技术特征：
技术总结
本发明涉及一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法，所述加工方法包括如下步骤：在真空环境下在衬底上生长一层敏感金属或金属氧化物材料；在所述敏感金属或金属氧化物材料上生长一层介质层；在所述介质层上生长派瑞林涂层；通过光刻、刻蚀的方法，把光刻胶上面的图形转移到所述派瑞林涂层上；用丙酮溶液去除光刻胶，实现所述派瑞林涂层的图形化；用所述派瑞林涂层做掩蔽，用干法刻蚀的方法同时刻蚀介质层和所述敏感金属或金属氧化物材料把图形转移；通过机械拉伸的方法去除所述派瑞林涂层，实现所述敏感金属或金属氧化物材料的图形化。本发明尽可能的避免敏感金属及金属氧化物材料与空气的接触，从而避免对半导体器件性能的影响。
技术研发人员：张凯平;胡媛;刘宇;陆丛研;赵盛杰;张培文;谢常青;刘明
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2017.03.07
技术公布日：2017.07.25