专利名称：发光器件及其制造方法和使用该发光器件的发光器件模块的制作方法
技术领域：
本发明的总体思想涉及发光器件(LED)及其制造方法，以及使用该发光器件的LED模块，更具体地涉及具有突块结构的LED及其制造方法以及使用这种LED的LED模块，其中具有突块结构的LED用以对在倒装片接合工艺期间LED与衬底之间的接合性能进行改进。
背景技术：
发光器件(LED)指的是可以通过形成发光源来发出各种颜色的光的半导体器件，其中各种颜色的光是通过改变化合物半导体的材料来实现的，这些化合物半导体的材料例如是砷化镓(GaAs)、铝砷化镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓铟(GaInP)等。可以以模块形式来制造LED。传统的LED模块是通过将LED安装在封装衬底上以制成为封装件形式、并将该LED封装接合到衬底上来制造的。然而，这种对传统LED模块的LED进行的封装工艺不仅导致了制造时间和制造成本的增加，还导致了模块总尺寸的增加。为了解决这些问题，已经开发出了一种将LED直接接合到衬底上的板上芯片(COB)型LED模块。COB型LED模块是通过使用突块将LED接合在包括金属图案的衬底上而制成的。然而，由于形成在LED中的至少两个突块具有不同的高度、面积和形状，所以降低了衬底与LED之间的接合性能。因 此，由于芯片分离会使LED模块的可靠性降低，并且由于接合面积的减小会使散热效率降低。
发明内容
总的来说，本发明思想提供了一种具有突块结构的发光器件(LED)及其制造方法以及一种使用该LED的LED模块，其中具有突块结构的LED用以对在倒装片接合工艺期间LED与衬底之间的接合性能进行改进。本发明总体思想的其它特征和用途在某种程度上会通过以下说明书得以阐明，并且在某种程度上，通过说明书将是显而易见的，或者通过对本发明总体思想的实践是可以被了解的。本发明总体思想的前述和/或其它特征和用途是通过提供包含以下特征的LED来实现的，所述LED包括顺序形成在发光衬底上的第一半导体层、有源层、和第二半导体层；形成在所述第一半导体层的凹陷区域中的第一电极，所述第一半导体层的凹陷区域是通过去除所述第一半导体层的一部分形成的；形成在所述第二半导体层上的第二电极；形成在所述第一电极和所述第二电极上以暴露出所述第一电极的一个区域和所述第二电极的一个区域的钝化层；形成在第一区域中的第一突块，所述第一区域包括经所述钝化层暴露出来的第一电极并且所述第一区域延伸到所述第二电极的在其上形成有所述钝化层的另外区域；以及形成在第二区域中的第二突块，所述第二区域包括经所述钝化层暴露出来的第二电极。所述第二电极可以包括形成在所述第二半导体层上的多个电极焊盘，以及形成在所述多个电极焊盘上的中间连接焊盘。所述第一区域和所述第二区域可以在所述第二半导体层上左右对称。所述第一突块和所述第二突块可以基于所述第二半导体层具有相同的高度。所述第一区域和所述第二区域可以具有相同的面积。本发明总体思想的前述和/或其它特征和用途还可以通过提供一种制造LED的方法来实现，所述方法包括步骤在发光衬底上顺序形成第一半导体层、有源层、和第二半导体层；去除所述第一半导体层的一部分以在所述第一半导体层内形成凹陷；在所述第一半导体层的凹陷内形成第一电极；在所述第二半导体层上形成第二电极；在所述第一电极和所述第二电极上形成钝化层；刻蚀所述钝化层以暴露所述第一电极的一个区域和所述第二电极的一个区域；在第一区域中形成第一突块，所述第一区域包括经所述钝化层暴露出来的第一电极并且所述第一区域延伸到所述第二电极的在其上形成有所述钝化层的另外区域；以及在第二区域中形成第二突块，所述第二区域包括经所述钝化层暴露出来的第二电极。形成所述第二电极的步骤可以包括在所述第二半导体层上形成多个电极焊盘，以及在所述多个电极焊盘上形成中间连接焊盘。
