专利名称：穿透式有机电致发光器件及其制备方法
穿透式有机电致发光器件及其制备方法
技术领域：
本发明涉及电致发光领域，尤其涉及一种穿透式有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术：
1987年，美国Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层小分子有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中，IOV下亮度达到lOOOcd/m2，其发光效率为
I.511m/W、寿命大于100小时。1990年,英国剑桥大学Burronghes等人首次提出用高分子共轭聚合物聚苯撑乙烯(PPV)制成聚合物电致发光(EL)器件，随后，美国加洲大学Heeger教授领导的实验组于1991年进一步确证了聚合物电致发光特性，并进行了改进。从此有机 发光器件的研究开辟了一个全新的领域-聚合物电致发光器件(PLED)。自此，有机发光二极管在短短的十几年内得到了迅速的发展。OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。而由于空穴和电子的传输速率不一致，往往导致了电子-空穴的复合几率偏低，器件的亮度与效率得不到提高，因此为了有效的调节电子和空穴的注入和传输速率，平衡载流子，控制复合区域，以获得理想的发光亮度和发光效率，通常在器件中加入了载流子注入层来改善载流子的注入效率，这种器件结构不但保证了有机功能层与导电基底间的良好附着性，而且还使得来自阳极和金属阴极的载流子更容易的注入到有机功能薄膜中。传统的穿透式OLED使用透明ITO (铟锡氧化物)薄膜，搭配透明阴极，使得器件的两面都会发光。传统的穿透式OLED的阳极一般采用ITO通过溅射的方法制备在衬底上，制备工艺较为复杂。
发明内容基于此，有必要提供一种制备工艺较为简单的穿透式有机电致发光器件及其制备方法。一种穿透式有机电致发光器件，包括透明基底、阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极中间的有机电致发光层；所述阳极设置在所述透明基底一个表面上，包括用于提高所述阳极的电导率的第一阳极辅助层和第二阳极辅助层，以及位于所述第一阳极辅助层和所述第二阳极辅助层中间的阳极金属层；所述第一阳极辅助层比所述第二阳极辅助层更靠近所述透明基板。优选的，所述第一阳极辅助层的材质为金属化合物或有机小分子；所述第二阳极辅助层的材质为所述金属化合物或所述有机小分子。
优选的，所述金属化合物为MoO3、ZnS、ZnSe、VOx或WOx ；所述有机小分子为N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺、8-羟基喹啉铝、酞菁铜或2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-I，10-菲罗啉。优选的，所述第一阳极辅助层的厚度为IOnm 80nm ;所述第二阳极辅助层的厚度为IOnm 80nm。优选的，所述阳极金属层的材质为铝、银、钙、钼或金，厚度为5nm 30nm。优选的，所述阴极包括用于提高所述阴极的电导率的第一阴极辅助层和第二阴极辅助层，以及位于所述第一阴极辅助层和所述第二阴极辅助层中间的阴极金属层；所述第一阴极辅助层比所述第二阴极辅助层更靠近所述透明基板。优选的，所述第一阴极辅助层的材质为金属化合物或有机小分子，厚度为IOnm 60nm ；所述第二阴极辅助层的材质为所述金属化合物或所述有机小分子，厚度为IOnm IOOnm0优选的，所述金属化合物为Mo03、ZnS、ZnSe, VOx或WOx ；所述有机小分子为N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺、
