理解，并结合在本申请中，构成本申请的一部分，这些
了本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
在附图中图1为现有技术AMOELD的基本像素结构的电路图；图2为现有技术底部发光型AMOELD的示意截面图；图3为图1和图2中AMOELD的TFT阵列部分的截面图；图4为根据本发明的AMOELD的基本像素结构的电路图；图5为包括本发明AMOELD的TFT阵列部分的该部分的截面图；
图6A到6F为说明制造本发明的AMOELD的方法的截面图；图7A到7F为说明制造本发明的AMOELD的另一方法的截面图；图8A到8F为说明制造本发明的AMOELD的另一方法的截面图。
具体实施例方式
下面将对本发明的实施例进行详细描述，这些实施例在所附附图中说明。
图4为根据本发明的AMOELD的基本像素结构的电路图。
参考图4，栅极线(GL)42沿第一方向形成，数据线(DL)43和电源线(VDD)44彼此隔开预定距离并沿与第一方向交叉的第二方向形成。像素区由栅极线42，数据线43和电源线44限定。
用作寻址元件的开关TFT 45形成在栅极线42和数据线43的每个交叉点处。存储电容CS46与开关TFT 45和电源线44连接。
用作电流源元件的驱动TFT 7与存储电容CS46和电源线44连接。有机电致发光二极管48与驱动TFT 7连接。
当电流以正向施加到有机发光材料时，电子和空穴穿过作为空穴施主的阳极和作为电子施主的阴极之间的PN结而复合。因此，有机电致发光二极管48的能量变得低于电子与空穴分离时的能量。在该点上，产生能量差，由此发射光。
即，AMOELD的基本像素结构包括用于寻址栅极驱动电压(即像素电压)的开关TFT 45，用于控制AMOELD驱动电流的驱动TFT 47，和使像素电压保持稳定的存储电容。
不同于现有技术AMOELD的结构，驱动TFT 47的漏极D连接到有机电致发光二极管48的第二电极(即阴极)，驱动TFT 47的源极S连接到电源线44。
在这一点上，驱动每个像素的TFT设有n型a-Si TFT，其具有由非晶硅形成的有源层。
通过配置具有非晶TFT的驱动TFT并将驱动TFT 47的漏极D与有机电致发光二极管的第二电极(阴极)连接，可以稳定地驱动有机电致发光器件。
即，有机电致发光二极管的第二电极(阴极)连接到驱动TFT 47的漏极D，并配置成作为像素电极，有机电致发光二极管的第一电极(阳极)配置成作为公共电极。通过这种配置，AMOELD可以稳定地驱动。
当驱动每个像素的TFT配置具有非晶TFT时，驱动TFT的宽和长比例(W/L比例)必须足够大以便驱动有机发光层，这是由于非晶硅的迁移率低于晶体硅大约0.5-1cm2/Vsec。
由于驱动TFT的W/L比例大，因此驱动TFT的尺寸必须大。然而，如果驱动TFT的尺寸太大，则存在的问题在于底部发光型有机电致发光器件的孔径比减小。
因此，可以优选使用非晶TFT的有机电致发光器件以顶部发光模式代替底部发光模式工作。
图5为本发明AMOELD的TFT阵列部分的截面图。在图5中，说明了TFT阵列部分的驱动TFT部分。
图5相应于图3所示的现有技术AMOELD的截面图。驱动TFT的源极和漏极的位置发生改变，驱动TFT的漏极不与有机电致发光二极管的第一电极(阳极)而与其第二电极(阴极)连接。
根据本发明，有机电致发光二极管不以反向的EL结构而以更常规的EL结构配置。
在常规EL结构的情况中，有机电致发光二极管通过顺序沉积第一电极(阳极)，空穴注入层(HIL)，空穴迁移层(HTL)，发光层(EML)，电子迁移层(ETL)，和第二电极(阴极)形成。
同时，反向的EL结构以相反于常规EL结构的顺序形成有机电致发光二极管。即，有机电致发光二极管通过以下顺序沉积第二电极(阴极)，电子迁移层(ETL)，发光层(EML)，空穴迁移层(HTL)，空穴注入层(HIL)，和第一电极(阳极)形成。
尽管反向的EL结构提出用于解决现有技术AMOELD的不稳定驱动问题，但是有机发光层和阳极的界面易受损害，从而可能影响器件的特性。
如上所述，现有技术AMOELD配置具有常规EL结构，其中有机电致发光二极管的第一电极形成在较低部分以便它可以连接到驱动TFT的源极。然而，本发明保留常规EL结构，但将电致发光二极管的第二电极与驱动TFT的漏极连接。
根据本发明的AMOELD的TFT阵列部分在基板上限定的每个像素处包括开关元件，驱动元件和存储电容(未示出)。开关元件或驱动元件可以取决于工作特性配置成具有一个或多个TFT。
使用a-Si TFT的AMOELD如图5所示。在该情况中，如上所述，图5所示的驱动TFT为n型。