形成所述第一突块和形成所述第二突块的步骤可以包括在所述第二半导体层上布置掩模，该掩模在对应于所述第一区域和所述第二区域的位置处有孔，以及在所述孔上丝网印刷金属材料。形成所述第一突块和形成所述第二突块的步骤可以包括在所述第一区域和所述第二区域中使焊球突出。所述第一区域和所述第二区域可以在所述第二半导体层上左右对称。形成所述第一突块的步骤可以包括将所述第一突块形成为基于所述第二半导体层与所述第二突块具有相同的高度。所述第一区域和所述第二区域可以具有相同的面积。所述钝化层可以由从包括以下物质的组中任选的一种来形成，这些物质为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、以及氮氧化硅(SiOxNy)。本发明总体思想的前述和/或其它特征和用途还可通过提供一种LED模块来实现的，所述LED模块包括包含第一金属图案和第二金属图案的衬底以及被倒装片接合到所述衬底上的至少一个LED，所述至少一个LED包括形成在发光结构的一个面上的第一电极和第二电极；形成在所述第一电极和所述第二电极上以暴露出所述第一电极的一个区域和所述第二电极的一个区域的钝化层；形成在第一区域中并接合到所述第一金属图案的第一突块，所述第一区域包括经所述钝化层暴露出来的第一电极并且所述第一区域延伸到所述第二电极的在其上形成有所述钝化层的另外区域；以及形成在第二区域中并接合到所述第二金属图案的第二突块，所述第二区域包括经所述钝化层暴露出来的第二电极。
所述第一突块和所述第二突块可以基于所述发光结构具有相同的高度。本发明总体思想的前述和/或其它特征和用途还可通过提供一种发光器件(LED)来实现的，所述发光器件包括在第一半导体层的第一区域处被布置在该第一半导体层上的第一电极；布置在位于所述第一半导体层的第二区域上方的第二半导体层上的第二电极；延伸越过所述第一半导体层的第一区域和第二区域并位于所述第一电极和所述第二电极上方以暴露所述第一电极的一部分和所述第二电极的一部分的钝化层；延伸越过第一范围的第一突块，所述第一范围包括所述第一电极并包括所述第二电极的在其上形成有所述钝化层的第一区段；以及延伸越过第二范围的第二突块，所述第二范围包括所述第二电极。所述第二突块可以从所述第二电极的在其上形成有所述钝化层的第一区段延伸到所述第二电极的在其上形成有所述钝化层的第二区段。所述LED还可包括布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层。所述第一突块和所述第二突块的顶部相对于彼此可以是平坦的。所述第二电极可以包括形成在所述第二半导体层上的多个电极焊盘，以及用于将所述多个电极焊盘电连接的中间连接焊盘。所述第一突块可以包含这样一个范围，在该范围中包括了所述第一电极和所述多个电极焊盘中的至少一个。所述LED还可以包括布置在所述第一半导体层下方以形成发光结构的发光衬底。本发明总体思想的前述和/或其它特征和用途还可通过提供一种用于耦接到衬底上以形成倒装片模块的发光器件(LED)来实现的，所述发光器件包括包括凹陷部分和非凹陷部分的第一半导体层；布置在所述第一半导体层的非凹陷部分上的有源层；布置在所述有源层上的第二半导体层；布置`在所述凹陷部分内的第一电极；布置在所述第二半导体层上的第二电极；延伸越过所述第一电极和所述第二电极以暴露所述第一电极的一个区域和所述第二电极的一个区域的钝化层；第一突块，该第一突块从所述钝化层中与所述第一电极接触的第一部分延伸到所述钝化层中与所述第二电极的第一区段接触的第二部分；以及第二突块，该第二突块从所述钝化层中与所述第二电极的第一区段接触的第二部分延伸到所述钝化层中与所述第二电极的第二区段接触的第三部分。可以将所述LED上下颠倒倒装，以将所述第一突块和所述第二突块耦接到所述衬
。
通过下面结合附图对示例实施例进行的描述将会使本发明总体思想的这些和/或其它特征和用途更加清楚和易于理解，在所述附图中图1是根据本发明总体思想的一个示例实施例的发光器件(LED)的结构的顶视图；图2是沿直线1-1’截取的图1的LED的截面图；图3是根据本发明总体思想的另一示例实施例的LED结构的顶视图；图4是沿直线L-L’截取的图3的LED的截面图；图5至图8是用于描述根据本发明总体思想的一个示例实施例的LED制造方法的截面图；以及
图9是根据本发明总体思想的示例实施例的倒装片接合方案的LED模块的截面图。