8-羟基喹啉铝、酞菁铜或2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-I，10-菲罗啉。优选的,所述阴极金属层的材质为招、银、 丐、钼或金,厚度为nm 5 20nm。一种穿透式有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤步骤一、提供透明基底，并对所述透明基底进行清洗；步骤二、在所述透明基底一个表面蒸镀依次蒸镀第一阳极辅助层、阳极金属层和第二阳极辅助层得到包括第一阳极辅助层、阳极金属层和第二阳极辅助层的阳极；其中，所述第一阳极辅助层和第二阳极辅助层用于提高所述阳极的电导率；步骤三、在所述第二阳极辅助层表面蒸镀有机电致发光层；步骤四、在所述有机电致发光层表面蒸镀阴极，得到所述穿透式有机电致发光器件。这种穿透式有机电致发光器件的阳极包括提高阳极的电导率的第一阳极辅助层和第二阳极辅助层，以及位于第一阳极辅助层和第二阳极辅助层中间的阳极金属层，相对于传统穿透式有机电致发光器件需要将铟锡氧化物通过溅射的方法制备在衬底上形成阳极，这种穿透式有机电致发光器件只需要简单蒸镀就可以形成阳极，制备工艺较为简单。
图I为一实施方式的穿透式有机电致发光器件的结构示意图；图2为图I示穿透式有机电致发光器件的制备流程图；图3为实施例I和对比例制得的穿透式有机电致发光器件的底发射的电流密度-能量效率图；图4为实施例I和对比例制得的穿透式有机电致发光器件的顶发射的电流密度-能量效率图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对穿透式有机电致发光器件及其制备方法做进一步的描述。如图I所示的一实施方式的穿透式有机电致发光器件，包括透明基底、包括用于提高阳极的电导率的第一阳极辅助层和第二阳极辅助层，以及位于第一阳极辅助层和第二阳极辅助层中间的阳极金属层的阳极、阴极以及位于阳极和阴极中间的有机电致发光层。一般的，透明基底可以选择玻璃。阳极设置在透明基底一个表面上，第一阳极辅助层比第二阳极辅助层更靠近透明基板。第一阳极辅助层的材质为金属化合物或有机小分子，厚度为IOnm 80nm。
第二阳极辅助层的材质为所述金属化合物或所述有机小分子，厚度为IOnm 80nm。所述金属化合物为MoO3、ZnS、ZnSe、VOx或WOx。VOx 可以为 V2O5, VO，V2O4。WOx 可以为 W03。所述有机小分子为N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基_4，4’ -联苯二胺(TH))、8_羟基喹啉铝(Alq3)、酞菁铜(CuPc)或2，9_ 二甲基_4，7-二苯基_1，10-菲罗啉(BCP)。第一阳极辅助层和第二阳极辅助层材质和厚度可以相同，也可以不相同。阳极金属层的材质为具有高导电性和高透过率特点的铝、银、钙、钼或金，厚度为5nm 30nmo这种穿透式有机电致发光器件的阳极包括提高阳极的电导率的第一阳极辅助层和第二阳极辅助层，以及位于第一阳极辅助层和第二阳极辅助层中间的阳极金属层，相对于传统穿透式有机电致发光器件需要将铟锡氧化物通过溅射的方法制备在衬底上形成阳极，只需要蒸镀就可以，制备工艺较为简单。不需要使用稀有金属铟和带有毒性的锡，使成本降低，同时由于阳极辅助层的存在，可以获得与传统有机电致发光器件的阳极相近的透过率和电阻系数，利于应用。本实施方式中，阴极包括用于提高阴极的电导率的第一阴极辅助层和第二阴极辅助层，以及位于第一阴极辅助层和第二阴极辅助层中间的阴极金属层；第一阴极辅助层比第二阴极辅助层更靠近透明基板。第一阴极辅助层的材质为金属化合物或有机小分子,厚度为IOnm 60nm。第二阴极辅助层的材质为所述金属化合物或所述有机小分子，厚度为IOnm lOOnm。所述金属化合物为MoO3、ZnS、ZnSe、VOx或WOx。VOx 可以为 V2O5, VO，V2O4。WOx 可以为 W03。所述有机小分子为N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基_4，4’ -联苯二胺、
8-羟基喹啉铝、酞菁铜或2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-I，10-菲罗啉。第一阴极辅助层和第二阴极辅助层材质和厚度可以相同，也可以不相同。阴极金属层的材质为具有高导电性和高透过率特点的铝、银、钙、钼或金，厚度为5nm 20nmo这种穿透式有机电致发光器件的阴极包括用于提高阴极的电导率的第一阴极辅助层和第二阴极辅助层，以及位于第一阴极辅助层和第二阴极辅助层中间的阴极金属层，采用这种层状结构的阴极可以获得良好的透过率和电导率，增大了器件顶端光的输出。本实施方式中的穿透式有机电致发光器件的有机电致发光层包括依次层叠的如下结构空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。其中，有机电致发光层可以仅包括发光层，其余空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层等各层结构可以按照需要添加，也可以选择不添加。空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层等均使用本领域技术人员公知的材料和制备方法。空穴注入层的材质可以为三氧化钥(MoO3)、三氧化钨(WO3)、钒氧化物(VOx)，厚度为IOnm 60nm。VOx可以为五氧化二钥；(V2O5)。
