专利名称：场效应晶体管器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种场效应晶体管器件。
背景技术：
在电子线路的设计上，例如电源线路部份通常会使用场效应晶体管器件来作为开关组件，如图1所示，为一现有场效应晶体管器件10的示意图，其包括一晶体管本体Q、一栅极G、一源极S及一漏极D，有时还会在源极S及漏极D之间串联一二极管DS。当该场效应晶体管器件10设于电路中时，其漏极D处的电压波形可能为图2所示，当该电压波形的峰值超过该场效应晶体管器件10的规格时，就有可能会导致该场效应晶体管器件10被击穿而烧毁的情况发生。
发明内容
鉴于上述内容，有必要提供一种具有自身保护机制的场效应晶体管器件。一种场效应晶体管器件，包括一晶体管本体、一栅极、一源极、一漏极、一电容及一电阻，该电容及电阻串联后连接在该栅极及源极之间，且该电容及电阻通过封装形式与该晶体管本体、栅极、源极及漏极整合在一起。上述的场效应晶体管器件通过在栅极及源极之间串接该电容及电阻组件，可有效避免被击穿而导致烧毁的情况发生，且由于该电容及电阻是封装于该场效应晶体管器件内部，故不会占用电路板的布线空间，并且成本上也较单独设置于电路板上的电阻及电容组件要低。
下面参照附图结合较佳实施方式对本发明作进一步详细描述图1为现有场效应晶体管器件的示意图。图2为图1场效应晶体管器件的漏极处的电压波形图。图3为本发明场效应晶体管器件较佳实施方式的示意图。图4为图3场效应晶体管器件在与图1场效应晶体管器件同等条件下时的漏极处
的电压波形图。主要元件符号说明场效应晶体管器件20晶体管本体Ql栅极Gl源极Sl漏极Dl二极管DSl电容Cl
电阻Rl
具体实施例方式请参考图3，本发明场效应晶体管器件20的较佳实施方式包括一晶体管本体Q1、 一栅极Gl、一源极Si、一漏极Dl、一二极管DSl、一电容Cl及一电阻Rl，该二极管DSl串联在该源极Sl及漏极Dl之间，其中该晶体管本体Q1、栅极G1、源极Si、漏极D1、二极管DSl 的内部具体结构均为现有技术，故这里不详细说明。该电容Cl及电阻Rl串联后连接在该栅极Gl及源极Sl之间，且上述所有组件系通过封装形式整合在一起，作为该场效应晶体管器件20。请参考图4，在与图2同等条件下该场效应晶体管器件20设于电路中时，其漏极 Dl处的电压波形的峰值要明显小于现有场效应晶体管器件10的漏极D处的电压波形的峰值，因此，本发明该场效应晶体管器件20通过自身在栅极Gl及源极Sl之间设置的电容Cl 与电阻Rl串联的电路即可有效降低电压峰值，从而可避免被击穿而导致烧毁的情况发生。 同时，由于该电容Cl及电阻Rl是通过封装形式整合该场效应晶体管器件20内部的，故相较于在外部设置单独的电容及电阻组件的成本要低很多，因此可节省成本。
权利要求
1.一种场效应晶体管器件，包括一晶体管本体、一栅极、一源极及一漏极，其特征在于 该场效应晶体管器件还包括一电容及一电阻，该电容及电阻串联后连接在该栅极及源极之间，且该电容及电阻通过封装形式与该晶体管本体、栅极、源极及漏极整合在一起。
2.如权利要求1所述的场效应晶体管器件，其特征在于该源极及漏极之间还串联一二极管。
全文摘要
一种场效应晶体管器件，包括一晶体管本体、一栅极、一源极、一漏极、一电容及一电阻，该电容及电阻串联后连接在该栅极及源极之间，且该电容及电阻通过封装形式与该晶体管本体、栅极、源极及漏极整合在一起。该场效应晶体管器件具有自身保护机制。
文档编号H01L25/00GK102386170SQ201010272099
公开日2012年3月21日 申请日期2010年9月3日 优先权日2010年9月3日
发明者柳志达 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司