有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极复合层，所述阴极复合层由依次层叠的结晶掺杂层、金属硫化物掺杂层和阳极薄膜材料层组成。本发明的有机电致发光器件通过结晶掺杂层提高光子利用率，有效提高光的散射，使向两侧发射的光散射回到中间金属硫化物掺杂层，有效提高器件的稳定性、光的反射和阴极的导电性。
【专利说明】有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
【背景技术】
[0002]在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差(如玻璃与ΙΤ0之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ΙΤ0为1.8，光从ΙΤ0到达玻璃，就会发生全反射)，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，通过制备阴极复合层，来提高有机电致发光器件的出光效率。
[0004]本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为:一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为:阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极复合层，所述阴极复合层由结晶掺杂层、金属硫化物掺杂层和阳极薄膜材料层组成；其中，
所述结晶掺杂层由质量比为10: f 40:1的结晶材料与锌化合物组成，所述的结晶材料为1，2，4-三唑衍生物、2，2'-(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]、2，9-二甲基_4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或2，8- 二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩，所述的锌化合物为氧化锌、硫化锌、硒化锌或氯化锌；
所述金属硫化物掺杂层具有质量比为5:广20:1的金属硫化物与钝化材料，所述的金属硫化物材料为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜，所述的钝化材料为二氧化硅、氧化铝、氧化镍或氧化铜；
所述的阳极薄膜层的材质为铟锡氧化物靶材、铝锌氧化物靶材或铟锌氧化物靶材。
[0005]进一步地，所述结晶掺杂层的厚度为50nm?300nm。
[0006]进一步地，所述金属硫化物掺杂层的厚度为lOOnm?200nm。
[0007]进一步地,所述的阳极薄膜层的厚度为lOOnm?400nm。
[0008]进一步地，所述阳极导电基底的材质为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃或铟锌氧化物玻璃；
所述空穴注入层的材质为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒；
所述空穴传输层的材质为1，1-二 [4-[N，N, -二 (P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或1& -(1-萘基)_1& - 二苯基-4,4'-联苯二胺；
所述发光层的材质为4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’-双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，1，-联苯或8-羟基喹啉铝；
所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；
所述电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂。
[0009]本发明还提出一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
(a)清洗干净阳极导电基底，用蒸镀的方法在阳极导电基底上依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
(b)在蒸镀的方法下，在电子注入层上制备结晶掺杂层，然后在结晶掺杂层上制备金属硫化物掺杂层，接着在金属硫化物掺杂层上制备阳极薄膜材料层；其中，
所述结晶掺杂层的材质具有质量比为10:广40:1的结晶材料与锌化合物，所述的结晶材料为1，2，4-三唑衍生物、2，2' -(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4_恶二唑]、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或2，8-二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩，所述的锌化合物为氧化锌、硫化锌、硒化锌或氯化锌；
所述金属硫化物掺杂层具有质量比为5: f 20:1的金属硫化物与钝化材料，所述的金属硫化物材料为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜，所述的钝化材料为二氧化硅、氧化铝、氧化镍或氧化铜；
所述的阳极薄膜层具有铟锡氧化物靶材、铝锌氧化物靶材或铟锌氧化物靶材。
[0010]进一步地，所述结晶掺杂层的厚度为50nm?300nm。
[0011]进一步地，所述金属硫化物掺杂层的厚度为lOOnm?200nm。
[0012]进一步地,所述的阳极薄膜层的厚度为lOOnm?400nm。
[0013]进一步地，所述步骤(b)的蒸镀方法中，工作压强为2\10-3?5\10-中&，有机材料的蒸镀速率为0.f lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为f lOnm/s，蒸镀的能量密度为10 ?100W/cm2。