空穴传输层与电子阻挡层的材质可以为1，1_ 二 [4_[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’_ 二(3-甲基苯基)-N，N’_ 二苯基-4，4’_联苯二胺(TH))、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ -(I-萘基)-N，N’- 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁铜CuPc。空穴传输层的厚度为20nm 80nm，电子阻挡层的厚度为3nm 10nm。空穴传输层的材质优选为NPB,厚度优选为40nm。电子阻挡层的材质优选为TAPC，厚度优选为5nm。电子传输层与空穴阻挡层的材质可以为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-I,3，4-噁二唑(PBD)、8_ 羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(I-萘基)_1，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。电子传输层的厚度为40nm 80nm,空穴阻挡层的厚度为3nm 10nm。电子传输层的材质优选为Bphen,厚度优选为60nm。空穴阻挡层的材质优选为TPBi,厚度优选为5nm。发光层的材质可以为四-叔丁基二萘嵌苯(TBP)、4-( 二腈甲基)-2_ 丁基_6_(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亚萘基蒽(AND)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝(BALQ)、4-( 二腈甲烯基)-2-异丙基-6-(1，1，
7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8_羟基喹啉铝(Alq3)、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4，6_ 二氟苯基吡啶)_四(I-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二(I-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (piq) 2 (acac))、乙酰丙酮酸二(2-苯基批唳)铱(Ir (ppy)2(acac))、三(I-苯基-异喹啉)合铱(Ir (piq)3)或三(2-苯基批唳)合铱(Ir(ppy)3)的至少一种,厚度为5nm 30nm。对磷光发光材料而言,发光层可以是与空穴传输材料或电子传输材料的一种或两种进行混合掺杂制备，其掺杂比例为1% 20% ;对突光发光材料而言,则可以选择单独的发光材料作为发光层(如Alq3)。电子注入层的材质可以为Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2*NaF，厚度为O. 5nm 5nm。电子注入层也可米用以上材料与电子传输材料的掺杂，掺杂比例为20 60%,厚度为20nm 60nm。电子注入层的材质优选为掺杂了 CsN3的Bphen,掺杂比例优选为20%,厚度优选为40nm。如图2所示的穿透式有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤
