一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明实施例公开了一种有机电致发光器件，包括：阳极基底、量子阱层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层p掺杂空穴传输层及设置于相邻的两层p掺杂空穴传输层之间的发光层，p掺杂空穴传输层的材质为空穴传输材料掺杂p型材料形成的混合材料，p型材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺或4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺。另，本发明实施例还公开了一种有机电致发光器件的制备方法。本发明提供的有机电致发光器件，通过调控空穴传输速率，有效提高了空穴和电子的复合几率，最终达到了提高发光效率的目的。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。【背景技术】
[0002]1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。他们利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(0LED)。在该双层结构的器件中，IOV下亮度达到lOOOcd/m2，其发光效率为1.511m/W、寿命大于100小时。
[0003]OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机材料化合物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机材料化合物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光倉泛。
[0004]在传统的发光器件中，空穴传输速率一般比电子传输速率要高两个数量级以上，这就使得空穴在发光区域大量积累，而电子数目较少，最终导致空穴和电子的复合几率大大降低，复合区域发生变化，使色坐标发生改变，显色性较差。因此，为了有效提高空穴和电子的复合几率，提高发光器件的发光效率，提供一种具有可有效调控空穴传输速率的有机电致发光器件变得很重要。
【发明内容】
[0005]本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，通过P掺杂空穴传输层调控空穴传输速率，有效提高空穴和电子的复合几率，最终达到提闻发光效率的目的。
[0006]本发明实施例提供了一种有机电致发光器件，包括:阳极基底、量子阱层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层P掺杂空穴传输层及设置于相邻的两层P掺杂空穴传输层之间的发光层，所述P掺杂空穴传输层的材质为空穴传输材料掺杂P型材料形成的混合材料，所述P型材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺或4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺。
[0007]优选地，发光层的层数为大于等于I且小于等于6的整数。
[0008]量子阱层是由P掺杂空穴传输层与发光层交替设置形成的具有n+1个P掺杂空穴传输层和η个发光层的结构，其中，I ^ n ^ 6，η为整数。在量子阱结构中，P掺杂空穴传输层为势垒，发光层为势阱，P掺杂空穴传输层与发光层交替设置，第一 P掺杂空穴传输层设置在阳极基底上，第n+lp掺杂空穴传输层上设置电子传输层，发光层设置在相邻两个P掺杂空穴传输层之间。
[0009]当n=l时，量子阱层的结构为:p掺杂空穴传输层/发光层/p掺杂空穴传输层。[0010]当n=2时，量子阱层的结构为:p掺杂空穴传输层/发光层/p掺杂空穴传输层/发光层/p掺杂空穴传输层。
[0011]当η的取值过大，则会使得量子阱层的厚度过大，从而影响空穴传输的效果，不利于提高发光器件的发光效率，因此η应该取合适的值，本发明中，I ^η^6,η为整数。
[0012]在P掺杂空穴传输层的材质中，空穴传输材料为主体，P型材料为客体。
[0013]优选地，空穴传输材料为4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N’_ 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)或 N，N，_ (1-萘基)-N，N，- 二苯基-4,4，-联苯二胺(NPB)。
[0014]优选地，在P掺杂空穴传输层的材质中，P型材料的掺杂质量分数为广10%。
[0015]优选地，发光层的材质为红荧烯(rUbrene)、4- (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (I, 1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、4- (二腈亚甲叉)_2_甲基-6- (4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃(DCM)或4-( 二氰基亚甲基)-2-甲基_6_(四氢-1，I, 7，7-四甲基-1H，5H-苯并喹嗪-9-基)乙烯基-4H-吡喃(DCJT)。
