专利名称：基板以及半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明的实施方式涉及一种基板以及半导体装置。
背景技术：
有如下地构成的功率半导体装置通过将装载了功率半导体芯片的内部部件接合在基板、并将基板螺接在散热器，扩散通电导致的功率半导体芯片的发热。在这种半导体装置中，为了提高基板与散热器的密接性，基板具有向散热器侧凸 状地翘曲的形状。在基板的外周部设置有用于插通螺丝的贯通孔。基板的外周部通过散热器而浮起，因此当用螺丝紧固基板的外周部时，向下压基板的外周部而产生形变。当通过螺接而产生的形变传递到装载了功率半导体芯片的内部部件与基板的接合部时，力向将功率半导体芯片从基板剥离的方向起作用。其结果，接合部被破坏、或者内部应力变高，产生功率半导体装置的长期可靠性下降等的问题。
发明内容
本发明提供一种能够缓和通过螺接而产生的形变的基板以及半导体装置。根据一个实施方式，基板具备第I区域，具有相对置的第I面以及第2面，所述第2面侧为凸状，该第I区域设置在中央部；以及第2区域，位于除了所述中央部的周边部、且具有贯通孔。所述第2区域的厚度比所述第I区域的厚度薄。根据其它实施方式，在半导体装置中，基板具有第I区域和第2区域，该第I区域具有相对置的第I面以及第2面，所述第2面侧为凸状，该第I区域设置在中央部，该第2区域位于除了所述中央部的周边部、且具有贯通孔。所述第2区域的厚度比所述第I区域的厚度薄。包含半导体芯片的内部部件通过粘接剂载置在所述基板的所述第I区域的所述第I面。
图1是表不与实施例1有关的基板的图。图2是表示与实施例1有关的半导体装置的截面图。图3是表示与实施例1有关的比较例的基板的图。图4是表示与实施例1有关的比较例的半导体装置的截面图。图5是对比表示与实施例1有关的基板和比较例的基板的主要部分的立体图。图6是对比表示对与实施例1有关的基板和比较例的基板的主要部分的变形状态进行仿真的结果的立体图。图7是表不与实施例1有关的其它的基板的立体图。图8是表不与实施例1有关的其它的基板的截面图。图9是表示与实施例2有关的半导体装置的截面图。附图标记说明
11、31、51、61、71 基板;lla、llb、31a、31b、51c、51d、61a、61b、71a、71b :第 I 面、第 2 面；llc、lld、31c、31d、61c、61d、71c、71d :第 I 区域、第 2 区域；12、32、82 :贯通孔；13、53 :边界线；20、40、80 :半导体装置；21 :接合剂；22 :内部部件；23、81 :外壳；24 :填充剂；25 :螺丝；26 :散热器;27、41 :螺丝连结部;28a、28b、42a、42b :螺丝连结部周边;29、43 :接合部；81a :底座部；81b :收纳部；81d :切口部；83 :法兰盘。
具体实施例方式下面，参照
本发明的实施例。[实施例1]参照图1以及图2说明本实施例的基板以及半导体装置。图1是表示本实施例的基板的图，图1 (a)是基板的俯视图，图1 (b)是沿着图1 (a)的A-A线切断而向箭头方向看的截面图。图2是本实施例的半导体装置图，图2 (a)是半导体装置的截面图，图2 (b)是表示半导体装置螺接在底座的状态的截面图，图2 (c)是放大表示螺接在底座的半导体装置的主要部分的截面图。首先，说明本实施例的基板。如图1所示，本实施例的基板11是具有相对置的第I面Ila和第2面Ilb的矩形形状。基板11具有第2面Ilb侧凸状地翘曲的形状。基板11的第2面Ilb侧凸状地翘曲是为了利用板簧的弹性将基板11可靠地压在后述的散热器。在基板11的第I面Ila的中央部设置有第I区域11c、在除了第I面Ila的中央部的周边部设置有具有贯通孔12的第2区域lid。