具体实施例方式现在将对附图中所示出的本发明总体思想的示例性实施例进行参考，其中全部附图中的相似参考标号指的是相似的组件。以下参考附图对这些实施例进行描述以说明本发明的总体思想。当确定某些详细描述涉及相关的已知功能或结构并且这些描述可能会不必要地模糊本发明目的在说明书中的地位时，将会省略这些详细描述。另外在本文中使用的术语是为了适当描述本发明示例的实施例而定义的，因此，这些术语可能会根据用户、操作者的意图或者惯例而发生改变。因此，必须根据本说明书的以下全部描述内容来定义这些术语。图1是根据本发明总体思想的一个示例实施例的发光器件(LED) 100的结构的顶视图，图2是沿线1-1’截取的图1的LED 100的截面图。参考图2，LED 100可以包括发光衬底110、第一半导体层121、有源层122、第二半导体层123、第一电极13 0、第二电极140、钝化层150、第一突块170、和第二突块160。在图1中，尽管只示出了形成在第一半导体层121上的第一电极130和形成在第二半导体层123上的第二电极140，但LED 100还可以包括如图2所示的第一突块170和第二突块160。第一半导体层121、有源层122和第二半导体层123可被形成在发光衬底110上以形成发光结构。发光衬底110可以是蓝宝石衬底或碳化硅(SiC)衬底，但发光衬底的材料并不限于此。第一半导体层121可以包括通过用刻蚀工艺去除第一半导体层121的一部分而形成的凹陷区域121a。第一电极130可以形成在第一半导体层121的凹陷区域121a中。第二电极140可以形成在第二半导体层123上。第一电极130和第二电极140的面积可以不同。例如，如图1所示，第一电极130可以被形成在第一半导体层121的凹陷区域121a内，该区域仅仅是第一半导体层121的一部分，而第二电极140可以被形成在第二半导体层123中除了边缘区域以外的整个区域中。也就是说，第一电极130和第二电极140的位置和面积可以根据不同的示例实施例而有所变化。钝化层150可被形成在第一电极130和第二电极140上以暴露出第一电极130的一个区域和第二电极140的一个区域。也就是说，第一电极130的另外区域和第二电极140的另外区域可以被钝化层150覆盖从而不被暴露。上述第一电极130的另外区域和第二电极140的另外区域可以是这些电极各自的外侧区域。第一突块170可以被形成在第一区域A中。第一区域A可以指的是这样的一个区域，该区域包括第一电极130中经钝化层150被暴露出来的部分，并且该区域延伸到第二电极140中形成有钝化层150的另外区域。也就是说，第一突块170可以没有形成在第二电极140中经钝化层150暴露出来的部分上，而是可以形成在被钝化层150覆盖的第二电极140上。在该示例中，第一突块170可以不与第二电极140电连接。
第二突块160可被形成在第二区域B中。第二区域B可以指的是这样一个区域，该区域包括了第二电极140中经钝化层150被暴露出来的部分。在图1和图2中，第二电极140的另外区域可以不与第二突块160直接接触。然而，可以通过第二电极140中经钝化层150被暴露出来的部分接收电信号来对LED 100进行操作。其中可以形成有第一突块170的第一区域A以及其中可以形成有第二突块160的第二区域B可以在第二半导体层123上左右对称。由于第一突块170可以与第一电极130接触并且可被形成为延伸到第二电极140的另外区域的部分，所以第一突块170的面积是可调整的。因此，通过将第一区域A的面积和第二区域B的面积设置为彼此相等，可以使第一突块170和第二突块160具有相同的面积。第二半导体层123上由第一突块170和第二突块160所占面积的百分比可被调整到大约75%到95%的范围内。根据一般模拟的结果，当突块面积与LED面积相比增加11%时，LED内部结的温度下降2%。因此，通过增加第一突块170和第二突块160的面积百分t匕，能够增大倒装片接合工艺期间LED与衬底之间的接合面积，从而可以改进散热效率。图3是根据本发明总体思想的另一示例实施例的LED 200的结构的顶视图。图4是沿线L-L’截取的图3的LED 200的截面图。 参考图4，LED 200可以包括发光衬底210、第一半导体层221、有源层222、第二半导体层223、第一电极230、第二电极240、钝化层260、第一突块280、和第二突块270。在图4中，第二电极240可以包括多个电极焊盘241和一个中间连接焊盘242。在图3中，尽管只示出了形成在第一半导体层221上的第一电极230和形成在第二半导体层223上的多个电极焊盘241，但LED 200还可以包括如图4所示的中间连接焊盘242、钝化层260、第一突块280和第二突块270。