[0016]发光层的材质为红光材料，红光材料由于能隙较窄，适合作为量子讲的势讲，可以限制空穴与电子复合形成的激子在发光层中发光。
[0017]优选地，P掺杂空穴传输层的厚度为2?20nm/层，发光层的厚度为2?20nm/层。
[0018]P型材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺(IT-NATA)或4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺(2T-NATA)。
[0019]其中，空穴 传输材料中P型材料的加入可以使在这里通过的空穴的传输速率更快，有利于空穴的传输，因此P掺杂空穴传输层可以作为量子阱结构中的势垒。可以对空穴进行有效阻挡(空穴经过HOMO能级进行传输)，通过结构单元的变化，可有效对空穴传输速率进行调控；发光层的材质为红光发光材料，由于红光发光材料能隙较窄，能隙在
2.5eV-2.0eV之间，可作为量子阱的势阱，可以提高空穴传输速率，当空穴传输到此层时，传输速率明显提高，降低了空穴在量子阱里的淬灭几率，同时，也有效降低了空穴与电子在量子阱中复合发光的几率，提高红光的色纯度。因此，量子阱层能在阻挡空穴的同时，加快了未被阻挡空穴的传输速率，从而通过调控空穴传输速率，有效提高了空穴和电子的复合几率，最终达到提闻发光效率的目的。
[0020]优选地，所述阳极基底为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)、掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(IZO)。
[0021]优选地，电子传输层的材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);更优选地，电子传输层的材料为N-芳基苯并咪唑(TPBI)0
[0022]优选地，电子传输层的厚度为4(T80nm ;更优选地，电子传输层的厚度为50nm。
[0023]优选地，电子注入层的材料为碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF);更优选地，电子注入层的材料为氟化锂(LiF)。
[0024]优选地，电子注入层的厚度为0.5?IOnm ;更优选地，电子注入层的厚度为lnm。
[0025]优选地，阴极为银(Ag)、招(Al)、钼(Pt)或金(Au);更优选地，阴极为银(Ag)。
[0026]优选地，阴极的厚度为8(T300nm ;更优选地，阴极的厚度为IOOnm。[0027]其中，电子传输层设置在量子阱层的第n+lp掺杂空穴传输层上，电子注入层设置在电子传输层上，阴极设置在电子注入层上。
[0028]当n=l时，本发明有机电致发光器件的结构为:阳极/p掺杂空穴传输层/发光层/p掺杂空穴传输层/电子传输层/电子注入层/阴极。
[0029]相应地，本发明实施例还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0030]提供清洁的阳极基底；
[0031]在经处理过的阳极基底上进行量子阱层的蒸镀，先在所述阳极基底上蒸镀P掺杂空穴传输层，在所述P掺杂空穴传输层上蒸镀发光层，再在所述发光上蒸镀P掺杂空穴传输层，依此交替蒸镀得到包括依次层叠的至少两层P掺杂空穴传输层及设置于相邻的两层P掺杂空穴传输层之间的发光层的所述量子阱层，所述P掺杂空穴传输层的材质为空穴传输材料掺杂P型材料形成的混合材料，所述P型材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺和4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺；
[0032]在所述量子阱层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和金属阴极。
[0033]具体地，阳极基底的清洁操作为:将阳极基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min。去除玻璃表面的有机污染物，另外，还可对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W。氧等离子处理可以平滑阳极基底表面，使阳极基底平整度加强，提高功函数(约提高
0.Γ0.3eV)，使空穴注入能力加强，降低启动电压。
[0034]优选地，阳极基底为铟锡氧化物玻璃(IT0)、掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(IZO)。
[0035]优选地，发光层的层数为大于等于I且小于等于6的整数
[0036]量子阱层是由n+1个P掺杂空穴传输层和η个发光层构成，I彡η彡6，η为整数，P掺杂空穴传输层为势垒，发光层为势阱，P掺杂空穴传输层与发光层交替设置，第一 P掺杂空穴传输层设置在阳极基底上，第n+lp掺杂空穴传输层上设置电子传输层，发光层设置在相邻两个P掺杂空穴传输层之间。
[0037]当n=l时，量子阱层的结构为:p掺杂空穴传输层/发光层/p掺杂空穴传输层。
[0038]当n=2时，量子阱层的结构为:p掺杂空穴传输层/发光层/p掺杂空穴传输层/发光层/p掺杂空穴传输层。
[0039]在P掺杂空穴传输层的材质中，空穴传输材料为主体，P型材料为客体。
