专利名称：一种蒽类衍生物有机半导体材料及其制备方法和应用的制作方法
技术领域：
本发明属于光电材料技术领域，具体的说是涉及一种蒽类衍生物有机半导体材料及其制备方法和应用。
背景技术：
随着信息时代的发展，具有高 效、节能、轻质的有机电致发光平板显示器(OLEDs)及大面积白光照明越来越受到人们的关注。OLED技术被全球的科学家关注，相关的企业和实验室都在进行这项技术的研发。作为一种新型的LED技术，具有主动发光、轻、薄、对比度好、能耗低、可制成柔性器件等特点的有机电致发光器件对材料提出了较高的要求。自从C.W. Tang等第一次报道有机发光二极管(OLED)以来，无论是小分子还是聚合物发光二极管，都取得了巨大的发展。其潜在的应用是全彩色平板显示器和固态白光照明。在三基色中，红光和绿光二极管都已经接近实际应用的要求，但蓝光材料由于带隙较宽，以及较低的最高占据轨道(HOMO)能级，因此存在较大的载流子注入能垒；同时，由于发射能量高、不稳定、易发生能量转移而引起发射色不纯，所以发展相对缓慢。研发高效率、高稳定性能的蓝光发射材料，仍然是个难题。目前，由于蒽衍生物凭其超高的荧光量子产率以及优良的电致发光性质和电化学性质而成为研究的热点，广泛的用于构建高效率有机电致发光器件中。在众多蒽类衍生物中,9,10- 二萘蒽虽由于其优异的突光性质和良好的电化学性能而成为蓝色突光材料的标志性分子。然而以9，10-二萘蒽为代表的蒽衍生物并不能形成高质量的薄膜，而且通过蒸镀沉积的薄膜易于结晶，导致表面粗糙、晶界以及针孔，最终导致器件失效。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种热稳定性及形貌稳定性高、发光强度高的蒽类衍生物有机半导体材料。本发明的另一目的在于提供一种工艺简单、产率高、安全性高、易于操作和控制的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法。本发明进一步的目的在于提供上述蒽类衍生物有机半导体材料在有机电致发光器、有机太阳能电池、有机场效应晶体管、有机光存储器、有机非线性材料或/和有机激光器中的应用。为了实现上述发明目的，本发明实施例的技术方案如下一种蒽类衍生物有机半导体材料，其分子结构通式为下述(I)
权利要求
1.一种蒽类衍生物有机半导体材料，其分子结构通式为下述(I) 0
2.根据权利要求I所述的蒽类衍生物有机半导体材料，其特征在于R为C2 C8的烷基。
3.一种蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，包括如下步骤 分别提供如下结构式表示的化合物A和化合物B，
4.根据权利要求3所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于所述Suzuki耦合反应的温度为80°C 110°C，时间为36 60小时。
5.根据权利要求3所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于所述化合物A与化合物B摩尔比为I : 2. I I : 3。
6.根据权利要求3所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于所述有机钯催化剂添加量为化合物B物质的量的I % 20%。
7.根据权利要求3或6所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于所述有机钯催化剂为四三苯基膦钯、醋酸钯、三(二亚苄基丙酮)二钯、双三苯基膦二氯化钯中的至少一种。
8.根据权利要求3所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于所述Suzuki I禹合反应的有机溶剂为苯、甲苯、四氢呋喃、乙酸乙酯中的至少一种。
9.根据权利要求3所述的蒽类衍生物有机半导体材料制备方法，其特征在于所述化合物A的获取方法为 提供如下结构式表示的化合物C和化合物D，化合物c:
10.根据权利要求I至2任一所述的蒽类衍生物有机半导体材料在有机电致发光器、有机太阳能电池、有机场效应晶体管、有机光存储器、有机非线性材料或/和有机激光器中的应用。
全文摘要
本发明公开了一种蒽类衍生物有机半导体材料及其制备方法，该蒽类衍生物有机半导体材料为分子结构通式(I)表示的聚合物，通式(I)中，R为C1～C12的烷基或H。本发明以苯基取代二聚芴作为刚性核，使其具有优异的热稳定性，将该蒽类衍生物有机半导体材料制成薄膜时，使得该薄膜形貌稳定性能优良。该蒽类衍生物有机半导体材料具有较高的电子迁移率，当将利用该有机半导体材料制备的发光层用于有机发光器件中时，有利于发光层的电荷平衡，从而提高该有机发光器件发光强度和发光效率，且发光性能稳定。该蒽类衍生物有机半导体材料制备方法工艺简单，易于操作和控制，安全性高和产物的得率高，降低了生产成本，适合于工业化生产。
文档编号H01L51/54GK102898270SQ20111020900
公开日2013年1月30日 申请日期2011年7月25日 优先权日2011年7月25日
发明者周明杰, 王平, 张振华, 张娟娟 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司