根据现有技术，驱动TFT为n型a-Si TFT，且有机电致发光二极管的第一电极连接到驱动TFT的源极。因此，现有技术AMOELD存在的问题在于器件的驱动不稳定。然而，通过将电致发光二极管的第二电极与驱动TFT的漏极连接，同时另外保持常规EL结构，本发明可以解决该问题。
参考图5，驱动TFT TD包括形成在基板500上的栅极510，栅极绝缘层520，源极540和漏极550。有源层530形成在源极540和漏极550之间。
同样，像素区包括有机电致发光二极管的与漏极550连接的第二电极600，形成在第二电极600下方的多层或单层有机发光层590，和用于将空穴注入到有机发光层590中的第一电极570。
第二电极600用作将电子注入到有机发光层590中。
即，在形成有机电致发光二极管时，应用常规EL结构以便第一电极570，有机发光层590和第二电极600顺序形成。此处，形成在最上面部分的第二电极600连接到驱动TFT TD的漏极550。
进一步，在有机发光层590形成为多层的情况中，有机发光层590可以通过在第一电极570上以空穴注入层(HLL)，空穴迁移层(HTL)，发光层(EML)，和电子迁移层(ETL)的顺序沉积而形成。
这里，像素区以矩阵结构布置，并通过势垒肋582彼此隔开。
换句话说，根据本发明，第一电极(有机电致发光二极管的阳极)整个作为公共电极形成在基板500上，在该基板上形成有驱动TFT TD。为了暴露驱动TFT TD的漏极550，接触孔(未示出)形成在第一电极570和钝化层560上，第一电极和钝化层形成在漏极550上。
进一步，势垒肋582形成在第一电极570的预定部分上以隔开像素区。包括空穴注入层(HLL)，空穴迁移层(HTL)，发光层(EML)，和电子迁移层(ETL)的有机发光层590形成在由势垒肋582隔开的像素区内。然后，用作像素电极的第二电极600形成在有机发光层590上。并且，第二电极600和漏极550通过接触孔彼此连接。
如图所示，在各个像素区形成的第二电极600通过势垒肋582彼此分隔，第一电极570形成在除了接触孔形成区域以外的整个基板上，由此提供像素之间的连接。
下面将参考图6详细描述根据本发明的制造AMOELD的方法。
图6A到6F为说明制造本发明的AMOELD的方法的截面图。具体地，图6A到6F为说明图5所示区域，即包括TFT阵列部分的驱动TFT的区域的制造方法的截面图。
参考图6A，a-Si TFT形成在基板500上。
即，在基板500上限定的每个像素区处形成TFT作为开关元件或驱动元件。在图6中，示出在每个像素区处形成的驱动晶体管TD。
a-Si TFT包括栅极510，栅极绝缘层520，有源层530，源极540和漏极550，其顺序沉积在基板500上。
有源层530由a-Si形成，并且在该实施例的情况中，TFT为n型。
TFT通过多个掩膜工序形成。现在，通常通过一次掩膜工序形成有源层530，源极540和漏极550，以便减少制造工序。
参考图6B，钝化层560形成在包括已经形成有TFT的基板500的结构上。作为公共电极的第一电极(阳极)570形成在钝化层560上。
钝化层560可以由氮化硅层、二氧化硅层或BCB、光丙烯等形成。在该实施例中的第一电极570指有机电致发光二极管的阳极，并且可以由透明材料如铟锡氧化物(ITO)、或者有色金属如铝(Al)和铬(Cr)形成。
如果a-Si TFT用作TFT，则其尺寸变大。因此，通常使用顶部发光型来代替底部发光型。
当用作公共电极的第一电极570由透明材料如ITO形成时，优选在第一电极570的较低部分形成金属层(未示出)作为反射层。
同时，当第一电极570由有色材料如铝(Al)和铬(Cr)形成时，可以不形成反射层。
参考图6C，暴露驱动TFT TD的漏极550的接触孔572形成在钝化层560和第一电极570的一部分处，钝化层和第一电极形成在漏极550上。接触孔572用于使第二电极和漏极连接。同样，由于接触孔572仅在漏极550上方的预定部分处形成，因此第一电极570仍然保留在像素区的整个区域上。即，第一电极570形成在像素区的整个区域上，除了接触孔572形成的区域，从而提供像素之间的连接。参考图6D，缓冲层580和势垒肋582形成在第一电极570上表面的预定部分上。缓冲层580限定有机发光层形成的区域，势垒肋582分隔各个像素区。
即，缓冲层设置在像素区内有机发光层形成区域的周界处，以便有机发光层不能形成在缓冲层580以外的区域。势垒肋形成在缓冲层580上表面的预定部分上并将像素区彼此分隔。
