技术总结
所提供的是一种半导体器件。该半导体器件包括：SRAM单元，包括形成在衬底上的第一上拉晶体管、第一下拉晶体管和第一传输晶体管；第一读缓冲晶体管，连接到第一上拉晶体管的栅极端子和第一下拉晶体管的栅极端子；以及第二读缓冲晶体管，与第一读缓冲晶体管共用漏极端子，其中第一读缓冲晶体管包括：第一沟道图案，在垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一栅电极，覆盖第一沟道图案的一部分；以及第一漏极图案，不接触第一栅电极，在第一方向上延伸，并电连接到第一沟道图案。
技术研发人员：权大振;徐康一
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
文档号码：201610214517
技术研发日：2016.04.07
技术公布日：2017.05.31