[0014]与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，存在以下的优点:本发明的有机电致发光器件，通过制备复合阴极，提高出光效率，在电子注入层之上先制备一层结晶掺杂层，由结晶材料与锌化合物掺杂组成，结晶材料使膜层表面形成波纹状结构，使垂直发射的光散射，不再垂直，从而不会与金属层的自由电子发生耦合(平行的自由电子会与垂直的光子耦合而损耗掉)，提高光子利用率，锌化合物材料粒径较大，约为2(T50nm左右，可有效提高光的散射，使向两侧发射的光散射回到中间；接着制备金属硫化物掺杂层，为钝化材料与金属硫化物组成，钝化材料可有效提高器件的稳定性，隔绝氧气和水汽进入到器件中，金属硫化物对光有较强的反射作用，提高光的反射，最后制备阳极薄膜材料层，提高阴极的导电性，这种复合阴极可有效提高发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本发明实施例1的有机电致发光器件的结构示意图。
[0016]图2是本发明有机电致发光器件与对比例的电流密度与电流效率的关系图。
【具体实施方式】
[0017]以下结合实施例，对本发明予以进一步地详尽阐述。
[0018]本发明的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构包括依次层叠的阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极复合层(由依次层叠的结晶掺杂层、金属硫化物掺杂层和阳极薄膜材料层组成)。
[0019]在有机电致发光器件中，阳极导电基底的材质包括阳极导电层和基板，其基板可以为玻璃基板或有机薄膜基板，阳极导电层的材质可以为导电氧化物，如氧化铟锡(ΙΤ0)、掺铝氧化锌(ΑΖ0)或掺铟氧化锌(ΙΖ0)，优选为氧化铟锡(ΙΤ0)。
[0020]这些导电氧化物被制备在玻璃基板上，简称ΙΤ0玻璃、ΑΖ0玻璃、ΙΖ0玻璃。阳极导电基底可以自制，也可以市购获得。在实际应用中，可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基底。在实际应用中，可以在阳极导电基底上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。阳极导电基底为现有技术，在此不再赘述。
[0021]其他功能层的材质和厚度如下:
所述空穴注入层采用三氧化钥(Mo03)，还可采用三氧化钨(wo3)或五氧化二钒(V205)，厚度为20?80nm，优选为W03，厚度为35nm。
[0022]所述空穴传输层采用1，1- 二 [4_[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N’ - (1_ 萘基)-N，N’ -二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)，厚度为20?60nm，优选为NPB，厚度为40nm。
[0023]所述发光层为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4，4’_双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，1’-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3)，厚度为5?40nm，发光层优选为Alq3，优选厚度为12nm。
[0024]所述电子传输层材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度为40?300nm，优选TAZ，优选厚度为lOOnm。
[0025]所述电子注入层为碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF)，厚度为0.5?10nm，优选为LiF，优选厚度为0.7nm。
[0026]所述阴极复合层中，所述的复合阴极具有结晶掺杂层、金属硫化物掺杂层和阳极薄膜材料层。
[0027]所述结晶掺杂层的材质具有质量比为10:广40:1的结晶材料与锌化合物，其厚度为50?300nm。所述的结晶材料为有机电子传输材料，其HOMO能级(最高已占轨道能级)在-6.5e疒-7.5eV,玻璃化转变温度在50?100度。该有机电子传输材料具体为1，2，4-三唑衍生物(了八2)、2，2’-(1，3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4_ 恶二唑](0XD-7)、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)或2，8-二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩(P015 )。所述的锌化合物为氧化锌(ZnO)、硫化锌(ZnS )、硒化锌(ZnSe )或氯化锌(ZnCl)。
[0028]所述金属硫化物掺杂层具有质量比为5:广20:1的金属硫化物与钝化材料，其厚度为100?200nm。所述的金属硫化物材料为硫化锌(ZnS)、硫化镉(CdS)、硫化镁(MgS)或硫化铜(CuS)，所述的钝化材料为二氧化硅(Si02)、氧化铝(A1203)、氧化镍(N1)或氧化铜(CuO)。
[0029]所述的阳极薄膜层为一般的阳极薄膜，具体为铟锡氧化物靶材(ΙΤ0)、铝锌氧化物靶材(ΑΖ0)或铟锌氧化物靶材(ΙΖ0)，采用磁控溅射的方法制备，厚度为100-400nm。
[0030]对上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤: (a)清洗干净阳极导电基底，用蒸镀的方法在阳极导电基底上依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；；
(b)在蒸镀的方法下，在电子注入层上制备结晶掺杂层，然后在结晶掺杂层上制备金属硫化物掺杂层，接着在金属硫化物掺杂层上制备阳极薄膜材料层；其中，
制备时的工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为f lOnm/s，蒸镀的能量密度为10?lOOW/cm2。
[0031]以下以实施例对本发明的有机电致发光器件及其制备步骤进行具体说明:
实施例1