参考图6E，有机发光层590形成在由缓冲层580限定的区域内。
有机发光层590可以为多层或单层结构，并且多层结构是常用的。在多层结构的情况中，有机发光层590包括空穴注入层(HIL)592，空穴迁移层(HTL)594，发光层(EML)596，和电子迁移层(ETL)598，这些层以上述顺序沉积在第一电极570上。
由于有机发光层590形成在由缓冲层580限定的区域内，因此它没有形成在接触孔572形成的区域处。
参考图6F，作为像素电极的第二电极600形成，以便第二电极600和漏极550通过接触孔572彼此连接。如图所示，第二电极600在每个像素区处由势垒肋582分隔。
因为顶部发光型可以应用于本发明的AMOELD，因此第二电极600可以由能够发射光或者厚度小于100的金属形成以便光可以透射通过第二电极。
图7A到7F中说明了形成AMOELD的本发明的另一实施例。
参考图7A，a-Si TFT形成在基板500上。即，在基板500上限定的每个像素区处形成TFT作为开关元件或驱动元件。作为例子，示出了驱动晶体管TD。a-Si TFT包括栅极510，栅极绝缘层520，有源层530，源极540和漏极550，其顺序沉积在基板500上。
有源层530由a-Si形成，并且在该实施例的情况中，TFT为n型。TFT通过多个掩膜工序形成。现在，通常通过一次掩膜工序形成有源层530，源极540和漏极550，以便减少制造工序。
参考图7B，钝化层760形成在TFT已经形成在基板500上的结构上。使钝化层760构图以形成接触孔762。钝化层760可以由氮化硅层、二氧化硅层或BCB、光丙烯等形成。
其后，如图7C所示，第一电极(阳极)770形成在钝化层760上并使其构图以具有相应于通过钝化层的接触孔762的接触孔。在该实施例中的第一电极770指有机电致发光二极管的阳极，并且可以由透明材料如铟锡氧化物(ITO)、或者有色材料如铝(Al)和铬(Cr)形成。漏极550上表面的一部分通过接触孔762暴露。
如上所述，关于图6的实施例，如果a-Si TFT用作TFT，则其尺寸变大。因此，通常使用顶部发光型来代替底部发光型。当用作公共电极的第一电极770由透明材料如ITO形成时，优选在第一电极770的较低部分形成金属层(未示出)作为反射层。同时，当第一电极770由有色材料如铝(Al)和铬(Cr)形成时，可以不形成反射层。
参考图7D，缓冲层780和势垒肋782形成在第一电极770上表面的预定部分上。缓冲层780围绕有机发光层形成的区域，势垒肋782分隔各个像素区。
参考图7E，有机发光层790形成在由缓冲层780限定的区域内。
有机发光层790可以为多层或单层结构，并且多层结构是常用的。在多层结构的情况中，有机发光层790包括空穴注入层(HIL)，空穴迁移层(HTL)，发光层(EML)，和电子迁移层(ETL)，这些层以上述顺序沉积在第一电极770上。
由于有机发光层790形成在由缓冲层780限定的区域内，因此它在接触孔762形成的区域处没有形成。
参考图7F，形成作为像素电极的第二电极792，使第二电极792和漏极550通过接触孔762彼此连接。如图所示，第二电极792在每个像素区处由势垒肋782分隔。
图8A到8F中说明了形成AMOELD的本发明的另一实施例。
参考图8A，a-Si TFT形成在基板500上。即，形成TFT作为基板500上限定的每个像素区处的开关元件或驱动元件。作为例子，示出了驱动晶体管TD。a-Si TFT包括栅极510，栅极绝缘层520，有源层530，源极540和漏极550，其顺序沉积在基板500上。
有源层530由a-Si形成，并且在该实施例的情况中，TFT为n型。TFT通过多个掩膜工序形成。近来，通常有源层530，源极540和漏极550通过一次掩膜工序形成，以便减少制造工序。
参考图8B，钝化层860形成在TFT已经形成在基板500上的结构上。钝化层860可以由氮化硅层、二氧化硅层或BCB、光丙烯等形成。在其后，第一电极(阳极)870形成在钝化层860上。其后，使钝化层860和第一电极870构图以形成接触孔862，暴露漏极550的一部分。在该实施例中的第一电极870指有机电致发光二极管的阳极，并且可以由透明材料如铟锡氧化物(ITO)、或者有色材料如铝(Al)和铬(Cr)形成。漏极550上表面的一部分通过接触孔862暴露。
如上所述，关于图6的实施例，如果a-Si TFT用作TFT，则其尺寸变大。因此，通常使用顶部发光型来代替底部发光型。当用作公共电极的第一电极570由透明材料如ITO形成时，优选在第一电极570的较低部分形成金属层(未示出)作为反射层。同时，当第一电极570由有色材料如铝(Al)和铬(Cr)形成时，可以不形成反射层。
