用于半导体制作工艺的输送装置制造方法

文档序号:7017165阅读:222来源:国知局
用于半导体制作工艺的输送装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于半导体制作工艺的输送装置,其包括一输送链带,及多个结合于输送链带上用以承载半导体的承载组件;该承载组件具有一用于接触半导体的承载部,承载部的表面设有一钛基镀膜层。本实用新型所提供的用于半导体制作工艺的输送装置,能够达到提升耐磨耗机械特性及延长使用寿命的功效。
【专利说明】用于半导体制作工艺的输送装置
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型关于一种输送装置,尤指一种用于半导体制作工艺的输送装置。
【背景技术】
[0002]现今半导体制造流程当中,必须使用输送带将其转移在各种制作工艺的设备,而且为了减少输送带不接触到特定部位,以避免磨损或压损致影响到其合格率,公知的输送带构造不断地改进,例如由整面承载方式改变为线状承载模式,例如中国台湾公告第M316248号的基材输送设备,公告第M353923号的输送设备,及公告第404557号的半导体构装物料输送模块等,甚至是通过输送带上面结合承载组件的设计,进一步提升到点状承载的输送方式。
[0003]然而半导体为质硬而脆的材料,例如单晶硅太阳能电池的硬度大约为10Gpa?13Gpa,而输送带上的承载组件的构造设计及其材质的选用,常不足以抵抗太阳能电池可接触部位(例如边缘)的刮磨。尤其是被用于输送太阳能电池进入烧结炉或干燥炉时,因承载太阳能电池并耐受制作工艺所需的高温(约800-900度),以及极速的温度变化(10秒内通过炉内温度,再回复到室温环境),能承受这样剧烈温度变化的承载组件材料甚少,而且其耐磨耗的机械特性不佳,将导致承载组件容易受损,进而发生制作工艺当中损坏太阳能电池的情况。
[0004]详言之,如图1及图2所示,用于承载太阳能电池30进入烧结炉或干燥炉的输送带10,其上面倾斜状的承载组件20的支撑部位201的构造可以构成点或线状承载,但是其支撑部位201的硬度及耐受高温的机械特性不佳时,就容易被太阳能电池30磨耗过深而发生刻痕202,导致刻痕202能够接触到容许以外的部位,因而影响到太阳能电池的质量,并缩短输送带10的使用寿命。
实用新型内容
[0005]为了解决现有技术中的上述问题,本实用新型提供了一种用于半导体制作工艺的输送装置,其借由输送装置的承载组件及表面镀膜的结构设计,提升承载组件表面的硬度,并降低承载组件表面的摩擦系数,达到提升耐磨耗机械特性的目的。
[0006]本实用新型提供的用于半导体制作工艺的输送装置,其包括:一输送链带,及多个结合于该输送链带上用以承载半导体的承载组件;该承载组件具有一用于接触该半导体的承载部,该承载部的表面设有一钛基镀膜层。
[0007]优选地,其中该承载部为一直倾斜杆,该直倾斜杆具有一直倾斜面,该钛基镀膜层形成于该直倾斜面。
[0008]优选地,其中该承载部由镍基合金线材构成,且该承载部的两端分别一体成型有一连接部,该连接部结合于该输送链带。
[0009]优选地,其中该钛基镀膜层的厚度为0.1 μ m?10 μ m。
[0010]优选地,其中该承载部为一弯曲杆,该弯曲杆具有一凹弧面,该钛基镀膜层形成于该凹弧面。
[0011]优选地,其中该承载部由镍基合金线材构成,且该承载部的两端分别一体成型有一连接部,该连接部结合于该输送链带。
[0012]优选地,其中该钛基镀膜层的厚度为0.1 μ m?10 μ m。
[0013]本实用新型的有益效果:通过钛基镀膜层增进承载组件的承载部表面硬度,并降低承载部表面的摩擦系数,使承载组件的承载部具有较佳的耐磨特性,也能承受高温烧结设备及高温干燥设备剧烈的温度变化,因而适于反复承载太阳能电池,防止承载部被太阳能电池磨损而影响承载质量,同时可以提升输送装置的使用寿命。
【专利附图】

【附图说明】
[0014]图1为公知的输送带及承载组件的局部示意图;
[0015]图2为公知的承载组件磨耗过深的局部放大示意图;
[0016]图3为本实用新型输送装置的局部立体示意图;
[0017]图4为本实用新型输送装置的局部主视示意图;
[0018]图5为本实用新型输送装置的局部剖视示意图;
[0019]图6为本实用新型钛基镀膜层的剖面放大示意图;
[0020]图7为本实用新型承载部另一实施例的局部主视示意图。
[0021]部件名称:
[0022]1-输送链带;10-输送带;
[0023]2-承载组件;20_承载组件;201_支撑部位;202_刻痕;21_承载部;211_直倾斜面;212-凹弧面;22_钛基镀膜层;23_连接部;