S10、提供透明基底，并对透明基底进行清洗。 一般的，透明基底可以选择玻璃。将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min清洗，以去除玻璃表面的有机污染物。S20、在透明基底一个表面蒸镀包括第一阳极辅助层、阳极金属层和第二阳极辅助层的阳极。依次蒸镀第一阳极辅助层、阳极金属层和第二阳极辅助层得到阳极。第一阳极辅助层和第二阳极辅助层用于提高阳极的电导率。S30、在第二阳极辅助层表面蒸镀有机电致发光层。本实施方式中的穿透式有机电致发光器件的有机电致发光层包括依次层叠的如 下结构电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层。其中，有机电致发光层可以仅包括发光层，其余电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、空穴传输层等各层结构可以按照需要添加，也可以选择不添加。S40、在有机电致发光层表面蒸镀阴极，得到穿透式有机电致发光器件。依次蒸镀第一阴极辅助层、阴极金属层和第二阴极辅助层，得到包括第一阴极辅助层、阴极金属层和第二阴极辅助层的阴极。第一阴极辅助层和第二阴极辅助层用于提高阴极的电导率。这种穿透式有机电致发光器件的制备方法，相对于传统的采用铟锡氧化物通过溅射的方法制备在衬底上作为阳极的有机电致发光器件，工艺简单且容易控制，更有利于应用。以下为具体实施例部分，所用到的制备与测试仪器为高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强< I X 10_3Pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司，型号PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学，型号ST-86LA)。实施例I将玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇分别进行超声处理15min，去除玻璃表面的有机污染物，处理完后放进真空镀膜室里面依次蒸镀第一阳极辅助层材质为ZnS,厚度为60nm、阳极金属层材质为Ag,厚度为20nm以及第二阳极辅助层材质为MoO3，厚度为30nm，得到阳极。接着依次蒸镀空穴注入层材质为MoO3，厚度为20nm、空穴传输层材质为NPB，厚度为40nm、电子阻挡层材质为TAPC，厚度为5nm、发光层材质为Alq3,厚度为30nm、空穴阻挡层材质为TPBi,厚度为5nm、电子传输层材质为Bphen,厚度为60nm以及电子注入层材质为掺杂了 CsN3的Bphen，其中CsN3的掺杂质量比例为20%，厚度为40nm，得到有机电致发光层。最后依次蒸镀第一阴极辅助层材质为Alq3，厚度为40nm、阴极金属层材质为Ag,厚度为20nm以及第二阴极辅助层材质为TPD,厚度为60nm,得到阴极。从而制得所需的穿透式有机电致发光器件。实施例2将玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇分别进行超声处理15min，去除玻璃表面的有机污染物，处理完后放进真空镀膜室里面依次蒸镀第一阳极辅助层材质为ZnS,厚度为60nm、阳极金属层材质为Ag,厚度为IOnm以及第二阳极辅助层材质为MoO3,厚度为40nm,得到阳极。接着依次蒸镀空穴注入层材质为MoO3,厚度为30nm、空穴传输层材质为NPB，厚度为20nm、电子阻挡层材质为TAPC，厚度为3nm、发光层材质为Alq3,厚度为5nm、空穴阻挡层材质为TPBi,厚度为10nm、电子传输层材质为Bphen,厚度为40nm以及电子注入层材质为掺杂了 CsN3的Bphen，其中CsN3的掺杂质量比例为20%，厚度为60nm，得到有机电致发光层。最后依次蒸镀第一阴极辅助层材质为Alq3，厚度为40nm、阴极金属层材质为Ag,厚度为20nm以及第二阴极辅助层材质为Alq3,厚度为60nm,得到阴极。从而制得所需的穿透式有机电致发光器件。实施例3 将玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇分别进行超声处理15min，去除玻璃表面的有机污染物，处理完后放进真空镀膜室里面依次蒸镀第一阳极辅助层材质为MoO3,厚度为45nm、阳极金属层材质为Al,厚度为IOnm以及第二阳极辅助层材质为MoO3,厚度为30nm,得到阳极。接着依次蒸镀空穴注入层材质为MoO3,厚度为60nm、空穴传输层材质为NPB，厚度为30nm、电子阻挡层材质为TAPC，厚度为10nm、发光层材质为Alq3,厚度为30nm、空穴阻挡层材质为TPBi,厚度为5nm、电子传输层材质为Bphen,厚度为60nm以及电子注入层材质为CsN3，厚度为5nm，得到有机电致发光层。