第一半导体层221、有源层222和第二半导体层223可以被顺序形成在发光衬底210 上。第一电极230可以被形成在第一半导体层221的凹陷区域221a中。第二电极240可以被形成在第二半导体层223上。如前所述，第二电极240可以包括多个电极焊盘241以及中间连接焊盘242。图3和图4中示出的第二电极240可以包括在第二半导体层223上分割形成的多个电极焊盘241，而图1和图2所示的第二电极140可以被形成为第二半导体层123上的单个层。中间连接焊盘242可以被形成在多个电极焊盘241上。因此，可以将中间连接焊盘242形成在电极区域C中，该电极区域C既包括第二半导体层223又包括多个电极焊盘241，并且中间连接焊盘242可以与多个电极焊盘241接触。中间连接焊盘242可以由金属材料形成，用以将多个电极焊盘241彼此电连接。而且，中间连接焊盘242可以由具有较大导热性的金属材料形成，用以快速传导在发光结构中所产生的热。钝化层260可以被形成在第一电极230和中间连接焊盘242上以暴露出第一电极230的一个区域和中间连接焊盘242的一个区域。
第一突块280可以被形成在第一区域D中，该第一区域D包括第一电极230中经钝化层260被暴露出来的部分，并且该第一区域D延伸到中间连接焊盘242中形成有钝化层260的另外区域。也就是说，第一突块280可以与第一电极230接触，并且可以延伸到被钝化层260覆盖的中间连接焊盘242的区域。第二突块270可被形成在第二区域E中，该第二区域E包括了中间连接焊盘242中经钝化层260被暴露出来的部分。参考图3和图4，可通过改变第一区域D和第二区域E的位置、面积和形状来改变第一突块280和第二突块270的设计。因此，可以提供用于执行突块制造工艺和倒装片接合工艺的不同类型设备的多样性和较大数量，因此能减小批量生产过程中的制造成本。图5至图8是用于描述根据本发明总体思想的一个示例实施例的LED制造方法的截面图。参考图5，该方法可以包括在发光结构上形成第一电极330和第二电极340的工序。具体来说，发光结构可以通过如下步骤制成在发光衬底310上顺序形成第一半导体层321、有源层322、和第二半导体层323;在第一半导体层321上形成第一电极330 ;以及在第二半导体层323上形成第二电极340。从而对发光结构进行台面刻蚀以使第一半导体层321的一部分(即，凹陷 区域321a)可以是凹陷的。可以将第一电极330形成在第一半导体层321的凹陷区域321a中。参考图6，该方法可以包括在第一电极330和第二电极340上形成钝化层350的工序。具体来说，可以通过在经台面刻蚀的第一半导体层321上、经台面刻蚀得到的凹陷区域321a的侧面上以及第二半导体层323上沉积氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、以及氮氧化硅(SiOxNy)的任意一种来形成钝化层350。从而，可以将钝化层350的高度确定为使得第一电极330和第二电极340都可以被钝化层350覆盖。参考图7，该方法可以包括对钝化层350进行刻蚀以暴露出第一电极330的一个区域和第二电极340的一个区域的工序。在该示例中，可以考虑在其中形成第一突块的第一区域以及在其中形成第二突块的第二区域的位置、面积和形状来对钝化层350进行刻蚀。参考图8，该方法可以包括形成第一突块370和第二突块360的工序。具体来说，可以将第一突块370形成在第一区域F中，该第一区域F包括经钝化层350被暴露出来的第一电极330，并且该第一区域F延伸到第二电极340中形成有钝化层350的另外区域。在该示例中，第二电极340的另外区域可以指的是第二电极340中没有经钝化层350暴露出来的区域。另外，可以将第二突块360形成在第二区域G中，该第二区域G包括了经钝化层350暴露出来的第二电极340。可以使用丝网印刷方案或焊球形成方案来形成第一突块370和第二突块360，但突块形成方法并不限于此。在丝网印刷方案中，在第二半导体层323上安装掩模(未示出)，该掩模在对应于第一区域F和第二区域G的位置处有孔。通过在掩模的孔上丝网印刷金属材料，可以在第一区域F中形成第一突块370并且在第二区域G中形成第二突块360。