如图1所示，本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
阳极导电基底101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106、阴极复合层(由依次层叠的结晶掺杂层107、金属硫化物掺杂层108和阳极薄膜材料层109组成)。
[0032]具体依次为:IT0玻璃基底、W03 层、TCTA 层、ALq3 层、TAZ 层、LiF 层、0XD_7:ZnSe层、CuS:N1层，IT0层。该有机电致发光器件的结构为IT0玻璃/W03/TCTA/ Alq3/TAZ/LiF/0XD-7:ZnSe/CuS:Ni0/IT0 (斜杆“/”表示层状结构，冒号“:”表示相互掺杂。)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
1、先将IT0玻璃基底101进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；
2、然后在8X10_5Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，且金属及金属化合物的蒸镀速率为3nm/s，依次在IT0玻璃基底101上蒸镀制备空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105和电子注入层106,具体为:
空穴注入层102，材料为W03，厚度为35nm ；
空穴传输层103，材料为TCTA，厚度为35nm ；
发光层104，材料为ALq3，厚度为12nm ；
电子传输层105，材料为TAZ，厚度为lOOnm ；
电子注入层106，材料为LiF，厚度为0.7nm ；
3、最后在8X10_5Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s,且金属及金属化合物的蒸镀速率为3nm/s，依次在电子注入层106上蒸镀阴极复合层中的结晶掺杂层107、金属硫化物掺杂层108和阳极薄膜材料层109，具体为:
a)采用电子束制备结晶掺杂层107，所选材料为质量比为25:1的0XD-7与ZnSe，该结晶掺杂层107厚度为200nm ;电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2 ；
b)采用电子束制备金属硫化物掺杂层108，所选材料为质量比为10:1的CuS与N1，该金属硫化物掺杂层108厚度为150nm ;电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2 ；
c)采用磁控溅射的方法制备阳极薄膜层109，所选材料为IT0，该阳极薄膜层109厚度为300nm ;磁控溅射的加速电压为400V，磁场约为100G，功率密度为5 W/cm2。
[0033]图2是该有机电致发光器件相应的电流密度与流明效率的关系图。从图2上可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的最大的流明效率为8.59lm/ff,而对比例的仅为6.48 lm/ff,同时，随着电流密度的提高，实施例1的流明效率衰减更慢，这说明，复合阴极提高光子利用率，有效提高光的散射，提高器件的稳定性，提闻光的反射，提闻阴极的导电性，这种复合阴极可有效提闻发光效率。
[0034]实施例2
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极复合层(由依次层叠的结晶掺杂层、金属硫化物掺杂层和阳极薄膜材料层组成)。
[0035]具体依次为:ΑΖ0玻璃基底、V205层、NPB层、ADN层、Bphen层、CsF层、TAZ: ZnS层、MgS:Si02层，AZO层。该有机电致发光器件的结构为ΑΖ0玻璃/V205/NPB/ADN/Bphen/CsF/TAZ:ZnS/MgS:Si02/AZ0 (斜杆“/”表示层状结构，冒号“:”表示相互掺杂。)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
1、先将ΑΖ0玻璃基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，用洗洁精超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；
2、然后在2X10_3Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s，且金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s，依次在ΑΖ0玻璃基底上蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，具体为:
空穴注入层，材料为v205，厚度为80nm ；
空穴传输层，材料为NPB，厚度为60nm ；
发光层，材料为ADN，厚度为5nm ；
电子传输层，材料为Bphen,厚度为200nm ；
电子注入层，材料为CsF，厚度为10nm ；
3、最后在2X10_3Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s,且金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s，依次在电子注入层上蒸镀阴极复合层中的结晶掺杂层、金属硫化物掺杂层和阳极薄膜材料层，具体为:
a)采用电子束制备结晶掺杂层，所选材料为质量比为40:1的TAZ与ZnS，该结晶掺杂层厚度为300nm ;电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2 ；
b)采用电子束制备金属硫化物掺杂层，所选材料为质量比为5:1的MgS与Si02，金属硫化物掺杂层为200nm ;电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2 ；
c)采用磁控溅射的方法制备阳极薄膜层，所选材料为AZ0，该阳极薄膜层厚度为lOOnm ;磁控溅射的加速电压为800V，磁场约为50G，功率密度为40 W/cm2。
[0036]实施例3