最后依次蒸镀第一阴极辅助层材质为BCP,厚度为10nm、阴极金属层材质为Al,厚度为5nm以及第二阴极辅助层材质为TPD，厚度为60nm，得到阴极。从而制得所需的穿透式有机电致发光器件。实施例4将玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇分别进行超声处理15min，去除玻璃表面的有机污染物，处理完后放进真空镀膜室里面依次蒸镀第一阳极辅助层材质为ZnS,厚度为30nm、阳极金属层材质为Ag,厚度为5nm以及第二阳极辅助层材质为MoO3，厚度为50nm，得到阳极。接着依次蒸镀空穴注入层材质为WO3，厚度为20nm、空穴传输层材质为TCTA，厚度为50nm、电子阻挡层材质为TPD，厚度为5nm、发光层材质为TBP，厚度为25nm、空穴阻挡层材质为BND，厚度为7nm、电子传输层材质为Bphen，厚度为40nm以及电子注入层材质为LiF，厚度为O. 5nm，得到有机电致发光层。最后依次蒸镀第一阴极辅助层材质为Alq3,厚度为20nm、阴极金属层材质为Ag,厚度为IOnm以及第二阴极辅助层材质为TPD，厚度为80nm，得到阴极。从而制得所需的穿透式有机电致发光器件。实施例5将玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇分别进行超声处理15min,去除玻璃表面的有机污染物，处理完后放进真空镀膜室里面依次蒸镀第一阳极辅助层材质为ZnS,厚度为50nm、阳极金属层材质为Ag,厚度为30nm以及第二阳极辅助层材质为MoO3，厚度为80nm，得到阳极。接着依次蒸镀空穴注入层材质为MoO3，厚度为20nm、空穴传输层材质为TDAPB，厚度为80nm、电子阻挡层材质为TAPC，厚度为5nm、发光层材质为DCJTI，厚度为5nm、空穴阻挡层材质为TPBi，厚度为5nm、电子传输层材质为Bphen，厚度为SOnm以及电子注入层材质为CsF，厚度为3nm，得到有机电致发光层。最后依次蒸镀第一阴极辅助层材质为Alq3,厚度为60nm、阴极金属层材质为Ag,厚度为20nm以及第二阴极辅助层材质为TPD，厚度为lOOnm，得到阴极。从而制得所需的穿透式有机电致发光器件。
实施例6将玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇分别进行超声处理15min，去除玻璃表面的有机污染物，处理完后放进真空镀膜室里面依次蒸镀第一阳极辅助层材质为ZnS，厚度为80nm、阳极金属层材质为Ag，厚度为25nm以及第二阳极辅助层材质为MoO3,厚度为IOnm,得到阳极。接着依次蒸镀空穴注入层材质为WO3,厚度为30nm、空穴传输层材质为CuPc,厚度为65nm、电子阻挡层材质为TAPC,厚度为5nm、发光层材质为Alq3,厚度为15nm、空穴阻挡层材质为TPBi,厚度为5nm、电子传输层材质为Bphen,厚度为80nm以及电子注入层材质为掺杂了 CsN3的Bphen，其中CsN3的掺杂质量比例为20%，厚度为55nm，得到有机电致发光层。最后依次蒸镀第一阴极辅助层材质为Alq3，厚度为10nm、阴极金属层材质为Ag,厚度为15nm以及第二阴极辅助层材质为TPD,厚度为10nm，得到阴极。从而制得所需的穿透式有机电致发光器件。实施例7
将玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇分别进行超声处理15min，去除玻璃表面的有机污染物，处理完后放进真空镀膜室里面依次蒸镀第一阳极辅助层材质为ZnSe,厚度为60nm、阳极金属层材质为Au,厚度为12nm以及第二阳极辅助层材质为WO3,厚度为30nm,得到阳极。接着依次蒸镀空穴注入层材质为MoO3,厚度为40nm、空穴传输层材质为NPB，厚度为40nm、电子阻挡层材质为TAPC，厚度为5nm、发光层材质为Alq3,厚度为10nm、空穴阻挡层材质为TPBi,厚度为5nm、电子传输层材质为Bphen,厚度为70nm以及电子注入层材质为掺杂了 CsN3的Bphen，其中CsN3的掺杂质量比例为20%，厚度为40nm，得到有机电致发光层。最后依次蒸镀第一阴极辅助层材质为Alq3，厚度为15nm、阴极金属层材质为Pt,厚度为15nm以及第二阴极辅助层材质为CuPc,厚度为50nm,得到阴极。从而制得所需的穿透式有机电致发光器件。