专利名称：一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置。
背景技术：
薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay, TFT-1XD)由于其具有体积小、功耗低、无辐射等优点，是较为理想的显示设备。近年来，TFT-LCD在显示领域的应用范围逐步扩大，相关的技术也发展迅速。在现有技术中，高级超维场转换技术ADS (Advanced Super Dimension Switch)型TFT-1XD主要通过五次构图工艺来完成，其中，薄膜场效应晶体管TFT沟道的形成须使用灰色调掩模板。但是，在实际应用中发现，使用灰色调掩模板形成TFT沟道图案可控性差，工艺性能不稳定。
发明内容
本发明的目的是提供一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置，以解决现有工艺在制作TFT-LCD阵列基板的过程中，采用灰色调掩模板形成TFT沟道图案可控性差，工艺性能不稳定的问题。本发明的目的是通过以下技术方案实现的:本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，步骤如下:步骤1、提供一基板，在所述基板上形成第一导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图案；步骤2、在形成上 述图案的所述基板上形成金属薄膜，通过构图工艺形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案；步骤3、在形成上述图案的所述基板上形成半导体层薄膜，通过构图工艺形成包括半导体层的图案；步骤4、在形成上述图案的所述基板上形成栅极绝缘层薄膜，通过构图工艺形成包括栅极绝缘层和过孔的图案；所述过孔的位置对应于所述栅电极线和所述公共电极线的位置，所述过孔露出部分所述栅电极线和公共电极线；步骤5、在形成上述图案的所述基板上形成第二导电薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案；所述栅电极能过部分所述过孔与所述栅电极线连接，所述公共电极通过部分所述过孔与所述公共电极线连接。优选的，所述步骤I，包括:步骤11、在所述基板上形成所述第一导电薄膜；步骤12、在所述第一导电薄膜上涂覆光刻胶；步骤13、采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述像素电极的图案；
步骤14、刻蚀所述光刻胶完全剥离区域的所述第一导电薄膜，形成包括所述像素电极的图案；步骤15、剥离所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶。优选的，所述步骤2，包括:步骤21、形成所述金属薄膜；步骤22、在所述金属薄膜上涂覆光刻胶；步骤23、采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案；步骤24、刻蚀所述光刻胶完全剥离区域的所述金属薄膜，形成包括所述公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案；步骤25、剥离所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶。优选的，所述步骤3，包括:步骤31、形成所述半导体层薄膜；步骤32、在所述半导体层薄膜上涂覆光刻胶；步骤33、采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述半导体层的图案；步骤34、刻蚀所述光刻胶完全剥离区域的所述半导体层薄膜，形成包括所述半导体层的图案；步骤35、剥离所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶。优选的，所述半导体层薄膜为非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜；所述形成所述半导体层薄膜具体为:先形成所述非晶硅薄膜，后形成掺杂非晶硅薄膜。优选的，所述半导体层薄膜为氧化物薄膜，所述氧化物薄膜为铟氧化物薄膜、锌氧化物薄膜、锡氧化物薄膜或铟镓锌氧化物薄膜中的任一种薄膜。优选的，所述步骤4，包括:步骤41、形成所述栅极绝缘层薄膜；步骤42、在所述栅极绝缘层薄膜上涂覆光刻胶；步骤43、采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述栅极绝缘层和过孔的图案；步骤44、刻蚀所述光刻胶完全剥离区域的所述栅极绝缘层薄膜，形成包括所述栅极绝缘层和过孔的图案；步骤45、剥离所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶。