一种柔性显示基板及其制备方法与显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种柔性显示基板及其制备方法与显示装置，属于柔性显示【技术领域】，可解决柔性显示基板在ELA晶化时，激光对柔性材料层造成局部碳化的问题。本发明柔性显示基板包括柔性材料层和显示结构，以及设于所述柔性材料层和所述显示结构之间的激光阻挡层。本发明的柔性显示基板的制备方法包括：在基板上形成柔性材料层；在柔性材料层上形成激光阻挡层；在激光阻挡层上形成显示结构；通过激光剥离的方式使柔性材料层与基板分离，得到柔性显示基板。
【专利说明】一种柔性显示基板及其制备方法与显示装置
【技术领域】
[0001] 本发明涉及柔性显示【技术领域】，具体地说，涉及一种柔性显示基板及其制备方法 与显示装置。
【背景技术】
[0002] 柔性显示（Flexible Display)是未来非常有前景的显示技术，在通过广大研究者 及工程师的开发下，柔性显示技术迅速发展。在不久的将来，柔性显示技术的发展，将会使 得显示技术更加多样。目前研究较多的是柔性有机发光二极管（0LED)、柔性EH)等，其中柔 性0LED研究最热，为了很好的驱动0LED，目前多采用低温多晶硅、氧化物等迁移率较高的 半导体材料。然而，为了能有较好的特性，一般制程温度较难降下来，这给衬底的选择带来 了挑战。
[0003] 目前，本 申请人:提出采用涂覆聚酰亚胺薄膜（PI膜）作为衬底，这种衬底一般采用 激光（Laser)照射进行剥离。但是，在没有额外增加缓冲层（Buffer) -非晶硅层（a-Si)时， 在进行准分子激光晶化时，常出现局部碳化导致工艺不良。
[0004] 为了避免了上述问题， 申请人:提出了双缓冲层（Buffer)-非晶娃层（a-Si),但是 又出现了由于最下面一层的非晶硅层透过率低，致使集成电路压焊时无法识别光学定位孔 (Mark)进行对位。针对这一技术问题， 申请人:又提出将集成电路压焊区的a-Si刻蚀掉，解 决了集成电路压焊对位问题。但是上述改进后的技术方案仍然存在一些技术问题：1、增加 一道掩膜及刻蚀工艺，增加了工艺成本；2、双非晶硅层（a-Si)透过率低，在未来柔性透明 显示中带来问题。
【发明内容】
[0005] 为了解决现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种柔性显示基板及其制 备方法与显示装置，既能够降低柔性材料层局部碳化的风险，又不需要增加一道掩膜及刻 蚀工艺。
[0006] 为了实现本发明目的，本发明首先提供了一种柔性显示基板，包括柔性材料层和 显示结构，所述柔性显示基板还包括：设于所述柔性材料层和所述显示结构之间的激光阻 挡层。
[0007] 进一步地，所述激光阻挡层的材料为铟镓锌氧化物。其对308nm波长的紫外光具 有较强的吸收能力，能够有效吸收非晶硅晶化时的激光能量，可以降低柔性材料层局部碳 化的风险；同时铟镓锌氧化物对可见光有较大的透过率，可以不需要单独加一道掩膜进行 刻蚀集成电路压焊区的铟镓锌氧化物，提高了生产效率，降低了生产成本。
[0008] 进一步地，所述激光阻挡层的厚度为300-3000 A。
[0009] 作为优选，所述柔性材料层优选为聚酰亚胺薄膜（PI膜）。
[0010] 作为优选，所述柔性显示基板为柔性阵列基板；所述显示结构包括低温多晶硅薄 膜晶体管。 toon] 本发明还提供了一种柔性显示基板的制备方法，包括：
[0012] 在基板上形成柔性材料层；
[0013] 在柔性材料层上形成激光阻挡层；
[0014] 在激光阻挡层上形成显示结构；
[0015] 通过激光剥离的方式使柔性材料层与基板分离，得到柔性显示基板。
[0016] 进一步地，所述激光阻挡层的材料为铟镓锌氧化物，所述激光阻挡层通过磁控溅 射沉积形成。
[0017] 作为优选，所述基板为玻璃基板。
[0018] 作为优选，所制备的柔性显示基板为柔性阵列基板，所述显示结构包括低温多晶 娃薄膜晶体管；所述形成显示结构包括：
[0019] 形成非晶硅层；
[0020] 通过激光退火将非晶硅层转变为多晶硅层。
[0021] 本发明还提供了一种显示装置，其包括前述柔性显示基板。
[0022] 本发明的有益效果在于：
[0023] 本发明使用铟镓锌氧化物做激光阻挡层，铟镓锌氧化物对308nm波长的紫外光具 有较强的吸收能力，能够有效吸收非晶硅晶化时的激光能量，可以降低柔性材料层局部碳 化的风险；同时铟镓锌氧化物对可见光有较大的透过率，可以不需要单独加一道掩膜进行 刻蚀集成电路压焊区的铟镓锌氧化物，提高了生产效率，降低了生产成本。本发明所提供的 柔性显示基板膜既能降低ELA晶化造成的柔性材料层局部碳化导致的工艺不良，又克服了 因双非晶硅层透过率降低，造成集成电路压焊时无法对位的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0024] 图1为本发明柔性显示基板的切面示意图；