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极复合层(由依次层叠的结晶掺杂层、金属硫化物掺杂层和阳极薄膜材料层组成)。
[0037]具体依次为:IZ0玻璃基底、Mo03层、TAPC层、BCzVBi层、TPBi层、Cs2C03层、BCP:ZnO层、ZnS:Al203层，IZ0层。该有机电致发光器件的结构为IZ0玻璃/Mo03/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2C03/BCP:ZnO/ZnS:A1203/IZ0 (斜杆“/” 表示层状结构，冒号“:”表示相互掺杂。)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
1、先将IZ0玻璃基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，用洗洁精超声15min，去除玻璃表面的有机污染物； 2、然后在5X10_5Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为lnm/s，且金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s，依次在IZO玻璃基底上蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，具体为:
空穴注入层，材料为Mo03，厚度为20nm ；
空穴传输层，材料为TAPC，厚度为30nm ；
发光层，材料为BCzVBi，厚度为40nm ；
电子传输层，材料为TPBi，厚度为60nm ；
电子注入层，材料为Cs2C03,厚度为0.5nm ；
3、最后在5X10_5Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为lnm/s,且金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s，依次在电子注入层上蒸镀阴极复合层中的结晶掺杂层、金属硫化物掺杂层和阳极薄膜材料层，具体为:
a)采用电子束制备结晶掺杂层，所选材料为质量比为10:1的BCP与ZnO，该结晶掺杂层厚度为50nm ;电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2 ；
b)采用电子束制备金属硫化物掺杂层，所选材料为质量比为20:1的ZnS与A1203，金属硫化物掺杂层为lOOnm ;电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2 ；
c)采用磁控溅射的方法制备阳极薄膜层，所选材料为IZ0，该阳极薄膜层厚度为400nm ;磁控溅射的加速电压为300V，磁场约为200G，功率密度为lW/cm2。
[0038]实施例4
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极复合层(由依次层叠的结晶掺杂层、金属硫化物掺杂层和阳极薄膜材料层组成)。
[0039]具体依次为:IZ0玻璃基底、W03 层、TCTA 层、DCJTB 层、Bphen 层、CsN3 层、P015: ZnCl层、CdS:CuO层，AZO层。该有机电致发光器件的结构为IZ0玻璃/W03/TCTA/DCJTB/Bphen/CsN3/P015:ZnCl/CdS:CuO/AZO (斜杆“/”表示层状结构，冒号“:”表示相互掺杂。)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
1、先将ΙΖ0玻璃基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，用洗洁精和去离子水超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；
2、然后在5X10_4Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，且金属及金属化合物的蒸镀速率为5nm/s，依次在ΙΖ0玻璃基底上蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，具体为:
空穴注入层，材料为W03，厚度为30nm ；
空穴传输层，材料为TCTA，厚度为50nm ；
发光层，材料为DCJTB，厚度为5nm ；
电子传输层，材料为Bphen,厚度为40nm ；
电子注入层，材料为CsN3,厚度为lnm;
3、最后在5X10_4Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s,且金属及金属化合物的蒸镀速率为5nm/s，依次在电子注入层上蒸镀阴极复合层中的结晶掺杂层、金属硫化物掺杂层和阳极薄膜材料层，具体为:
a)采用电子束制备结晶掺杂层，所选材料为质量比为30:1的P015与ZnCl，该结晶掺杂层厚度为lOOnm ;电子束蒸镀的能量密度为30W/cm2 ；
b)采用电子束制备金属硫化物掺杂层，所选材料为质量比为12:1的CdS与CuO，金属硫化物掺杂层为180nm ;电子束蒸镀的能量密度为30W/cm2 ；
c)采用磁控溅射的方法制备阳极薄膜层，所选材料为AZ0，该阳极薄膜层厚度为350nm ;磁控溅射的加速电压为500V，磁场约为150G，功率密度为35W/cm2。
[0040]本发明的有机电致发光器件及该有机电致发光器件的制备方法，存在以下的优占-
^ \\\.通过制备复合阴极，提高出光效率，在电子注入层之上先制备一层结晶掺杂层，该结晶掺杂层由结晶材料与锌化合物掺杂组成，结晶材料使膜层表面形成波纹状结构，使垂直发射的光散射，不再垂直，从而不会与金属层的自由电子发生耦合(平行的自由电子会与垂直的光子耦合而损耗掉)，提高光子利用率，锌化合物材料粒径较大，约为20-50nm左右，可有效提高光的散射，使向两侧发射的光散射回到中间；接着制备金属硫化物掺杂层，为钝化材料与金属硫化物组成，钝化材料可有效提高器件的稳定性，隔绝氧气和水汽进入到器件中，金属硫化物对光有较强的反射作用，提高光的反射，最后制备阳极薄膜材料层，提高阴极的导电性，这种复合阴极可有效提高发光效率。