在焊球形成方案中，可以通过将焊球施加到第一区域F和第二区域G来形成第一突块370和第二突块360。如上所述，形成第一突块370和第二突块360的方案并不限于前述方案，而是还可以替代地使用导电粘合剂。在图8中，可以将第一突块370和第二突块360形成为基于第二半导体层323具有相同的高度。而且，还可以将第一区域F和第二区域G形成为具有相同的面积并且在第二半导体层323上左右对称。尽管并未在图5至图8中示出，但在将第二电极340形成为第二半导体层323上的多个电极焊盘而非形成为第二半导体层323上的单个层时，还可以在多个电极焊盘上形成中间连接焊盘(未示出)。具体来说，单个中间连接焊盘可与多个电极焊盘接触，从而将从LED300外部传送来的电信号传送到多个电极焊盘。当形成中间连接焊盘时，可以将钝化层350形成在第一电极330和中间连接焊盘上，并且可以对钝化层350进行刻蚀以暴露出第一电极330的一个区域以及中间连接焊盘的一个区域。可使用图8所示的方案来执行在第一电极330和中间连接焊盘上形成第一突块和第二突块的工序。也可以通过上述工序来制造图3和图4所示的LED 200。图9是根据本发明总体思想的示例实施例的倒装片接合方案的LED模块900的截面图。参考图9，LED模块900可以对应于板上芯片(COB)型模块，其中可以将图1和图2所示的LED 100直接接合到衬底910上。衬底910可以包括第一金属图案920和第二金属图案930。第一金属图案920和第二金属图案930可以被形成为与LED 100所包含的第一突块170和第二突块160的位置、面积和形状相对应的形式。LED 100可以是接合 到衬底910上的倒转片，从而可以将第一突块170和第二突块160接合到第一金属图案920和第二金属图案930。在该示例中，第一突块170和第二突块160可以占据第二半导体层123上大于90%的面积，并且衬底910与LED 100的接合面积所占据的百分比也将大于90%。因此，第一突块170和第二突块160可以执行底层填充功能，并且可以省略衬底910与LED 100接合之后的单独的底层填充工序。第一突块170和第二突块160在第二半导体层123上可以具有相同的面积，从而第一突块170和第一金属图案920之间的接合性能与第二突块160和第二金属图案930之间的接合性能会得到平衡。第一突块170和第二突块160基于第二半导体层123可以具有相同的高度，从而可防止由于第一突块170与第二突块160之间的高度差所导致的芯片分离现象。根据本发明总体思想的实施例的LED及其制造方法可以形成左右对称的并且基于发光结构具有相同的面积和相同的高度的第一突块和第二突块，从而改进了 LED与衬底之间的接合性能以及LED模块制造工艺中的散热效率。根据本发明总体思想的实施例的LED及其制造方法可以增大由第一突块和第二突块在发光结构表面上所占据的面积，从而省略了 LED模块制造工艺中的底层填充工序。根据本发明总体思想的实施例，一种LED及其制造方法可以增加用于执行突块制造工艺和倒装片接合工艺所使用的不同类型设备的多样性和数量，由于可以容易地改变对第一突块和第二突块的设计，因此减小了批量生产过程中的制造成本。尽管已经示出并描述了本发明总体思想的一些示例实施例，但本发明的总体思想并不限于所述这些示例实施例。相反，本领域技术人员将会意识到的是，在不脱离本发明总体思想的原理和精神的情况下，可对这些示例实施例进行改变，而本发明的范围将由权利要求及其等效物进行定义。
权利要求
1.一种发光器件，包括 顺序形成在发光衬底上的第一半导体层、有源层、和第二半导体层； 形成在所述第一半导体层的凹陷区域中的第一电极，所述第一半导体层的凹陷区域是通过去除所述第一半导体层的一部分形成的； 形成在所述第二半导体层上的第二电极； 形成在所述第一电极和所述第二电极上以暴露出所述第一电极的一个区域和所述第二电极的一个区域的钝化层； 形成在第一区域中的第一突块，所述第一区域包括经所述钝化层暴露出来的第一电极并且所述第一区域延伸到所述第二电极的在其上形成有所述钝化层的另外区域；以及形成在第二区域中的第二突块，所述第二区域包括经所述钝化层暴露出来的第二电极。