[0025] 图中，1 :基板；2 :柔性材料层；3 :激光阻挡层；4 :显示结构。
【具体实施方式】
[0026] 以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0027] 实施例1柔性显示基板
[0028] 如图1所示，本实施例所述的柔性显示基板包括基板1、柔性材料层2、激光阻挡层 3、显示结构4。
[0029] 其中：基板1为玻璃基板；柔性材料层2为聚酰亚胺薄膜（PI膜）；激光阻挡层为 铟镓锌氧化物（IGZ0)薄膜；激光阻挡层3的厚度为3〇〇 A。
[0030] 上述柔性基板的制备方法为：
[0031] 1、在基板1上形成柔性材料层2 ;
[0032] 2、在柔性材料层2上通过磁控溅射沉积形成激光阻挡层3 ;
[0033] 3、在激光阻挡层3上形成显示结构4 ;
[0034] 所述形成显示结构包括：先在激光阻挡层3上形成非晶硅层；然后通过激光退火 将非晶硅层转变为多晶硅层；
[0035] 4、通过激光剥离的方式使柔性材料层2与基板1分离，得到柔性显示基板。
[0036] 铟镓锌氧化物对308nm波长的紫外光具有较强的吸收能力，能够有效吸收非晶硅 晶化时的激光能量，可以降低柔性材料层局部碳化的风险；同时铟镓锌氧化物对可见光有 较大的透过率，可以不需要单独加一道掩膜进行刻蚀集成电路压焊区的铟镓锌氧化物，提 高了生产效率，降低了生产成本。本发明所提供的柔性显示基板膜既能降低ELA晶化造成 的柔性材料层局部碳化导致的工艺不良，又克服了因双非晶硅层透过率降低，造成集成电 路压焊时无法对位的问题。
[0037] 实施例2柔性显示基板
[0038] 本实施例与实施例1相比，区别点仅在于：激光阻挡层3的厚度为3000 A。
[0039] 实施例3柔性显示基板
[0040] 本实施例与实施例1相比，区别点仅在于：激光阻挡层3的厚度为1500 A。
[0041] 虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述，但在 本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因 此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。
【权利要求】
1. 一种柔性显示基板，包括柔性材料层和显示结构，其特征在于，所述柔性显示基板还 包括：设于所述柔性材料层和所述显示结构之间的激光阻挡层。
2. 根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述激光阻挡层的材料为铟镓 锌氧化物。
3. 根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述激光阻挡层的厚度为 300-3000 A。
4. 根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述柔性材料层为聚酰亚胺薄 膜。
5. 根据权利要求1-4任一项所述的柔性显示基板，其特征在于，所述柔性显示基板为 柔性阵列基板；所述显示结构包括低温多晶硅薄膜晶体管。
6. -种柔性显示基板的制备方法，其特征在于，包括： 在基板上形成柔性材料层； 在柔性材料层上形成激光阻挡层； 在激光阻挡层上形成显示结构； 通过激光剥离的方式使柔性材料层与基板分离，得到柔性显示基板。
7. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述激光阻挡层的材料为铟镓锌氧 化物，所述激光阻挡层通过磁控溅射沉积形成。
8. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板。
9. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所制备的柔性显示基板为柔性阵列 基板，所述显示结构包括低温多晶硅薄膜晶体管；所述形成显示结构包括： 形成非晶硅层； 通过激光退火将非晶硅层转变为多晶硅层。
10. -种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任意一项所述的柔性显示基板。
【文档编号】H01L51/52GK104143565SQ201410363651
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年7月28日 优先权日:2014年7月28日
【发明者】任庆荣, 郭炜, 马凯葓 申请人:京东方科技集团股份有限公司