[0040]优选地，空穴传输材料为4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N’_ 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)或 N，N，_ (1-萘基)-N，N，- 二苯基-4,4，-联苯二胺(NPB)。
[0041]优选地，在P掺杂空穴传输层的材质中，P型材料的掺杂质量分数为广10%。
[0042]P型材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺(IT-NATA)或4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺(2T-NATA)。
[0043]优选地，发光层的材质为红荧烯(rUbrene)、4- (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (I, 1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、4- (二腈亚甲叉)_2_甲基-6- (4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃(DCM)或4-( 二氰基亚甲基)-2-甲基_6_(四氢-1，I, 7，7-四甲基-1H，5H-苯并喹嗪-9-基)乙烯基-4H-吡喃(DCJT)。
[0044]优选地，P掺杂空穴传输层的厚度为2?20nm/层，发光层的厚度为2?20nm/层。
[0045]P掺杂空穴传输层与发光层米用蒸镀的方式制备得到。
[0046]优选地，蒸镀温度为10(T500°C，真空度为I X 10_3?I X 10_5Pa。
[0047]在量子阱层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和金属阴极。具体地，在第n+lp掺杂空穴传输层上蒸镀电子传输层，在电子传输层上蒸镀电子注入层，在电子注入层上蒸镀阴极。
[0048]当n=l时，本发明有机电致发光器件的结构为:阳极/p掺杂空穴传输层/发光层/p掺杂空穴传输层/电子传输层/电子注入层/阴极。
[0049]优选地，电子传输层的材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);更优选地，电子传输层的材料为N-芳基苯并咪唑(TPBI)0
[0050]优选地，电子传输层的厚度为4(T80nm ;更优选地，电子传输层的厚度为50nm。
[0051]优选地，电子注入层的材料为碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF);更优选地，电子注入层的材料为氟化锂(LiF)。
[0052]优选地，电子注入层的厚度为0.5?IOnm ;更优选地，电子注入层的厚度为lnm。
[0053]优选地，电子 传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为10(T50(TC，真空度为 1Χ1(Γ3 ?lXl(T5Pa。
[0054]优选地，阴极为银(Ag)、招(Al)、钼(Pt)或金(Au);更优选地，阴极为银(Ag)。
[0055]优选地，阴极的厚度为8(T300nm ;更优选地，阴极的厚度为IOOnm。
[0056]优选地，阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为50(Tl000 °C，真空度为I X IO^lX IO^5Pa0
[0057]其中，电子传输层设置在量子阱层的第n+lp掺杂空穴传输层上，电子注入层设置在电子传输层上，阴极设置在电子注入层上。
[0058]实施本发明实施例，具有如下有益效果:
[0059]( I)本发明提供的P掺杂量子阱有机电致发光器件，其量子阱的势垒为P掺杂空穴传输层，可以对空穴进行有效阻挡(空穴经过HOMO能级进行传输)，通过结构单元的变化，可有效对空穴传输速率进行调控；
[0060](2)量子阱的势阱为红光发光层，可限制空穴与电子复合在发光层中发光，避免了空穴与电子在量子阱中复合发光的几率，使发光器件最终达到提高发光效率和提高红光色纯度的目的。
【专利附图】
【附图说明】
[0061]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0062]图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构图；
[0063]图2是本发明实施例1提供的有机电致发光器件与现有有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。
【具体实施方式】
[0064]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0065]实施例1
[0066]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0067]( I)将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W ；