[0041]上述测试与制备设备为高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)，美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0042]上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为:阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极复合层，其特征在于，所述阴极复合层由依次层叠的结晶掺杂层、金属硫化物掺杂层和阳极薄膜材料层组成；其中， 所述结晶掺杂层由质量比为10:广40:1的结晶材料与锌化合物组成，所述的结晶材料为1，2，4-三唑衍生物、2，2'-(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]、2，9-二甲基_4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或2，8- 二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩，所述的锌化合物为氧化锌、硫化锌、硒化锌或氯化锌； 所述金属硫化物掺杂层由质量比为5:广20:1的金属硫化物与钝化材料组成，所述的金属硫化物材料为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜，所述的钝化材料为二氧化硅、氧化铝、氧化镍或氧化铜； 所述的阳极薄膜层的材质为铟锡氧化物靶材、铝锌氧化物靶材或铟锌氧化物靶材。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述结晶掺杂层的厚度为50nm ?300nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属硫化物掺杂层的厚度为lOOnm?200nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述的阳极薄膜层的厚度为 lOOnm ?400nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于， 所述阳极导电基底的材质为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃或铟锌氧化物玻璃； 所述空穴注入层的材质为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒； 所述空穴传输层的材质为1，1-二 [4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N' -(1_萘基)州，& - 二苯基-4，4'-联苯二胺； 所述发光层的材质为4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’-双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，1，-联苯或8-羟基喹啉铝； 所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或Ν-芳基苯并咪唑； 所述电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (a)清洗干净阳极导电基底，用蒸镀的方法在阳极导电基底上依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层； (b)用蒸镀的方法在电子注入层上制备结晶掺杂层，然后在结晶掺杂层上制备金属硫化物掺杂层，接着在金属硫化物掺杂层上制备阳极薄膜材料层；其中， 所述结晶掺杂层的材质具有质量比为10:广40:1的结晶材料与锌化合物，所述的结晶材料为1，2，4-三唑衍生物、2，2' -(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4_恶二唑]、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或2，8-二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩，所述的锌化合物为氧化锌、硫化锌、硒化锌或氯化锌； 所述金属硫化物掺杂层具有质量比为5: f 20:1的金属硫化物与钝化材料，所述的金属硫化物材料为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜，所述的钝化材料为二氧化硅、氧化铝、氧化镍或氧化铜； 所述的阳极薄膜层具有铟锡氧化物靶材、铝锌氧化物靶材或铟锌氧化物靶材。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述结晶掺杂层的厚度为50nm?300nmo
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述金属硫化物掺杂层的厚度为lOOnm ?200nm。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述的阳极薄膜层的厚度为lOOnm?400nmo
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀的压强为2X 1(T3、X l(T5Pa ;在空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极复合层中，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为l?10nm/s ;蒸镀的能量密度为10?lOOW/cm2。
【文档编号】H01L51/54GK104300094SQ201310302738
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2013年7月18日 优先权日:2013年7月18日
【发明者】周明杰, 黄辉, 冯小明, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司