2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极包括 形成在所述第二半导体层上的多个电极焊盘；以及 形成在所述多个电极焊盘上的中间连接焊盘。
3.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一区域和所述第二区域在所述第二半导体层上左右对称。
4.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一突块和所述第二突块基于所述第二半导体层具有相同的高度。
5.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一区域和所述第二区域具有相同的面积。
6.一种制造发光器件的方法，所述方法包括步骤 在发光衬底上顺序形成第一半导体层、有源层、和第二半导体层； 去除所述第一半导体层的一部分以在所述第一半导体层内形成凹陷； 在所述第一半导体层的凹陷内形成第一电极； 在所述第二半导体层上形成第二电极； 在所述第一电极和所述第二电极上形成钝化层； 刻蚀所述钝化层以暴露所述第一电极的一个区域和所述第二电极的一个区域； 在第一区域中形成第一突块，所述第一区域包括经所述钝化层暴露出来的第一电极并且所述第一区域延伸到所述第二电极的在其上形成有所述钝化层的另外区域；以及在第二区域中形成第二突块，所述第二区域包括经所述钝化层暴露出来的第二电极。
7.如权利要求6所述的方法，其中形成所述第二电极的步骤包括 在所述第二半导体层上形成多个电极焊盘；以及 在所述多个电极焊盘上形成中间连接焊盘。
8.如权利要求6所述的方法，其中形成所述第一突块和形成所述第二突块的步骤包括 在所述第二半导体层上布置掩模，该掩模在对应于所述第一区域和所述第二区域的位置处有孔；以及 在所述孔上丝网印刷金属材料。
9.如权利要求6所述的方法，其中形成所述第一突块和形成所述第二突块的步骤包括在所述第一区域和所述第二区域中使焊球突出。
10.如权利要求6所述的方法，其中所述第一区域和所述第二区域在所述第二半导体层上左右对称。
11.如权利要求6所述的方法，其中形成所述第一突块的步骤包括将所述第一突块形成为基于所述第二半导体层与所述第二突块具有相同的高度。
12.如权利要求6所述的方法，其中所述第一区域和所述第二区域具有相同的面积。
13.如权利要求6所述的方法，其中所述钝化层由从包括以下物质的组中任选的一种来形成，这些物质为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、以及氮氧化硅(SiOxNy)。
14.一种发光器件模块,包括 包含第一金属图案和第二金属图案的衬底；以及 被倒装片接合到所述衬底上的至少一个发光器件，所述至少一个发光器件包括 形成在发光结构的一个面上的第一电极和第二电极； 形成在所述第一电极和所述第二电极上以暴露出所述第一电极的一个区域和所述第二电极的一个区域的钝化层； 形成在第一区域中并接合到所述第一金属图案的第一突块，所述第一区域包括经所述钝化层暴露出来的第一电极并且所述第一区域延伸到所述第二电极的在其上形成有所述钝化层的另外区域；以及 形成在第二区域中并接合到所述第二金属图案的第二突块，所述第二区域包括经所述钝化层暴露出来的第二电极。
15.根据权利要求14所述的发光器件模块，其中所述第一突块和所述第二突块基于所述发光结构具有相同的高度。
全文摘要
本发明涉及一种发光器件及其制造方法，和使用该发光器件的发光器件模块。该发光器件包括顺序形成在发光衬底上的第一半导体层、有源层、和第二半导体层；形成在通过去除第一半导体层的一部分而被暴露出来的区域中的第一电极；形成在第二半导体层上的第二电极；形成在第一电极和第二电极上以暴露第一电极的一个区域和第二电极的一个区域的钝化层；形成在第一区域中的第一突块，该第一区域包括经钝化层暴露出来的第一电极并且该第一区域延伸到第二电极的在其上形成有钝化层的另外区域；以及形成在第二区域中的第二突块，该第二区域包括经钝化层暴露出来的第二电极。
文档编号H01L33/38GK103066180SQ201210397260
公开日2013年4月24日 申请日期2012年10月18日 优先权日2011年10月18日
发明者白好善, 金学焕, 崔一兴, 文敬美 申请人:三星电子株式会社