[0068](2)在经(I)处理的阳极基底上进行量子阱层的蒸镀，在阳极基底上蒸镀第一 P掺杂空穴传输层，在第一 P掺杂空穴传输层上蒸镀第一发光层，在第一发光层上蒸镀第P掺杂空穴传输层，在第二 P掺杂空穴传输层上蒸镀第二发光层，在第二发光层上蒸镀第三P掺杂空穴传输层，量子讲层包括第一、第二、第三P掺杂空穴传输层和第一、第二发光层。
[0069]具体地，在本实施例中，P掺杂空穴传输层的材质为m-MTDATA掺杂F4-TCNQ形成的混合材料(m-MTDATA:F4-TCNQ)，F4-TCNQ的掺杂质量分数为2%，发光层的材质为红光材料DCM,量子阱层包括三层P掺杂空穴传输层(m-MTDATA:F4-TCNQ)和两层发光层(DCM)，具体结构为:m-MTDATA:F4-TCNQ (2wt%)/DCM/m-MTDATA:F4-TCNQ (2wt%)DCM/m-MTDATA:F4-TCNQ(2wt%) (n=2), m-MTDATA:F4-TCNQ层的单层厚度为IOnm,发光层(DCM)层的单层厚度为15nm。发光层和P掺杂空穴传输层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为I X KT5Pa。
[0070](3)在量子阱层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为lX10_5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为lX10_4Pa。
[0071]其中，电子传输层的材料为TPBi，厚度为50nm;电子注入层的材料为氟化锂(LiF)，厚度为2nm;阴极为银(Ag)，厚度为150nm。
[0072]图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件的结构包括，阳极导电基底10，量子阱层20，电子传输层30，电子注入层40和阴极50。其中，量子阱层20，包括三层P掺杂空穴传输层(m-MTDATA:F4-TCNQ) 21和两层发光层(DCM) 22，其结构为 m-MTDATA: F4-TCNQ (2wt%) /DCM/m-MTDATA: F4-TCNQ (2wt%) /DCM/m-MTDATA:F4-TCNQ (2wt%)。该有机电致发光器件的结构为:ITO玻璃/m-MTDATA:F4_TCNQ(2wt%) /DCM/m-MTDATA: F4-TCNQ (2wt%) /DCM/m-MTDATA: F4-TCNQ (2wt%) /TPBi/LiF/Ag。
[0073]图2是本实施例的有机电致发光器件与现有发光器件的亮度与流明效率的关系图。其中，曲线I为本实施例有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图；曲线2为现有有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。其中，现有发光器件的结构为=ITO玻璃/m-MTDATA:F4-TCNQ/DCM/TPBi/LiF/Ago
[0074]从图2中可以看到，在不同亮度下，本实施例有机电致发光器件的流明效率都比现有有机电致发光器件的要大，其最大的流明效率为22.51m/W，而现有有机电致发光器件的仅为16.91m/W。这说明，由P掺杂空穴传输层与发光层组成的量子阱层，可以使没被阻挡而顺利通过的空穴传输速率进一步提高，使其能够集中在发光层中与电子复合发光，而红光材料由于能隙较窄，适合作为量子阱势阱，可以限制激子(空穴与电子复合)在发光层中发光，在提高发光效率的同时，提高色纯度。
[0075]实施例2
[0076]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0077]( I)将IZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极导电基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W ；
[0078](2)在经(I)处理的阳极导电基底上进行量子阱层的蒸镀，在阳极导电基底上蒸镀第一 P掺杂空穴传输层，在第一 P掺杂空穴传输层上蒸镀一层发光层，随后在发光层上蒸镀第二 P掺杂空穴传输层,量子讲层包括第一、第二 P掺杂空穴传输层和发光层。
[0079]其中，在本实施例中，P掺杂空穴传输层的材质为TH)掺杂IT-NATA形成的混合材料(TH): 1T-NATA)，IT-NATA的掺杂质量分数为I %，发光层 的材质为红光材料rubrene，量子阱层包括两层P掺杂空穴传输层(TH): 1T-NATA)和两层发光层(rubrene)，具体结构为:(TPD:1T-NATA) (10wt%) /rubrene/ (TPD:1T-NATA) (10wt%) (n=l)，(TPD: 1T-NATA)层的单层厚度为10nm，发光层(rubrene)的单层厚度为20nm。发光层和P掺杂空穴传输层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为I X 10?.[0080](3)在量子阱层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为lX10_5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为lX10_4Pa。
[0081]其中，电子传输层的材料为TAZ，厚度为80nm ；电子注入层的材料为氟化铯CsF，厚度为0.5nm;阴极为Al，厚度为300nm。