参考图8D，缓冲层880和势垒肋882形成在第一电极870上表面的预定部分上。缓冲层880围绕有机发光层形成的区域，势垒肋882分隔各个像素区。
参考图8E，有机发光层890形成在由缓冲层880限定的区域内。
有机发光层890可以为多层或单层结构，并且多层结构是常用的。在多层结构的情况中，有机发光层890包括空穴注入层(HIL)，空穴迁移层(HTL)，发光层(EML)，和电子迁移层(ETL)，这些层以上述顺序沉积在第一电极870上。
由于有机发光层890形成在由缓冲层880限定的区域内，因此它在接触孔862形成的区域处没有形成。
参考图8F，作为像素电极的第二电极892形成，以便第二电极892和漏极550通过接触孔862彼此连接。如图所示，第二电极892在每个像素区处由势垒肋882分隔。
根据本发明，驱动TFT的漏极与有机电致发光二极管的第二电极连接。同样，本发明与现有技术一样保持常规EL结构，以便有机电致发光器件可以容易且稳定地驱动。
进一步，根据本发明的AMOELD，用于像素的驱动元件的TFT由非晶TFT构成，有机电致发光二极管的第二电极(阴极)与驱动TFT的漏极连接，以便有机电致发光器件可以稳定地驱动。
对本领域的技术人员显而易见的是，多种变形和变化可以在本发明中得到。因此，本发明意图覆盖这些变形和变化，只要它们在所附权利要求和其等同物的范围内。
权利要求
1.一种制造有机电致发光器件的方法，该方法包括在基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的基板上形成钝化层；在钝化层上形成第一电极层；在第一电极和钝化层的预定部分处穿过钝化层和第一电极层形成接触孔，暴露薄膜晶体管的漏极上表面；在第一电极上表面的预定部分上形成缓冲层；在由缓冲层所限定区域内形成有机发光层；和在有机发光层上形成第二电极，使第二电极通过接触孔与漏极电连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，薄膜晶体管通过顺序沉积栅极，栅极绝缘层，有源层，欧姆接触层，源极和漏极形成。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，有源层由a-Si形成，薄膜晶体管为n型。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一电极由透明导电材料ITO(铟锡氧化物)形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一电极由选自Al和Cr族的不透明材料形成。
6.根据权利要求4所述的方法，进一步包括在第一电极下方形成不透明金属层作为反射层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一电极形成在除接触孔形成的区域以外的区域上。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，缓冲层设置在有机发光层形成的像素区的周界处，
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，势垒肋形成以将像素区和其相邻像素区分隔。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，势垒肋形成在缓冲层上
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，有机发光层通过在第一电极上顺序沉积空穴注入层(HIL)，空穴迁移层(HTL)，发光层(EML)，和电子迁移层(ETL)形成。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，第二电极在每个像素区处通过势垒肋分隔。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第二电极由透明金属形成。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第二电极的厚度小于约100以便光可以透射通过第二电极。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一电极为阳极，第二电极为阴极。
