市购获得。在实际应用中，可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基板。在实际应用中，可以在阳极导电基板上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。阳极导电基板为现有技术，在此不再赘述。
[0047]所述空穴注入层材料采用三氧化钥(MoO3),还可采用三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5),厚度为20-80nm，优选为MoO3,厚度为25nm。
[0048]所述空穴传输材料采用的是1，1-二 [4-[N，N, -二(p_甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，_(1-萘基)州州’ -二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)。厚度为20-60nm，优选为TCTA，厚度为30nm。
[0049]所述发光层为4-( 二腈甲基)-2_ 丁基_6-(1，I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB ),9, 10-二- β-亚萘基蒽(ADN)、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -联苯(BCzVBi )、8_羟基喹啉铝(Alq3),厚度为5_40nm，优选为BCzVBi，厚度优选为 35nm。
[0050]所述电子传输层采用4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI )，厚度为40-250nm，优选为Bphen，厚度为160nm。
[0051]所述阴极为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au)，厚度为80-250nm，优选为Ag，厚度为 150nm。
[0052]以下以实施例1?4对本发明的有机电致发光器件及其制备方法作具体说明:
[0053]实施例1
[0054]如图1所示，本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0055]玻璃/ITO的阳极导电基板101、MoO3材质的空穴注入层102、TCTA材质的空穴传输层103、BCzVBi材质的发光层104、Bphen材质的电子传输层105、Ti02材质的第一二氧化钛层106、Rb2CO3 = Al2O3材质的铷化合物掺杂层107、T12材质的第二二氧化钛层108以及Ag材质的阴极层109。第一二氧化钛层106、铷化合物掺杂层107和第二二氧化钛层108组成电子注入层。(其中冒号“:”表不相互掺杂)
[0056]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0057]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0058]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为700V的加速电压、120G的磁场以及250W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为ITO且厚度为10nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板101。
[0059]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板101转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.2nm/s的蒸镀速率和8 X 10_4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板101依次蒸镀材料为MoO3且厚度为25nm的空穴注入层102、材料为TCTA且厚度为30nm的空穴传输层103、材料为BCzVBi且厚度为35nm的发光层104、材料为Bphen且厚度为160nm的电子传输层105。
[0060]4、然后在上述电子传输层105上依次制备钝第一二氧化钛层106、铷化合物掺杂层107和第二二氧化钛层108，从形成电子注入层:
[0061]首先采用电子束制备T12材质的第一二氧化钛层106，T12粒径为25nm。电子束的蒸镀能量密度为60W/cm2，制得的第一二氧化钛层106厚度为35nm ；
[0062]接着在第一二氧化钛层106上采用电子束制备Rb2CO3 = Al2O3材质的铷化合物掺杂层107，Rb2CO3和Al2O3的掺杂质量比为18:1，电子束的蒸镀能量密度为40W/cm2，制得的铷化合物掺杂层107厚度为25nm ；
[0063]最后，在铷化合物掺杂层107上采用电子束制备T12材质的第二二氧化钛层108，T12粒径为30nm，电子束的蒸镀能量密度为80W/cm2，制得的第二二氧化钛层108厚度为15nm ；
[0064]5、最后蒸镀制备金属阴极层109,所用材质为银，蒸镀速率为2nm/s,厚度为150nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0065]图2为本实施例1的有机电致发光器件与一般器件的流明效率与电流密度的关系图。
[0066]测试与制备设备为高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)，美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0067]所述一般器件的结构为普通玻璃/IT0/Mo03/TCTA/BCzVBi/Bphen/Ti02/Rb2CO3:Al2O3A12Ag0图2中，横坐标为电流密度的大小，纵坐标为流明效率的大小，曲线I为实施例1有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系曲线，曲线2为对比例器件的电流密度与流明效率的关系曲线。
[0068]从图2可以看到，在不同电流密度下，实施例1的电流效率都比对比例的要大，实施例I的最大的电流效率效率为9.8cd/A，而对比例的仅为6.9cd/A，这说明，本发明有机电致发光器件通过制备电子注入层，可提高电子的传输速率，降低电子的注入势垒，隔绝空气中的水氧进一步扩散到有机电致发光器件的内部中，使光发生散射，从而提高有机电致发光器件的发光效率。
[0069]实施例2
[0070]以下实施例2-4的有机电致发光器件的层状结构与实施例1的层状结构基本相同，故在此不再加图示说明。
[0071]本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0072]玻璃/1ZO的阳极导电基板、V2O5材质的空穴注入层、NPB材质的空穴传输层、DCJTB材质的发光层、TPBi材质的电子传输层、T12材质的第一二氧化钛层、RbCl:CuO材质的铷化合物掺杂层、T12材质的第二二氧化钛层以及Pt材质的阴极层。第一二氧化钛层、铷化合物掺杂层和第二二氧化钛层组成电子注入层。(其中冒号“:”表不相互掺杂)
[0073]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0074]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0075]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为300V的加速电压、50G的磁场以及40W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为50nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
[0076]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.lnm/s的蒸镀速率和2X KT4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板101依次蒸镀材料为V205且厚度为40nm的空穴注入层、材料为NPB且厚度为45nm的空穴传输层、材料为DCJTB且厚度为8nm的发光层、材料为TPBi且厚度为65nm的电子传输层。
[0077]4、然后在上述电子传输层上依次制备钝第一二氧化钛层、铷化合物掺杂层和第二二氧化钛层，从形成电子注入层:
[0078]首先采用电子束制备T12材质的第一二氧化钛层，T12粒径为20nm，电子束的蒸镀能量密度为lOOW/cm2，制得的第一二氧化钛层厚度为20nm ；
[0079]接着在第一二氧化钛层上采用电子束制备RbCl = CuO材质的铷化合物掺杂层，RbCl和CuO的掺杂质量比为30:1，电子的束蒸镀能量密度为lOW/cm2，制得的铷化合物掺杂层厚度为50nm ；
[0080]最后，在铷化合物掺杂层上采用电子束制备T12材质的第二二氧化钛层，T12粒径为40nm，电子束的蒸镀能量密度为lOOW/cm2，制得的第二二氧化钛层厚度为30nm ；
[0081]5、最后蒸镀制备金属阴极层,所用材质为Pt,蒸镀速率为10nm/s厚度为80nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0082]实施例3
[0083]本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0084]玻璃/IZO的阳极导电基板、WO3材质的空穴注入层、TAPC材质的空穴传输层、ADN材质的发光层、TAZ材质的电子传输层、T12材质的第一二氧化钛层、RbNO3IS12材质的铷化合物掺杂层、T12材质的第二二氧化钛层以及Au材质的阴极层。第一二氧化钛层、铷化合物掺杂层和第二二氧化钛层组成电子注入层。(其中冒号“:”表不相互掺杂)
[0085]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0086]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0087]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为800V的加速电