[0024]3-太阳能电池;30-太阳能电池。
【具体实施方式】
[0025]以下配合附图详细说明本实用新型的特征及优点。
[0026]参阅图3、图4及图5所示,以输送太阳能电池3为例,本实用新型用于半导体制作工艺的输送装置,其较佳的实施例包括一输送链带1,及多个结合于输送链带I上用以承载太阳能电池3的承载组件2,其中:
[0027]该输送链带I为多个金属链条并排编织而成的可挠性长条,用于将太阳能电池3输送到高温烧结设备及高温干燥设备。
[0028]该承载组件2为由镍基合金线材(例如镍铬合金)冲压构成的支撑定位组件,其具有一用于接触支撑在太阳能电池3边缘的承载部21,并在承载部21的表面设有一钛基镀膜层22 (如图6所示),钛基镀膜层22较佳的厚度为0.1 μ m?10 μ m,而且该钛基镀膜层22可为单层或多层膜,借此组成本实用新型用于半导体制作工艺的输送装置。
[0029]再如图3至图5所示,本实用新型该承载组件2的承载部21可以是镍基合金线材冲压形成的具有一直倾斜面211的直倾斜杆,而钛基镀膜层22形成于直倾斜面211及其周围。或如图7所示,本实用新型该承载组件2的承载部22亦可为镍基合金线材冲压形成的具有一凹弧面212的弯曲杆,而钛基镀膜层22形成于凹弧面212及其周围。如此,通过直倾斜面211或凹弧面212的设计,能够以较少的面积接触于太阳能电池3的边缘。同理,本实用新型该承载部21亦可以构成其它形状,例如以镍基合金线材冲压成其它规则或不规则的杆状,并在其顶面设置钛基镀膜层22,用以接触于太阳能电池3的边缘。
[0030]另外,再如图3至图5所示,本实用新型该承载组件2必须固定在输送链带I上,用以承载太阳能电池3,其较佳的实施例可以在承载部21的两端分别一体成型有一连接部23,连接部23的形状不拘限,使连接部23以焊接或其它方式结合于输送链带I。
[0031]直接影响承载组件2的磨耗特性因素有硬度、表面粗糙度与摩擦系数等,其中硬度越高及摩擦系数越低,相对的耐磨耗的机械特性越良好。而本实用新型用于半导体制作工艺的输送装置,通过承载组件2的钛基镀膜层22的构造,可以增进承载部21表面的硬度(钛基镀膜层22的硬度可以达到30GPa以上),并降低承载部21表面的摩擦系数(钛基镀膜层22的摩擦系数可以达到0.8以下)。因此,本实用新型能够使承载组件2的承载部21具有较佳的耐磨特性,而且钛基镀膜层22也能承受高温烧结设备及高温干燥设备内外剧烈的温度变化,因而适于反复承载太阳能电池3,防止承载部21被太阳能电池3磨损,同时也可以提升输送装置的使用寿命。
[0032]以上实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例,本实用新型的保护范围不限于此。本【技术领域】的技术人员在本实用新型基础上所作的等同替代或变换,均在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
【权利要求】
1.一种用于半导体制作工艺的输送装置,其特征在于,其包括:一输送链带,及多个结合于该输送链带上用以承载半导体的承载组件;该承载组件具有一用于接触该半导体的承载部,该承载部的表面设有一钛基镀膜层。
2.如权利要求1所述用于半导体制作工艺的输送装置,其特征在于,该承载部为一直倾斜杆,该直倾斜杆具有一直倾斜面,该钛基镀膜层形成于该直倾斜面。
3.如权利要求2所述用于半导体制作工艺的输送装置,其特征在于,该承载部由镍基合金线材构成,且该承载部的两端分别一体成型有一连接部,该连接部结合于该输送链带。
4.如权利要求3所述用于半导体制作工艺的输送装置,其特征在于,该钛基镀膜层的厚度为0.1 μ m?10 μ m。
5.如权利要求1所述用于半导体制作工艺的输送装置,其特征在于,该承载部为一弯曲杆,该弯曲杆具有一凹弧面,该钛基镀膜层形成于该凹弧面。
6.如权利要求5所述用于半导体制作工艺的输送装置,其特征在于,该承载部由镍基合金线材构成,且该承载部的两端分别一体成型有一连接部,该连接部结合于该输送链带。
7.如权利要求6所述用于半导体制作工艺的输送装置,其特征在于,该钛基镀膜层的厚度为0.1 μ m?10 μ m。
【文档编号】H01L21/677GK203415559SQ201320309738
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年5月31日 优先权日:2013年5月31日
【发明者】朱贤明 申请人:朱贤明
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