优选的，所述步骤5，包括:步骤51、形成所述第二导电薄膜；步骤52、在所述第二导电薄膜上涂覆光刻胶；步骤53、采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述栅电极和公共电极的图案；步骤54、刻蚀所述光刻胶完全剥离区域的所述第二导电薄膜，形成包括所述栅电极和公共电极的图案；步骤55、剥离所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶。本发明实施例有益效果如下:在基板的同一层同步形成TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间形成半导体层，该过程可控性好，工艺性能稳定；且不需要灰色调掩膜板，减少了工艺步骤，节约成本。本发明实施例提供一种阵列基板，该阵列基板采用上述阵列基板的制造方法制造。优选的，还包括公共电极线，所述公共电极线形成于所述所述基板上，与所述栅电极线、数据线、源电极和漏电极为同层设置且同步形成。优选的，还包括公共电极，所述公共电极形成于所述栅极绝缘层之上；所述公共电极通过贯穿所述栅极绝缘层的过孔与所述公共电极线连接。优选的，所述公共电极与所述栅电极为同层设置且同步形成。优选的，所述半导体层包括非晶硅半导体层和掺杂非晶硅半导体层，所述非晶硅半导体层位于所述掺杂非晶硅半导体层的下方。优选的，所述半导体层包括氧化物层，所述氧化物层为铟氧化物层、锌氧化物层、锡氧化物层或铟镓锌氧化物层中的任一种。本发明实施例提供一种液晶显示装置，包括如上所述的阵列基板。本发明实施例有益效果如下:阵列基板具有在的同一层且同步形成的TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极，源电极和漏电极之间形成有半导体层，由于本发明只进行一次绝缘层形成和刻蚀，可以使公共电极与像素电极之间的绝缘层的厚度可控，工艺性能稳定；且不需要灰色调掩膜板，减少了工艺步骤，节约工艺制作时间和成本。
图1为本发明实施例一所述阵列基板的制造方法的流程图；图2至图6为本发明实施例一所述方法的各步骤的分步流程图；图7为本发明实施例二所述阵列基板的局部俯视示意图；图8为本发明实施例二所述阵列基板根据图7中的AA'处剖面的展开剖面示意图(BBi部分省略)；图9A至图9D为本发明实施例四所述阵列基板分步制作的局部示意图。
具体实施例方式下面结合说明书附图对本发明实施例的实现过程进行详细说明。本发明实施例一提供一种阵列基板的制造方法，如图1所示，步骤如下:步骤S101，提供一基板，在基板上沉积第一导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图案。在步骤SlOl中，上述基板可以是玻璃基板、石英基板等基于无机材料的衬底基板，也可以是采用有机材料的衬底基板；
上述第一导电薄膜的材料可以是氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(IZO, Indium ZincOxide)等。步骤S102，在形成上述图案的基板上形成金属薄膜，通过构图工艺形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案。步骤S103，在形成上述图案的基板上形成半导体层薄膜，通过构图工艺形成包括半导体层的图案。步骤S104，在形成上述图案的基板上形成栅极绝缘层薄膜，通过构图工艺形成包括栅极绝缘层和过孔的图案；过孔形成于栅绝缘层上对应栅电极线和公共电极线的位置，过孔露出部分栅电极线和公共电极线。步骤S105，在形成上述图案的基板上形成第二导电薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案；栅电极和公共电极分别通过过孔与栅电极线和公共电极线连接。优选的，如图2所示，步骤SlOl:在基板上沉积第一导电薄膜，通过构图工艺形成像素电极的图案，具体包括:步骤S1011，在基板上沉积第一导电薄膜。步骤S1012，在第一导电薄膜上涂覆光刻胶。步骤S1013，采用掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，光刻胶完全保留区域对应像素电极的图案。步骤S1014，刻蚀光刻胶完全剥离区域的第一导电薄膜，形成包括像素电极的图案。步骤S1015，剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶。优选的，如图3所示，步骤S102:在形成上述图案的基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案，包括:步骤S1021，在步骤SlOl形成的基板上沉积金属薄膜。步骤S1022，在金属薄膜上涂覆光刻胶。步骤S1023，采用掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，光刻胶完全保留区域对应公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案。步骤S1024，刻蚀光刻胶完全剥离区域的金属薄膜，形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案。步骤S1025，剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶。优选的，如图4所示，步骤S103:在形成上述图案的基板上沉积半导体层薄膜，通过构图工艺形成包括半导体层的图案，包括:步骤S1031，在步骤S102形成的基板上沉积半导体层薄膜。步骤S1032，在半导体层薄膜上涂覆光刻胶。步骤S1033，采用掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，光刻胶完全保留区域对应半导体层的图案。步骤S1034，刻蚀光刻胶完全剥离区域的半导体层薄膜，形成包括半导体层的图案。步骤S1035，剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶。