16.一种有机电致发光器件，包括基板上的多个TFT；在包括TFT的基板上的钝化层和第一电极；通过第一电极和钝化层预定部分暴露薄膜晶体管漏极的上表面的接触孔；在第一电极上表面及边缘处的预定部分的缓冲层；在由缓冲层所限定区域内的有机发光层；和在有机发光层上并通过接触孔与漏极电连接的第二电极。
17.根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于，薄膜晶体管包括栅极，栅极绝缘层，有源层，欧姆接触层，源极和漏极。
18.根据权利要求17所述的有机电致发光器件，其特征在于，有源层由a-Si形成，薄膜晶体管为n型。
19.根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于，第一电极包括透明导电材料。
20.根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于，第一电极包括选自Al和Cr族的不透明材料。
21.根据权利要求19所述的有机电致发光器件，进一步包括在第一电极下方的不透明金属层作为反射层。
22.根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于，第一电极形成在除接触孔形成的区域以外的区域上。
23.根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于，缓冲层设置在形成有机发光层的像素区的周界处，
24.根据权利要求23所述的有机电致发光器件，进一步包括分隔相邻像素区的势垒肋。
25.根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于，有机发光层包括第一电极上的空穴注入层(HIL)，空穴迁移层(HTL)，发光层(EML)，和电子迁移层(ETL)。
26.根据权利要求24所述的有机电致发光器件，其特征在于，第二电极在每个像素区通过势垒肋分隔。
27.根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于，第二电极包括透明金属。
28.根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于，第二电极的厚度小于100以便光可以透射通过第二电极。
29根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于，第一电极为阳极，第二电极为阴极。
30.一种制造有机电致发光器件所述的方法，该方法包括在基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的基板上形成钝化层；构图钝化层以形成接触孔；在钝化层上形成第一电极层；构图第一电极层以形成接触孔，该接触孔相应于通过钝化层的接触孔并在第一电极和钝化层的预定部分处暴露薄膜晶体管的漏极上表面；在第一电极上表面的预定部分上形成缓冲层；在由缓冲层所限定区域内形成有机发光层；和在有机发光层上形成第二电极，使第二电极通过接触孔与漏极电连接。
31.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，薄膜晶体管通过顺序沉积栅极，栅极绝缘层，有源层，欧姆接触层，源极和漏极形成。
32.根据权利要求31所述的方法，其特征在于，有源层由a-Si形成，薄膜晶体管为n型。
33.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，第一电极由透明导电材料ITO(铟锡氧化物)形成。
34.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，第一电极由选自Al和Cr族的不透明材料形成。
35.根据权利要求33所述的方法，进一步包括在第一电极下方形成不透明金属层作为反射层。
36.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，第一电极形成在除接触孔形成的区域以外的区域上。
37.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，缓冲层设置在形成有机发光层的像素区的周界处，
38.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，势垒肋形成以将像素区和其相邻像素区分隔。
39.根据权利要求38所述的方法，其特征在于，势垒肋形成在缓冲层上
