压、200G的磁场以及lW/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为300nm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
[0088]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.lnm/s的蒸镀速率和5 X KT5Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板101依次蒸镀材料为WO3且厚度为20nm的空穴注入层、材料为TAPC且厚度为60nm的空穴传输层、材料为ADN且厚度为1nm的发光层、材料为TAZ且厚度为200nm的电子传输层。
[0089]4、然后在上述电子传输层上依次制备钝第一二氧化钛层、铷化合物掺杂层和第二二氧化钛层，从形成电子注入层:
[0090]首先采用电子束制备T12材质的第一二氧化钛层，T12粒径为40nm，电子束的蒸镀能量密度为lOW/cm2，制得的第一二氧化钛层厚度为40nm ；
[0091]接着在第一二氧化钛层上采用电子束制备RbNO3 = S12材质的铷化合物掺杂层，RbNOjP S12的掺杂质量比为10:1，电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2，制得的铷化合物掺杂层厚度为1nm ；
[0092]最后，在铷化合物掺杂层上采用电子束制备T12材质的第二二氧化钛层，T12粒径为20nm，电子束的蒸镀能量密度为lOW/cm2，制得的第二二氧化钛层厚度为1nm ；
[0093]5、最后蒸镀制备金属阴极层,所用材质为Au,蒸镀速率为lnm/s厚度为10nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0094]实施例4
[0095]本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
[0096]玻璃/AZO的阳极导电基板、V2O5材质的空穴注入层、NPB材质的空穴传输层、Alq3材质的发光层、TAZ材质的电子传输层、T12材质的第一二氧化钛层、Rb2SO4 = N1材质的铷化合物掺杂层、T12材质的第二二氧化钛层以及Al材质的阴极层。第一二氧化钛层、铷化合物掺杂层和第二二氧化钛层组成电子注入层。(其中冒号“:”表不相互掺杂)
[0097]上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
[0098]1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
[0099]2、将上述步骤I清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为600V的加速电压、100G的磁场以及30W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为AZO且厚度为ISOnm的导电阳极薄膜，从而制得阳极导电基板。
[0100]3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下，将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.5nm/s的蒸镀速率和2 X 10_4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板101依次蒸镀材料为V2O5且厚度为80nm的空穴注入层、材料为NPB且厚度为60nm的空穴传输层、材料为Alq3且厚度为40nm的发光层、材料为TAZ且厚度为35nm的电子传输层。
[0101]4、然后在上述电子传输层上依次制备第一二氧化钛层、铷化合物掺杂层和第二二氧化钛层，从形成电子注入层:
[0102]首先采用电子束制备T12材质的第一二氧化钛层，T12粒径为30nm，电子束蒸镀的能量密度为60W/cm2，制得的第一二氧化钛层厚度为30nm ；
[0103]接着在第一二氧化钛层上采用电子束制备Rb2SO4 = N1材质的铷化合物掺杂层，Rb2SO4和N1的掺杂质量比为20:1，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2，制得的铷化合物掺杂层厚度为15nm ；
[0104]最后，在铷化合物掺杂层上采用电子束制备T12材质的第二二氧化钛层，T12粒径为25nm，电子的束蒸镀能量密度为30W/cm2，制得的第二二氧化钛层厚度为20nm ；
[0105]5、最后蒸镀制备金属阴极层,所用材质为Al,蒸镀速率为6m/s厚度为250nm,从而得到所需要的电致发光器件。
[0106]与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，存在以下的优点:本发明有机电致发光器件的第一二氧化钛层可提高电子的传输速率，而铷化合物掺杂层降低电子的注入势垒，第二二氧化钛层增强散射，从而提高有机电致发光器件的发光效率。
[0107]上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为:依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，其特征在于，所述电子注入层包括第一二氧化钛层、铷化合物掺杂层与第二二氧化钛层；其中， 所述第一二氧化钛层、第二二氧化钛层的材质均为二氧化钛，所述二氧化钛粒径在20?40nm ； 所述铷化合物掺杂层的材质为铷化合物与钝化材料组成的混合物，所述铷化合物为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷，所述钝化材料为二氧化硅、氧化铝、氧化镍或氧化铜。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铷化合物与所述钝化材料的掺杂质量比为10: f 30:1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一二氧化钛层的厚度为2(T40nm，所述铷化合物掺杂层的厚度为l(T50nm，所述第二二氧化钛层的厚度为10?30nmo
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于， 所述空穴注入层的材质为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒； 所述空穴传输层的材质为1，1- 二 [4_[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N' -(1-萘基)_队& - 二苯基-4，4'-联苯二胺； 所述发光层的材质为4- ( 二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’-双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’-联苯或8-羟基喹啉铝； 所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑； 所述阴极的材质为银、铝、钼或金。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (a)在清洁后的玻璃上通过磁控溅射设备来制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板，再在所述阳极导电基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层； (b)使用电子束设备在步骤(a)制得的电子传输层上制备第一二氧化钛层，然后在所述第一二氧化钛层上制备铷化合物掺杂层，最后在所述铷化合物掺杂层上制备第二二氧化钛层，从而得到电子注入层；其中， 所述第一二氧化钛层、第二二氧化钛层的材质均为二氧化钛，所述二氧化钛粒径在20?40nm ； 所述铷化合物掺杂层的材质为由掺杂质量比为10: f 30:1的铷化合物与钝化材料所组成的混合物，所述铷化合物为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷，所述钝化材料为二氧化硅、氧化铝、氧化镍或氧化铜； (C)在步骤(b)制得的电子注入层上蒸镀制备阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(a)中，所述磁控溅射设备的加速电压为30(T800V，磁场为5(T200G，功率密度为I?40 ff/cm2 ;所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.rinm/So
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(b)中，所述电子束设备的蒸镀能量密度为l(Tl00W/cm2，所述第一二氧化钛层的厚度为2(T40nm，所述铷化合物掺杂层的厚度为l(T50nm，所述第二二氧化钛层的厚度为l(T30nm。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(c)中，所述阴极层的蒸镀速率为I?10nm/s。
【专利摘要】本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，其特征在于，该层状结构为：依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述电子注入层包括第一二氧化钛层、铷化合物掺杂层与第二二氧化钛层。本发明有机电致发光器件第一二氧化钛层可提高电子的传输速率，而铷化合物掺杂层降低电子的注入势垒，第二二氧化钛层增强散射，从而提高有机电致发光器件的发光效率。
【IPC分类】H01L51-54, H01L51-52, H01L51-56
【公开号】CN104638193
【申请号】CN201310571877
【发明人】周明杰, 黄辉, 张振华, 王平
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月14日