9]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.lnm/s的蒸镀速率和5 X KT5Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板依次蒸镀材料为WO3,厚度为20nm的空穴注入层、材料为TAPC，厚度为60nm的空穴传输层、材料为ADN，厚度为1nm的发光层、材料为TPBi，厚度为200nm的电子传输层。
[0090]4、然后在上述电子传输层上依次制备铷化合物层、三元掺杂层和铼化合物层:
[0091]首先采用热阻蒸镀制备铷化合物层，材料为RbNO3,制得的厚度为5nm ；
[0092]接着在铷化合物层上采用热阻蒸镀制备Ca:Pt:Na2S材质的三元掺杂层，Ca:Pt = Na2S的掺杂质量比为4:1:1，制得的厚度为80nm ；
[0093]然后在三元掺杂层上采用热阻蒸镀铼化合物层,厚度为1nm,材料为Re207。
[0094]5、最后蒸镀制备金属阴极层,蒸镀速率为2nm/s,所用材质为Ag,厚度为10nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0095]实施例4
[0096]本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0097]玻璃/IZO的阳极导电基板、V2O5材质的空穴注入层、TCTA材质的空穴传输层、Alq3材质的发光层、TAZ材质的电子传输层、Rb2SO4材质的铷化合物层、Yb: Au: CuS材质的三元掺杂层、Re2O材质的铼化合物层以及Ag材质的阴极层。钝化层、铷化合物掺杂层和铼化合物层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“:”表示相互掺杂)。
[0098]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0099]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0100]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为600V的加速电压、100G的磁场以及30W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为ISOnm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
[0101]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.5nm/s的蒸镀速率和2 X 10_4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板依次蒸镀材料为V2O5，厚度为80nm的空穴注入层、材料为TCTA，厚度为60nm的空穴传输层、材料为Alq3，厚度为40nm的发光层、材料为TAZ，厚度为35nm的电子传输层。
[0102]4、然后在上述电子传输层上依次制备铷化合物层、三元掺杂层和铼化合物层::
[0103]首先采用热阻蒸镀制备铷化合物层，材料为Rb2SO4，制得的厚度为15nm ；
[0104]接着在三元掺杂层上采用热阻蒸镀制备Yb:Au:CuS材质的三元掺杂层，Yb:Au:CuS的掺杂质量比为15:5:1，制得的厚度为60nm ；
[0105]然后在三元掺杂层上采用热阻蒸镀铼化合物层,厚度为6nm,材料为Re20。
[0106]5、最后蒸镀制备金属阴极层,蒸镀速率为2nm/s,所用材质为Al,厚度为250nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0107]与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，存在以下的优点:铷化合物层由于其熔点较低，容易蒸镀，由于有金属离子的存在，功函数较低，可降低电子传输层与注入层之间的电子注入势垒，有利于电子的注入，且金属离子可进一步加强电子的传输速率，三元掺杂层为低功函数金属、高功函数金属以及金属硫化物组成，低功函数金属比较活跃，自由电子可大量移动，可提高器件导电性，高功函数金属性质稳定，可提高低功函数金属的稳定性，避免发生氧化反应，金属硫化物成膜性较好，可有效避免膜层的电子陷阱存在，同时可对光产生反射，提高出光效率，铼化合物的HOMO能级较深，可阻挡空穴穿越到阴极，有效避免空穴淬灭现象的产生。这种方法有利于提高器件的发光效率。
[0108]上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，其特征在于，该层状结构为:依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述电子注入层包括铷化合物层、三元掺杂层与铼化合物层；其中，所述铷化合物的材质为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷； 所述三元掺杂层的材质为低功函数金属、高功函数金属以及金属硫化物组成；所述低功函数的材质为镁、锶、钙或镱，功函数为-2.0e疒-3.5eV ； 所述的高功函数金属的材质为银、招、钼或金，功函数为-4.(Γ-5.5eV ； 所述的金属硫化物的材质为硫化锌、硫化镁、硫化钠或硫化铜； 所述铼化合物层的材质为七氧化二铼、三氧化铼、二氧化铼或氧化二铼。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述低功函数金属、高功函数金属以及金属硫化物的掺杂质量比为4:1: f 20:10:1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铷化合物层的厚度为5-20nm，所述三元掺杂层的厚度为40_80nm，所述铼化合物层的厚度为2_10nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于， 所述空穴注入层的材质为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒； 所述空穴传输层的材质为1，1- 二 [4-[N，N, - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N' -(1-萘基)-1& - 二苯基-4,4'-联苯二胺； 所述发光层的材质为4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’-双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-联苯或8-羟基喹啉铝； 所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑； 所述阴极的材质为银、铝、钼或金。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (a)在清洁后的玻璃上通过磁控溅射设备来制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板，再在所述阳极导电基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层； (b)使用热阻蒸镀设备在步骤(a)制得的电子传输层上采用热阻蒸镀制备铷化合物层，然后在所述铷化合物层上采用热阻蒸镀制备三元掺杂层，再在所述三元掺杂层上热阻蒸镀制备铼化合物层，从而得到电子注入层；其中， 所述铷化合物的材质为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷； 所述三元掺杂层的材质为低功函数金属、高功函数金属以及金属硫化物组成；所述低功函数的材质为镁、锶、钙或镱，功函数为-2.0e疒-3.5eV ； 所述的高功函数金属的材质为银、招、钼或金，功函数为-4.(Γ-5.5eV ； 所述的金属硫化物的材质为硫化锌、硫化镁、硫化钠或硫化铜； 所述铼化合物层的材质为七氧化二铼、三氧化铼、二氧化铼或氧化二铼； (c)在步骤(b)制得的电子注入层上蒸镀制备阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(a)中，所述磁控溅射设备的加速电压为30(T800V，磁场为5(T200G，功率密度为I?40 ff/cm2 ;所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.rinm/So
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(b)中，所述热阻蒸镀的蒸镀速率为0.rinm/s ;所述铷化合物层的厚度为5-20nm，所述三元掺杂层的厚度为40-80nm，所述铼化合物层的厚度为2_10nm。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(c)中，所述阴极层的蒸镀速率为I?10nm/s。
【专利摘要】本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述电子注入层包括铷化合物层、三元掺杂层与铼化合物层；其中，所述铷化合物的材质为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷，所述三元掺杂层的材质为低功函数金属、高功函数金属以及金属硫化物组成本发明有机电致发光器件的电子注入层中，铷化合物层由于其熔点较低，容易蒸镀，由于有金属离子的存在，功函数较低，可降低电子传输层与注入层之间的电子注入势垒，有利于电子的注入。
【IPC分类】H01L51-50, H01L51-54, H01L51-56
【公开号】CN104638144
【申请号】CN201310574424
【发明人】周明杰, 黄辉, 张振华, 王平
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月14日