40.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，有机发光层通过在第一电极上顺序沉积空穴注入层(HIL)，空穴迁移层(HTL)，发光层(EML)，和电子迁移层(ETL)形成。
41.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，第二电极在每个像素区处通过势垒肋分隔。
42.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，第二电极由透明金属形成。
43.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，第二电极的厚度小于约100以便光可以透射通过第二电极。
44.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，第一电极为阳极，第二电极为阴极。
45.一种制造有机电致发光器件所述的方法，该方法包括在基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的基板上形成钝化层；在钝化层上形成第一电极层；构图第一电极层以形成接触孔；构图钝化层以形成接触孔，该接触孔相应于通过第一电极层的接触孔并在第一电极和钝化层的预定部分处暴露薄膜晶体管的漏极上表面；在第一电极上表面的预定部分上形成缓冲层；在由缓冲层所限定区域内形成有机发光层；和在有机发光层上形成第二电极，使第二电极通过接触孔与漏极电连接。
46.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，薄膜晶体管通过顺序沉积栅极，栅极绝缘层，有源层，欧姆接触层，源极和漏极形成。
47.根据权利要求46所述的方法，其特征在于，有源层由a-Si形成，薄膜晶体管为n型。
48.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，第一电极由透明导电材料ITO(铟锡氧化物)形成。
49.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，第一电极由选自Al和Cr族的不透明材料形成。
50.根据权利要求48所述的方法，进一步包括在第一电极下方形成不透明金属层作为反射层。
51.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，第一电极形成在除接触孔形成的区域以外的区域上。
52.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，缓冲层设置在有机发光层形成的像素区的周界处，
53.根据权利要求52所述的方法，其特征在于，势垒肋形成以将像素区和其相邻像素区分隔。
54.根据权利要求53所述的方法，其特征在于，势垒肋形成在缓冲层上。
55.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，有机发光层通过在第一电极上顺序沉积空穴注入层(HIL)，空穴迁移层(HTL)，发光层(EML)，和电子迁移层(ETL)形成。
56.根据权利要求52所述的方法，其特征在于，第二电极在每个像素区处通过势垒肋分隔。
57.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，第二电极由透明金属形成。
58.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，第二电极的厚度小于约100以便光可以透射通过第二电极。
59.根据权利要求45所述的方法，其特征在于，第一电极为阳极，第二电极为阴极。
全文摘要
本发明提供一种制造有机电致发光器件的方法，该方法包括在基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的基板上形成钝化层和第一电极；在第一电极和钝化层的预定部分处形成接触孔，暴露薄膜晶体管的漏极上表面；在第一电极上表面的预定部分上形成缓冲层和势垒肋；在由缓冲层所限定区域内形成有机发光层；和在有机发光层上形成第二电极，以便第二电极通过接触孔与漏极电连接。
文档编号H01L51/52GK1674728SQ20041009170
公开日2005年9月28日 申请日期2004年11月25日 优先权日2004年3月24日
发明者裵晟埈, 李在允 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社