实施例8将玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇分别进行超声处理15min，去除玻璃表面的有机污染物，处理完后放进真空镀膜室里面依次蒸镀第一阳极辅助层材质为TPD，厚度为18nm、阳极金属层材质为Ag，厚度为20nm以及第二阳极辅助层材质为V2O5,厚度为60nm，得到阳极。接着依次蒸镀空穴注入层材质为MoO3，厚度为20nm、空穴传输层材质为NPB，厚度为40nm、电子阻挡层材质为TAPC，厚度为5nm、发光层材质为Alq3，厚度为20nm、空穴阻挡层材质为TPBi，厚度为5nm、电子传输层材质为TPQ，厚度为50nm以及电子注入层材质为掺杂了 CsN3的Bphen，其中CsN3的掺杂质量比例为20%，厚度为20nm，得到有机电致发光层。最后依次蒸镀第一阴极辅助层材质为Alq3，厚度为25nm、阴极金属层材质为Ga,厚度为IOnm以及第二阴极辅助层材质为MoO3,厚度为IOnm,得到阴极。从而制得所需的穿透式有机电致发光器件。实施例9将玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇分别进行超声处理15min，去除玻璃表面的有机污染物，处理完后放进真空镀膜室里面依次蒸镀第一阳极辅助层材质为Alq3,厚度为35nm、阳极金属层材质为Al,厚度为20nm以及第二阳极辅助层材质为MoO3,厚度为45nm,得到阳极。接着依次蒸镀空穴注入层材质为MoO3,厚度为20nm、空穴传输层材质为NPB，厚度为40nm、电子阻挡层材质为TAPC，厚度为5nm、发光层材质为Alq3,厚度为8nm、空穴阻挡层材质为TPBi,厚度为5nm、电子传输层材质为Bphen,厚度为40nm以及电子注入层材质为掺杂了 CsN3的Bphen，其中CsN3的掺杂质量比例为20%，厚度为50nm，得到有机电致发光层。最后依次蒸镀第一阴极辅助层材质为Alq3，厚度为35nm、阴极金属层材质为Ag,厚度为20nm以及第二阴极辅助层材质为ZnS,厚度为70nm,得到阴极。从而制得所需的穿透式有机电致发光器件。实施例10将玻璃基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇分别进行超声处理15min，去除玻璃表面的有机污染物，处理完后放进真空镀膜室里面依次蒸镀第一阳极辅助层材质为CuPc，厚度为38nm、阳极金属层材质为Ag，厚度为ISnm以及第二阳极辅助层材质为CuPc,厚度为40nm,得到阳极。接着依次蒸镀空穴注入层材质为MoO3,厚度为20nm、空穴传输层材质为NPB，厚度为40nm、电子阻挡层材质为TAPC，厚度为5nm、发光层材质为Alq3,厚度为18nm、空穴阻挡层材质为TPBi,厚度为5nm、电子传输层材质为Bphen,厚度为60nm以及电子注入层材质为掺杂了 CsN3的Bphen，其中CsN3的掺杂质量比例为 20%，厚度为45nm，得到有机电致发光层。最后依次蒸镀第一阴极辅助层材质为Alq3，厚度为5nm、阴极金属层材质为Au,厚度为IOnm以及第二阴极辅助层材质为ZnSe,厚度为lOOnm，得到阴极。从而制得所需的穿透式有机电致发光器件。对比例选择120nm厚的ITO作为基底，清洗后依次蒸镀材质为MoO3，厚度为25nm、空穴传输层材质为NPD,厚度为40nm、电子阻挡层材质为TAPC,厚度为5nm、发光层材质为Alq3,厚度为20nm、空穴阻挡层材质为TPBi,厚度为5nm、电子传输层材质为Bphen,厚度为60nm以及电子注入层材质为掺杂了 CsN3的Bphen，CsN3的掺杂比例为20%，厚度为40nm，得到有机电致发光层。最后蒸镀材质为20nm厚的Ag作为阴极，从而制得所需的穿透式有机电致发光器件。如图3所示的实施例I和对比例制得的穿透式有机电致发光器件的底发射的电流密度-能量效率图。由图中可以看出，底发射条件下，在相同的电流密度下，实施例I制得的穿透式有机电致发光器件的能量效率明显高于对比例制得的穿透式有机电致发光器件的能量效率。如图4所示的实施例I和对比例制得的穿透式有机电致发光器件的顶发射的电流密度-能量效率图。由图中可以看出，顶发射条件下，在相同的电流密度下，实施例I制得的穿透式有机电致发光器件的能量效率明显高于对比例制得的穿透式有机电致发光器件的能量效率。以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种穿透式有机电致发光器件，其特征在于，包括透明基底、阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极中间的有机电致发光层； 所述阳极设置在所述透明基底一个表面上，包括用于提高所述阳极的电导率的第一阳极辅助层和第二阳极辅助层，以及位于所述第一阳极辅助层和所述第二阳极辅助层中间的阳极金属层；所述第一阳极辅助层比所述第二阳极辅助层更靠近所述透明基板。