优选的，半导体层薄膜为非晶硅薄膜或掺杂非晶硅薄膜，其中先沉积非晶硅薄膜，后沉积掺杂非晶硅薄膜。当然，半导体层薄膜也可以为氧化物薄膜，该氧化物薄膜可以铟氧化物薄膜、锌氧化物薄膜、锡氧化物薄膜或铟镓锌氧化物薄膜等可用作氧化物薄膜的材料薄膜中的任意一种。优选的，如图5所示，步骤S104:在形成上述图案的基板上沉积栅极绝缘层薄膜，通过构图工艺形成包括栅极绝缘层和过孔的图案，包括:步骤S1041，在步骤S103形成的基板上沉积栅极绝缘层薄膜。步骤S1042，在栅极绝缘层薄膜上涂覆光刻胶。步骤S1043，采用掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，光刻胶完全保留区域对应栅极绝缘层和过孔的图案。步骤S1044，刻蚀光刻胶完全剥离区域的栅极绝缘层薄膜，形成包括栅极绝缘层和过孔的图案；步骤S1045，剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶。优选的，如图6所示，步骤S105:在形成上述图案的基板上沉积第二导电薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案，包括:步骤S1051，在步骤S104形成的基板上沉积第二导电薄膜。步骤S1052，在第二导电薄膜上涂覆光刻胶。步骤S1053，采用掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，光刻胶完全保留区域对应栅电极和公共电极的图案。步骤S1054，刻蚀光刻胶完全剥离区域的第二导电薄膜，形成包括栅电极和公共电极的图案。步骤S1055，剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶。优选的，第一导电薄膜和第二导电薄膜为透明导电薄膜。此外，优选的，在步骤S101、S102和S105中采用湿法刻蚀，在步骤S103和步骤S104中采用干法刻蚀。本发明实施例有益效果如下:在基板的同一层同步形成TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间形成半导体层，由于本发明只进行一次绝缘层沉积和刻蚀，可以使公共电极与像素电极之间的绝缘层的厚度可控，工艺性能稳定；且不需要灰色调掩膜板，减少了工艺步骤，节约工艺制作时间和成本。本发明实施例二提供一种阵列基板，如图7所示阵列基板的俯视图的局部示意图，为了清晰示出阵列基板的各个组成部分，部件间重叠的部分同样以实线示出。该阵列基板包括一基板1，基板I上形成有纵横交叉的栅电极线2、数据线3和像素单元(像素单元未在图7中进行标号)，每个像素单元包括薄膜场效应晶体管TFT开关5和像素电极6，TFT开关5包括栅电极51、源电极52、漏电极53和半导体层54 ；像素电极6、栅电极线2、数据线3、源电极52和漏电极53形成于基板上I ;源电极52与数据线3连接；漏电极53的部分区域形成于像素电极6之上，该区域与像素电极6连接；半导体层54形成于源电极52和漏电极53之间，并与源电极52和漏电极53连接；半导体层54上方形成有栅极绝缘层7 (栅极绝缘层7在图7中未示出)，栅极绝缘层7覆盖基板I ;栅电极51形成于栅极绝缘层7之上，栅电极51通过贯穿栅极绝缘层7的过孔10与栅电极线2连接。为了更清楚的说明以上结构，由图7中所示AA'处进行剖面，从而得于如图8所示的展开剖面示意图(省略图7中所示的BB'处剖面)，其中包括栅极绝缘层7，栅极绝缘层7
覆盖基板I。优选的，还包括公共电极线8，公共电极线8形成于基板I上，与栅电极线2、数据线3、源电极52和漏电极53同层设置且同步形成。优选的，还包括公共电极9，公共电极9形成于栅极绝缘层7之上；公共电极9通过贯穿栅极绝缘层7的过孔10与公共电极线8连接。优选的，公共电极9与栅电极51同层设置且同步形成。此外，优选的，半导体层54包括非晶硅半导体层和掺杂非晶硅半导体层(非晶硅半导体层和掺杂非晶硅半导体层未在图7和图8中标注)，非晶硅半导体层位于掺杂非晶硅半导体层的下方；或者，优选的，半导体层54包括氧化物层，氧化物层为铟氧化物层、锌氧化物层、锡氧化物层或铟镓锌氧化物层等可用作氧化物层的材料中的任意一种。本发明实施例三提供一种液晶显示装置，包括如上所述的阵列基板。