第I区域Ilc是除了半导体芯片之外还载置电极部件、陶瓷基板等的区域。向第2区域Ild的贯通孔12插通用于将基板11螺接在散热器(底座)的螺丝。基板11是矩形形状，因此第2区域Ild设置在矩形的四角。当将基板11置于散热器之上时，基板11的四角通过散热器而浮起。在本实施例中，中央部是不包含矩形的四角的区域。周边部是包含矩形的四角、且不包含中央部的区域。第I区域Ilc是切开矩形的四角使得具有与矩形的一个对角线平行的短边、和与矩形的边平行的长边的八角形状的区域。第2区域Ild是切开矩形的四角使得具有与矩形的一个对角线平行的斜边的直角三角形状的区域。基板11是导热性高的金属(铜、招)制。第I区域Ilc的厚度Hl例如是约3mm。第2区域Ild的厚度H2设定为比第I区域Ilc的厚度Hl小(H2〈H1)。厚度H2为厚度Hl的1/3^2/3左右是恰当的。厚度H2比厚度Hl薄，因此在第I区域Ilc与第2区域Ild的边界中产生离第I面Ila侧的高低差。第I区域Ilc与第2区域Ild的边界线13是直线状，大致与矩形形状的基板11的对角线正交。例如，通过使用具有进行配合的凸部以及凹部的一对金属模具冲压加工金属板来制作基板11。接着，说明本实施例的半导体装置。如图2 (a)所示，在本实施例的半导体装置20中，在基板11的第I面Ila的第I区域Ilc通过接合剂21接合了内部部件22。接合剂21例如是导电膏、树脂粘接薄片、焊锡等。内部部件22如上述那样除了半导体芯片之外还包含有电极部件、陶瓷基板等。
收纳内部部件22而向基板11的第I区域Ilc盖上箱型的外壳23。外壳23例如是树脂制，通过粘接剂(未图示)固定在基板11的第I区域He。在内部部件22与外壳23的间隙填充有填充剂24、例如环氧树脂。外壳23以及填充剂24是为了从外部环境保护内部部件22而设置的。例如，通过设置于外壳23的小孔而向内部部件22与外壳23的间隙注入液状的环氧树脂并使其固化而获得填充剂24。如图2 (b)以及图2 (C)所示，半导体装置20通过插通在贯通孔12的螺丝25压紧在散热器26。通过用螺丝25将基板11紧固在散热器26，并校正基板11的翘曲，使基板11密接在散热器26。此时，可以在基板11与散热器26之间夹住润滑脂。基板11的第2区域I Id的厚度H2比基板11的第I区域I Ic的厚度Hl薄(H2〈H1 )，因此第2区域Ild的刚性比第I区域Ilc的刚性小。其结果，基板11除了螺丝连结部(贯通孔12以及螺丝25的头部相接触的部分)27的螺丝连结部周边(从螺丝25的头部相接触的部分至第I区域Ilc为止之间)28a、28b中的螺丝连结部周边28a发生变形。如下地产生变形例如螺丝连结部周边28a的第I面IIa侧隆起，螺丝连结部周边28a的第2面Ilb侧从散热器26浮起。通过螺丝连结部周边28a发生变形，充分缓和通过螺丝连结而产生的形变。螺丝连结部周边28a是第2区域Ild的贯通孔12与第I区域Ilc之间的变形部。其结果，能够抑制形变向内部部件22与基板11的接合部29的传递。通过螺丝连结而产生的形变不传递到接合部29，因此将内部部件22从基板11进行剥离的方向的力不起作用。因而，能够防止接合部29的破坏而维持、提高半导体装置20的长期可靠性。接着，使用图3以及图4说明比较例的基板以及半导体装置。这里，比较例的基板是上述的厚度Hl和厚度H2相等的基板。图3是比较例的基板图，图3 Ca)是基板的俯视图，图3 (b)是沿着图3 Ca)的B-B线切断而向箭头方向看的截面图。图4是示出比较例的半导体装置图，图4 (a)是半导体装置的截面图，图4 (b)是表示半导体装置螺接在散热器的状态的截面图，图4 (c)是放大表示螺接在散热器的半导体装置的主要部分的截面图。