2.如权利要求I所述的穿透式有机电致发光器件，其特征在于，所述第一阳极辅助层的材质为金属化合物或有机小分子； 所述第二阳极辅助层的材质为所述金属化合物或所述有机小分子。
3.如权利要求2所述的穿透式有机电致发光器件，其特征在于，所述金属化合物为Mo03、ZnS、ZnSe、V0x*W0x ； 所述有机小分子为N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺、8-羟基喹啉铝、酞菁铜或2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉。
4.如权利要求I所述的穿透式有机电致发光器件，其特征在于，所述第一阳极辅助层的厚度为IOnm 80nm ;所述第二阳极辅助层的厚度为IOnm 80nm。
5.如权利要求I所述的穿透式有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极金属层的材质为招、银、1丐、钼或金，厚度为5nm 30nm。
6.如权利要求I所述的穿透式有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极包括用于提高所述阴极的电导率的第一阴极辅助层和第二阴极辅助层，以及位于所述第一阴极辅助层和所述第二阴极辅助层中间的阴极金属层；所述第一阴极辅助层比所述第二阴极辅助层更靠近所述透明基板。
7.如权利要求6所述的穿透式有机电致发光器件，其特征在于，所述第一阴极辅助层的材质为金属化合物或有机小分子，厚度为IOnm 60nm ； 所述第二阴极辅助层的材质为所述金属化合物或所述有机小分子，厚度为IOnm lOOnm。
8.如权利要求7所述的穿透式有机电致发光器件，其特征在于，所述金属化合物为Mo03、ZnS、ZnSe、V0x*W0x ； 所述有机小分子为N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺、8-羟基喹啉铝、酞菁铜或2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉。
9.如权利要求6所述的穿透式有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极金属层的材质为招、银、1丐、钼或金,厚度为5nm 20nm。
10.一种穿透式有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 步骤一、提供透明基底，并对所述透明基底进行清洗； 步骤二、在所述透明基底一个表面依次蒸镀第一阳极辅助层、阳极金属层和第二阳极辅助层得到包括第一阳极辅助层、阳极金属层和第二阳极辅助层的阳极；其中，所述第一阳极辅助层和第二阳极辅助层用于提高所述阳极的电导率； 步骤三、在所述第二阳极辅助层表面蒸镀有机电致发光层； 步骤四、在所述有机电致发光层表面蒸镀阴极，得到所述穿透式有机电致发光器件。
全文摘要
本发明公开了一种穿透式有机电致发光器件，包括透明基底、阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极中间的有机电致发光层；所述阳极设置在所述透明基底一个表面上，包括用于提高所述阳极的电导率的第一阳极辅助层和第二阳极辅助层，以及位于所述第一阳极辅助层和所述第二阳极辅助层中间的阳极金属层；相对于传统穿透式有机电致发光器件需要将铟锡氧化物通过溅射的方法制备在衬底上形成阳极，这种穿透式有机电致发光器件只需要简单蒸镀就可以形成阳极，制备工艺较为简单。本发明还提供一种上述穿透式有机电致发光器件的制备方法。
文档编号H01L51/56GK102810645SQ20111014975
公开日2012年12月5日 申请日期2011年6月3日 优先权日2011年6月3日
发明者周明杰, 王平, 黄辉, 陈吉星 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司