本发明实施例有益效果如下:阵列基板具有在的同一层且同步形成的TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极，源电极和漏电极之间形成有半导体层，由于本发明只进行一次绝缘层沉积和刻蚀，可以使公共电极与像素电极之间的绝缘层的厚度可控，工艺性能稳定；且不需要灰色调掩膜板，减少了工艺步骤，节约工艺制作时间和成本。本发明实施例四，对本发明的阵列基板的制作过程进行详细描述，如图9A至图9D所示，其中基板未示出。步骤如下:步骤一，在基板上沉积第一导电薄膜，通过构图工艺形成如图9A所示的像素电极6的图案。步骤二，在形成上述图案的基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺形成如图9B所示的包括公共电极线8、栅电极线2、数据线3、源电极52和漏电极53的图案。公共电极线8、栅电极线2、数据线3、源电极52和漏电极53的图案为同步完成。需要注意的是，数据线3与源电极52为同步形成的一体结构，源电极52为虚线内的所不出的部分。步骤三，在形成上述图案的基板上沉积半导体层薄膜，通过构图工艺形成形成如图9C所示的包括半导体层54的图案。其中，步骤三中半导体层薄膜为掺杂非晶硅薄膜和非晶硅薄膜；因此需要先沉积所述掺杂非晶硅薄膜，后沉积非晶硅薄膜。需要指出的是，当半导体层薄膜为氧化物薄膜时，只需要一次沉积。步骤四，在形成上述图案的基板上沉积栅极绝缘层薄膜，通过构图工艺形成如图9D所示的包括栅极绝缘层7 (图9C中未示出，参考图8所示的阵列基板的局部剖面图)和过孔10的图案；过孔10形成于栅绝缘层7上对应栅电极线2和公共电极线8的位置，过孔10露出部分栅电极线2和公共电极线8。步骤五，在形成上述图案的基板上沉积第二导电薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极51和公共电极9的图案(如图7所示阵列基板的局部俯视图);其中，栅电极51和公共电极9分别通过过孔10与栅电极线2和公共电极线8连接。在上述制作过程中，只进行一次绝缘层沉积和刻蚀，可以使公共电极与像素电极之间的绝缘层的厚度可控，工艺性能稳定；且不需要灰色调掩膜板，减少了工艺步骤，节约工艺制作时间和成本。需要注意的是，以上各个实施例中涉及的薄膜的形成是以沉积为例进行说明，但并非对本发明实施方法的限定。在上述各个实施例中涉及的薄膜的形成可以包括:沉积、涂覆、溅射、打印等方法；所涉及的构图工艺包括:涂覆光刻胶、溅射、蒸镀、曝光显影、刻蚀、灰化和去除光刻胶等操作。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤如下: 步骤1、提供一基板，在所述基板上形成第一导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图案； 步骤2、在形成上述图案的所述基板上形成金属薄膜，通过构图工艺形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案； 步骤3、在形成上述图案的所述基板上形成半导体层薄膜，通过构图工艺形成包括半导体层的图案； 步骤4、在形成上述图案的所述基板上形成栅极绝缘层薄膜，通过构图工艺形成包括过孔的栅极绝缘层图案；所述过孔的位置对应于所述栅电极线和所述公共电极线的位置，所述过孔露出部分所述栅电极线和公共电极线； 步骤5、在形成上述图案的所述基板上形成第二导电薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案；所述栅电极能过部分所述过孔与所述栅电极线连接，所述公共电极通过部分所述过孔与所述公共电极线连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1，包括: 步骤11、在所述基板上形成所述第一导电薄膜； 步骤12、在所述第一导电薄膜上涂覆光刻胶； 步骤13、采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述像素电极的图案；步骤14、刻蚀所述光刻胶完全剥离区域的所述第一导电薄膜，形成包括所述像素电极的图案； 步骤15、剥离所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤2，包括: 步骤21、形成所述金属薄膜； 步骤22、在所述金属薄膜上涂覆光刻胶； 步骤23、采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案； 步骤24、刻蚀所述光刻胶完全剥离区域的所述金属薄膜，形成包括所述公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案； 步骤25、剥离所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶。