[0082]本实施例提供的有机电致发光器件的结构为:IZ0玻璃/ (TPD:1T-NATA) (10wt%)/rubrene/ (TPD:1T-NATA) (10wt%)/TAZ/CsF/Al，其最大的流明效率为 17.llm/W。
[0083]实施例3
[0084]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0085]( I)将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W ；
[0086](2)在经(2)处理的阳极基底上进行量子阱层蒸镀，在阳极导电基底上蒸镀第一 P掺杂空穴传输层，在第一 P掺杂空穴传输层上蒸镀第一发光层，在第一发光层上蒸镀第二 P掺杂空穴传输层，在第二 P掺杂空穴传输层上蒸镀第二发光层，在第二发光层上蒸镀第三P掺杂空穴传输层，在第三P掺杂空穴传输层上蒸镀第三发光层，在第三发光层上蒸镀第四P掺杂空穴传输层，在第四P掺杂空穴传输层上蒸镀第四发光层，在第四发光层上蒸镀第五P掺杂空穴传输层，在第五P掺杂空穴传输层上蒸镀第五发光层，在第五发光层上蒸镀第六P掺杂空穴传输层，P掺杂量子阱结构包括第一、第二、第三、第四、第五、第六P掺杂空穴传输层和第一、第二、第三、第四、第五发光层。
[0087]其中，在本实施例中，P掺杂空穴传输层的材质为NPB掺杂2T-NATA形成的混合材W(NPB:2T-NATA)，2T-NATA的掺杂质量分数为10%，发光层的材质为红光材料DCJTB。量子阱层包括六层P掺杂空穴传输层(NPB:2T-NATA)和五层发光层(DCJTB)，具体结构为:(NPB:2T-NATA) (10wt%)/ (DCJTB)/ (NPB:2T-NATA) (10wt%)/ (DCJTB)/ (NPB:2T-NATA)(10wt%) / (DCJTB) / (NPB:2T-NATA) (10wt%) / (DCJTB) / (NPB:2T-NATA) (10wt%) /(DCJTB) (NPB:2T-NATA) (IOwt % ) (n=5)，NPB:2T_NATA 层的单层厚度为 20nm，发光层 DCJTB的单层厚度为2nm。发光层和P掺杂空穴传输层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为lXl(T5Pa。
[0088](3)在量子阱层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为lX10_5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为lX10_4Pa。
[0089]其中，电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm ；电子注入层的材料为叠氮铯CsN3,厚度为5nm ;阴极为Au,厚度为80nm。
[0090]本实施例提供的有机电致发光器件的结构为:ΙΤ0玻璃/ (NPB:2Τ-ΝΑΤΑ) (10wt%)/ (DCJTB) / (NPB:2T-NATA) (10wt%) / (DCJTB) / (NPB:2T-NATA) (10wt%) / (DCJTB) /(NPB:2T-NATA) (10wt%)/ (DCJTB)/ (NPB:2T-NATA) (10wt%)/ (DCJTB)/ (NPB:2T-NATA)(10wt%) /Bphen/CsN3/Au，其最大的流明效率为 20.61m/W。
[0091]实施例4
[0092]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0093]( I)将AZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W ；
[0094](2)在经(I)处理的阳极基底上进行量子阱层蒸镀，在阳极导电基底上蒸镀第一 P掺杂空穴传输层，在第一 P掺杂空穴传输层上蒸镀第一发光层，在第一发光层上蒸镀第二 P掺杂空穴传输层，在第二 P掺杂空穴传输层上蒸镀第二发光层，在第二发光层上蒸镀第三P掺杂空穴传输层，量子讲层包括第一、第二、第三P掺杂空穴传输层和第一、第二发光层。
[0095]具体地，在本实施例中，P掺杂空穴传输层的材质为NPB掺杂F4-TCNQ形成的混合材料(NPB:F4-TCNQ)，F4-TCNQ的掺杂质量分数为1.5 %，发光层的材质为红光发光材料DCJT，量子阱层包括三层P掺杂空穴传输层和两层发光层(DCJT)，具体结构为:(NPB:F4-TCNQ) (1.5wt%)/DCJT/ (NPB:F4-TCNQ) (1.5wt%)/DCJT/ (NPB:F4_TCNQ) (1.5wt%)(n=2)，(NPB:F4-TCNQ)层的单层厚度为5nm，发光层(DCJT)层的单层厚度为5nm。发光层和P掺杂空穴传输层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为lX10_5Pa。
[0096](3)在量子阱层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400°C，真空度为lX10_5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800°C，真空度为lX10_4Pa。
