技术特征：
技术总结
本发明公开了一种聚吡咯纳米线阵列/石墨烯片/锰氧化物复合材料的制备方法。以氧化石墨烯三维结构为骨架，利用吡咯链段上带正电的氮和氧化石墨烯表面上的环氧键之间的静电张力在氧化石墨烯表面生长聚吡咯纳米线阵列，加入高锰酸钾溶液和过量的硫酸锰溶液到聚吡咯纳米线/氧化石墨烯混合液中，生成的二氧化锰沉积在氧化石墨烯片上面；同时，过量的带正电的Mn(Ⅱ)离子进入到负电性的氧化石墨烯片层间，并与氧化石墨烯发生氧化还原反应而生成Mn(Ⅲ)离子，同时将氧化石墨烯还原为石墨烯，然后通过水热法生成的纳米四氧化三锰颗粒沉积在还原后的石墨烯层之间，最终制备出聚吡咯纳米线阵列/石墨烯片/锰氧化物复合材料。
技术研发人员：樊新;庞树花;陈韦良;黄烈可;方东
受保护的技术使用者：桂林理工大学
技术研发日：2017.11.20
技术公布日：2018.05.08