首先，说明比较例的基板。如图3所示，比较例的基板31是具有相对置的第I面31a和第2面31b的矩形形状。基板31具有向第2面31b侧凸状地翘曲的形状。基板31在第I面31a的中央部设置有第I区域31c、在第I面31a的周边部设置有具有贯通孔32的第2区域31d。第I区域31c是除了半导体芯片之外还载置电极部件、陶瓷基板等的区域。向第2区域31d的贯通孔32插通用于将基板31螺接在散热器(底座)的螺丝。基板31是矩形形状，因此第2区域31d设置在矩形的四角。当基板31置于散热器之上时，基板31的四角从散热器浮起。基板31的第I区域31c的厚度Hl和基板31的第2区域31d的厚度H2相等 (H1=H2),因此在第I区域31c与第2区域31d的边界不会产生高低差。接着，说明比较例的半导体装置。如图4 (a)所示，在比较例的半导体装置40中，在基板31的第I面31a的第I区域31c通过接合剂21接合有内部部件22。收纳内部部件22的箱型的外壳23通过粘接剂(未图示)固定在基板31的第I区域 31c。如图3 (b)以及图3 (C)所示，半导体装置40通过插通在贯通孔32的螺丝25压紧在散热器26。通过用螺丝25将基板31紧固在散热器26，并矫正基板31的翘曲，使基板31密接在散热器26。此时，基板31的第2区域31d的厚度H2与基板31的第I区域31c的厚度Hl相等，因此第2区域31d的刚性与第I区域31c的刚性相同。其结果，基板31除了螺丝连结部41的螺丝连结部周边42a、42b中螺丝连结部周边42a几乎不变形。即使变形，其变形量也极少，比图2 (C)所示的螺丝连结部周边28a的变形量少。在变形的情况下是如下程度例如螺丝连结部周边42a的第I面311a侧略微隆起，螺丝连结部周边42a的第2面31b侧从散热器26略微浮起。螺丝连结部周边42a几乎不变形，因此没有充分缓和通过螺丝连结而产生的形变。螺丝连结部周边42a是第2区域31d的贯通孔32与第I区域31c之间的形变部。其结果，变得难以抑制形变向内部部件22与基板31的接合部43的传递。当通过螺丝连结而产生的形变传递到接合部43时，力向将内部部件22从基板31进行剥离的方向起作用。因而，接合部43被破坏，产生半导体装置40的长期可靠性下降等的问题。另一方面，在本实施例的半导体装置20中，如上述那样螺丝连结部周边28a发生变形，因此充分缓和通过螺丝连结而产生的形变，抑制形变向内部部件22与基板11的接合部29的传递。为了明确该情况，使用图5以及图6说明对基板11以及基板31的变形状态进行仿真的结果。仿真是根据有限元法来进行。仿真条件如下地设定。在基板11中设为H2=Hl/2，在基板31中设为H2=H1。施加负载之前的基板11、31是平坦的。将基板11、31作为悬臂梁而向第2区域lld、31d的螺丝连结部27、41施加相同的负载。图5是对比表示负载施加前的本实施例的基板11的主要部分和负载施加前的比较例的基板31的主要部分的立体图，图5 Ca)是表示本实施例的基板11的主要部分的立体图，图5 (b)是表示比较例的基板31的主要部分的立体图。图6是对比表示负载施加后的本实施例的基板11的主要部分和负载施加后的比较例的基板31的主要部分的立体图，图6 Ca)是表示本实施例的基板11的主要部分的立体图，图6 (b)是表示比较例的基板31的主要部分的立体图。在图5以及图6中，虚线表示矩形形状的基板的对角线，被一点划线包围的区域表示螺丝连结部。在图6中，圆弧状的实线是表示变形量的等高线。从等高线引出的数值表示变形量(mm)。首先，说明比较例的基板31。如图5 (b)所示，在负载施加前基板31是平坦的。 如图6(b)所示，当施加负载时，基板31的角的前端部向下方略微翘曲。其变形量约为0.1mm左右。将从基板31的角的前端部起至变形量为0. 02mm的部分为止的距离(变形长度)设为L2。