4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤3，包括: 步骤31、形成所述半导体层薄膜； 步骤32、在所述半导体层薄膜上涂覆光刻胶； 步骤33、采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述半导体层的图案；步骤34、刻蚀所述光刻胶完全剥离区域的所述半导体层薄膜，形成包括所述半导体层的图案； 步骤35、剥离所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶。
5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半导体层薄膜为非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜； 所述形成所述半导体层薄膜具体为:先形成所述非晶硅薄膜，后形成掺杂非晶硅薄膜。
6.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半导体层薄膜为氧化物薄膜，所述氧化物薄膜为铟氧化物薄膜、锌氧化物薄膜、锡氧化物薄膜或铟镓锌氧化物薄膜中的任一种薄膜。
7.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤4，包括: 步骤41、形成所述栅极绝缘层薄膜； 步骤42、在所述栅极绝缘层薄膜上涂覆光刻胶； 步骤43、采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述栅极绝缘层和过孔的图案； 步骤44、刻蚀所述光刻胶完全剥离区域的所述栅极绝缘层薄膜，形成包括所述栅极绝缘层和过孔的图案； 步骤45、剥离所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶。
8.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤5，包括: 步骤51、形成所述第二导电薄膜； 步骤52、在所述第二导电薄膜上涂覆光刻胶； 步骤53、采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全剥离区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应所述栅电极和公共电极的图案； 步骤54、刻蚀所述光刻胶完全剥离区域的所述第二导电薄膜，形成包括所述栅电极和公共电极的图案； 步骤55、剥离所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶。
9.一种阵列基板，其特征在于:该阵列基板采用权I至权8中任一阵列基板的制造方法制造。
10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，还包括公共电极线，所述公共电极线形成于所述所述基板上，与所述栅电极线、数据线、源电极和漏电极为同层设置且同步形成。
11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，还包括公共电极，所述公共电极形成于所述栅极绝缘层之上；所述公共电极通过贯穿所述栅极绝缘层的过孔与所述公共电极线连接。
12.如权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极与所述栅电极为同层设置且同步形成。
13.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层包括非晶硅半导体层和掺杂非晶硅半导体层，所述非晶硅半导体层位于所述掺杂非晶硅半导体层的下方。
14.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层包括氧化物层，所述氧化物层为铟氧化物层、锌氧化物层、锡氧化物层或铟镓锌氧化物层中的任一种。
15.一种液晶显示装置，其特征在于 ，包括如权利要求9至14任一项所述的阵列基板。
全文摘要
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置，方法步骤包括提供一基板，在基板上形成第一导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图案；进而形成金属薄膜，通过构图工艺形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案；进而形成半导体层薄膜，通过构图工艺形成包括半导体层的图案；进而形成栅极绝缘层薄膜，通过构图工艺形成包括栅极绝缘层和过孔的图案；在形成上述图案的基板上形成第二导电薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案。在基板的同一层同步形成TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极，源电极和漏电极之间形成半导体层，该过程可控性好，工艺性能稳定。
文档编号H01L27/02GK103107134SQ201310031370
公开日2013年5月15日 申请日期2013年1月28日 优先权日2013年1月28日
发明者徐传祥, 姚琪, 齐永莲, 陆金波 申请人:京东方科技集团股份有限公司