[0097]其中，电子传输层的材料为TAZ，厚度为70nm ；电子注入层的材料为碳酸铯Cs2CO3,厚度为2nm ;阴极为Pt，厚度为90nm。[0098]本实施例提供的有机电致发光器件的结构为:ΑΖ0玻璃/(NPB:F4_TCNQ)( 1.5wt%)/DCJT/ (NPB:F4-TCNQ) (1.5wt%) /DCJT/ (NPB:F4_TCNQ) (1.5wt%)/TAZ/Cs2C03/Pt，其最大的流明效率为211m/W。
[0099]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括:阳极基底、量子阱层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层P掺杂空穴传输层及设置于相邻的两层P掺杂空穴传输层之间的发光层，所述P掺杂空穴传输层的材质为空穴传输材料掺杂P型材料形成的混合材料，所述P型材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺或4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为红荧烯、4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、4- (二腈亚甲叉)-2_甲基-6- (4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃或4-( 二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(四氢-1，1，7，7_四甲基-1H，5H-苯并喹嗪-9-基)乙烯基-4H-吡喃。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料为4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’ -二(3-甲基苯基)-N，N’ -二苯基_4，4，-联苯二胺或N，N，- (1-萘基)-N，N，- 二苯基-4，4，-联苯二胺。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，在所述P掺杂空穴传输层的材质中，所述P型材料的掺杂质量分数为f 10%。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述P掺杂空穴传输层的厚度为2?20nm/层，所述发光层的厚度为2?20nm/层，所述发光层的层数为大于等于I且小于等于6的整数。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供清洁的阳极基底； 在经处理过的阳极基底上进行量子阱层的蒸镀，先在所述阳极基底上蒸镀P掺杂空穴传输层，在所述P掺杂空穴传输层上蒸镀发光层，再在所述发光层上蒸镀P掺杂空穴传输层，依此交替蒸镀得到包括依次层叠的至少两层P掺杂空穴传输层及设置于相邻的两层P掺杂空穴传输层之间的发光层的所述量子阱层，所述P掺杂空穴传输层的材质为空穴传输材料掺杂P型材料形成的混合材料，所述P型材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺和4，4，4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺； 在所述量子阱层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和金属阴极。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的材质为红荧烯、4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、4- (二腈亚甲叉)-2-甲基-6- (4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃或4-( 二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(四氢-1，1，7，7_四甲基-1H，5H-苯并喹嗪-9-基)乙烯基-4H-吡喃。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述空穴传输材料为4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺或N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述P掺杂空穴传输层的材质中，所述P型材料的掺杂质量分数为f 10%。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述P掺杂空穴传输层的厚度为2?20nm/层，所述发光层的厚度为2?20nm/层，所述发光层的层数为大于等于I且小于等于6的整数。
【文档编号】H01L51/56GK103427024SQ201210147212
【公开日】2013年12月4日 申请日期:2012年5月14日 优先权日:2012年5月14日
【发明者】周明杰, 王平, 黄辉, 陈吉星 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司