接着，说明本实施例的基板11。如图5 (a)所示，在负载施加前基板11是平坦的。如图6 (b)所示，当施加负载时，基板11的角的前端部向下方大幅翘曲。其变形量约为0. 18mm左右。将从基板11的角的前端部起至变形量为0. 02mm的部分为止的距离(变形长度)设为LI。基板11的变形越过边界线13而波及到第I区域11c。基板11的变形量(0. 18mm)大到基板31的变形量(0.1mm)的约2倍。基板11的变形长度LI比基板31的变形长度L2大。可知本实施例的基板11与比较例的基板31相比容易对按压力发生变形、且变形的区域宽。由此可以确认通过使螺丝连结部周边变形而缓和通过螺丝连结而产生的形变，不向内部部件与基板的接合部进行传递。如以上说明那样，在本实施例中，基板11的第2区域Ild的厚度H2设定得比基板11的第I区域Ilc的厚度Hl薄(H2〈H1)。其结果，当将半导体装置20螺接在散热器26时，基板11的螺丝连结部周边28a发生变形。由此，充分缓和通过螺丝连结而产生的形变，能够抑制形变向内部部件22与基板11的接合部29进行传递。因而，获得能够缓和通过螺接而产生的形变的基板以及半导体装置。这里，说明基板11的第I区域Ilc与第2区域Ild的边界线13是直线状的情况，但是不限于此，还能够设为曲线状。图7是表示第I区域与第2区域的边界线是曲线状的基板的图。如图7所示，在基板51中第I区域51c与第2区域51d的边界线53是圆弧状。根据图6 Ca)所示的仿真结果，边界线53例如设为依照变化量为0. 02mm的等高线的圆弧状是恰当的。说明了从载置内部部件22的第I面Ila侧使第2区域Ild变薄的情况，但是没有特别限定。还能够从第2面侧减薄第2区域。图8是表示从第2面侧使第2区域变薄的基板的主要部分的图。如图8(a)所示，在基板61中第2区域61d从第I面61a以及第2面61b的两侧变薄。如图8 (b)所示，在基板71中第2区域71d从第2面71b侧变薄。在基板的第2区域从第2面侧变薄的情况下，能够通过螺丝连结来进一步加大基板的螺丝连结部周边的变形。但是，希望不使变形变得过度。[实施例2]使用图9说明本实施例。图9是表示本实施例的半导体装置的图，图9 (a)是表示半导体装置的截面图，图9 (b)是放大表示其主要部分的立体图。在本实施例中，对于与上述实施例1相同的结构部分附加相同标记并省略该部分的说明，而说明不同的部分。本实施例与实施例1的不同点在于，使用了覆盖螺丝连结部以及螺丝连结部周边的外壳。即如图9所示，在本实施例的半导体装置80中，对于外壳81，覆盖螺丝连结部27以及螺丝连结部周边28a、28b而载置在基板11的第2区域Ild的平板状的底座部81a、以及收纳内部部件22而载置在基板11的第I区域Ilc的箱型的收纳部81b —体构成。在底座部81a的四角设置有从上面81c到途中为止的切口部81d。在切口部81d设置有贯通孔82。在贯通孔82中嵌入有金属制的法兰盘83。法兰盘83是铝、黄铜等。在收纳部81b中，与图2所示的半导体装置20相同地向收纳部81b与内部部件22的间隙填充有填充剂24。半导体装置80通过嵌入在切口部81d的贯通孔82的法兰盘83和插通在基板11的贯通孔12的螺丝25来压紧在散热器26。金属制的法兰盘82与树脂制的切口部Sld相比，对于螺丝连结力的变形、破损、或者老化的耐性高，因此用于长时间维持螺丝连结力。通过螺丝25，基板11固定在散热器26、并且外壳81的底座部81a固定在基板11。因而，限于法兰盘82的周边部，为了将外壳81固定在基板11，也可以不涂布粘接剂。当使用粘接剂将外壳固定在基板时，有时在图2所示的外壳23中从外壳23与基板11之间溢出的粘接剂流出并到达贯通孔12而妨碍螺丝连结。在本实施例的外壳81中，底座部81a覆盖了螺丝连结部27以及螺丝连结部周边28a、28b，因此从外壳81的底座部81a与基板11的第I区域Ilc的外周部之间溢出的粘接剂的大部分滞留在外壳81的底座部81a与构成基板11的边界线13的侧面之间的间隙内。其结果，粘接剂不会达到法兰盘82而妨碍螺丝连结。如以上说明那样，在本实施例中，外壳81由底座部81a和收纳部81b —体构成。底座部81a覆盖了螺丝连结部27以及螺丝连结部周边28a、28b。由此，当用粘接剂固定外壳81和基板11时，获得能够防止粘接剂流出而妨碍螺丝连结的优点。说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式是作为例子而提示的，没有意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其它的各种方式来实施，能够在不超出发明的精神的范围内进行各种的省略、替换、变更。这些实施方式、其变形包含在发明的范围、精神中、并且包含在权利要求范围所记载的发明和与其均等的范围内。
权利要求
1.一种基板，其特征在于，具备第I区域，具有相对置的第I面以及第2面，所述第2面侧为凸状，该第I区域设置在中央部；以及第2区域，位于除了所述中央部的周边部、且具有贯通孔，所述第2区域的厚度比所述第I区域的厚度薄。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板是矩形形状，所述第2区域设置于所述矩形的角，在所述第I面的俯视中所述第I区域与所述第2区域的边界是直线状。
3.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，在所述第I区域载置包含半导体芯片的内部部件，向所述第2区域的所述贯通孔插通螺丝。
4.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述边界与所述矩形的对角线大致正交。
5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第I区域与所述第2区域的边界是圆弧状。
6.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，在所述第I区域以及第2区域的边界中离所述第I面侧、所述第2面侧、或者所述第I 以及第2面侧产生高低差。
7.一种半导体装置，其特征在于，具备基板，具有第I区域和第2区域，该第I区域具有相对置的第I面以及第2面，所述第 2面侧为凸状，该第I区域设置在中央部，该第2区域位于除了所述中央部的周边部、且具有贯通孔，所述第2区域的厚度比所述第I区域的厚度薄；以及包含半导体芯片的内部部件，通过粘接剂载置在所述基板的所述第I区域的所述第I面。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，还具备外壳，收纳所述内部部件，并且盖住所述基板；以及树脂，填充在所述外壳与所述内部部件的间隙之间。
9.根据权利要求7或者8所述的半导体装置，其特征在于，螺接在底座，在所述第2区域的所述贯通孔与所述第I区域之间具有变形部。
全文摘要
本发明提供一种能够缓和通过螺接而产生的形变的基板以及半导体装置。基板(11)具有第1区域，具有相对置的第1以及第2面(11a、11b)、第2面(11b)侧是凸状，该第1区域设置在中央部；以及第2区域，位于除了中央部的周边部、且具有贯通孔。第2区域(11d)的厚度(H2)比第1区域(11c)的厚度(H1)薄。
文档编号H01L23/00GK103021963SQ20121031516
公开日2013年4月3日 申请日期2012年8月30日 优先权日2011年9月21日
发明者三宅英太郎 申请人:株式会社东芝