有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
[0003]在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射)，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
[0005]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层由金属材料掺杂层和隹丐的化合物材料掺杂层组成，所述金属材料掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，所述金属材料的功函数为-4.0eV?-5.5eV,所述发光材料选自4_ (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，所述钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的镁的化合物材料，所述钙的化合物材料选自氧化钙、氯化钙、碳酸钙及氟化钙中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁、氧化镁、氯化镁及硫化镁中至少一种。
[0006]所述金属材料掺杂层的厚度为1nm?40nm,所述?丐的化合物材料掺杂层的厚度为 40nm ?10nm。
[0007]所述金属材料掺杂层中所述金属材料中与所述发光材料的质量比为1:1?4:1，所述所述钙的化合物材料掺杂层中所述钙的化合物材料与所述镁的化合物材料的质量比为 2:1 ?15:1。
[0008]所述金属材料选自银、铝、钼及金中至少一种。
[0009]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0010]在玻璃基底表面蒸镀制备散射层，所述散射层由金属材料掺杂层和钙的化合物材料掺杂层组成，在所述玻璃基底表面采用热阻蒸镀制备金属材料掺杂层，所述金属材料掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，所述金属材料的功函数为-4.0eV?-5.5eV，所述发光材料选自4- (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -联苯及8-羟基喹啉铝中至少一种，在所述金属材料掺杂层表面通过电子束蒸镀制备所述钙的化合物材料掺杂层，所述钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的镁的化合物材料，所述钙的化合物材料选自氧化钙、氯化钙、碳酸钙及氟化钙中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁、氧化镁、氯化镁及硫化镁中至少一种；
[0011]在所述散射层表面磁控溅射制备阳极，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物 '及
[0012]在所述阳极的表面依次蒸镀制备穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
[0013]所述金属材料掺杂层的厚度为1nm?40nm,所述?丐的化合物材料掺杂层的厚度为 40nm ?10nm。
[0014]所述金属材料掺杂层中所述金属材料中与所述发光材料的质量比为1:1?4:1，所述所述钙的化合物材料掺杂层中所述钙的化合物材料与所述镁的化合物材料的质量比为 2:1 ?15:1。
[0015]所述金属材料选自银、铝、钼及金中至少一种。
[0016]所述电子束蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X10—3?5X10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2?lOOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.1?lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。
[0017]所述热阻蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X 10_3?5 X 10_5Pa，电流为IA?5A,有机材料的蒸镀速率为0.1?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?1nm/S。
[0018]上述有机电致发光器件及其制备方法，在阳极与玻璃基底之间制备散射层，散射层由金属材料掺杂层和I丐的化合物材料掺杂层组成，金属材料掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，金属材料可降低掺杂层与空穴注入层之间的空穴注入势垒，有利于空穴的注入，发光材料为荧光发光材料与发光层的材料一致，可对发光光色进行补充，提高光色纯度，有效提高发光效率，使发光颜色稳定，衰减速度降低，钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料和镁的化合物材料，钙的化合物材料有利于光子的散射，其内部结构均一，性质稳定，光在钙的化合物材料的晶体中进行多次反射后，入射角得以改变，镁的化合物材料的折射率比有机层高，可避免光从发光层到达阳极产生全反射，极大的提高了出光效率，从而有机电致发光器件的寿命较长。
【附图说明】
[0019]图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0020]图2为一实施方式的有机电致发光器件的结构中散射层结构示意图；
[0021]图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
[0023]请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的玻璃基底10、散射层20、阳极30、空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
[0024]玻璃基底10为折射率为1.8?2.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底10 优选为牌号为 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0025]参考图2所不散射层20形成于玻璃基底10的一侧表面。散射层20由金属材料掺杂层201和钙的化合物材料掺杂层202组成，所述金属材料掺杂层201包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的发光材料，所述金属材料的功函数为-4.0eV?-5.5eV,所述发光材料选自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4，4’_双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)_1，I，-联苯(BCzVBi)及8-羟基喹啉铝(Alq3)中至少一种，所述钙的化合物材料掺杂层202包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的镁的化合物材料，所述钙的化合物材料选自氧化钙(CaO)、氯化钙(CaCl2)、碳酸钙(CaCO3)及氟化钙(CaF2)中至少一种，所述镁的化合物材料选自氟化镁(MgF2)、氧化镁(MgO)、氯化镁(MgCl2)及硫化镁(MgS )中至少一种。
[0026]所述金属材料掺杂层201的厚度为1nm?40nm,所述?丐的化合物材料掺杂层202的厚度为40nm?lOOnm。
[0027]所述金属材料掺杂层201中所述金属材料中与所述发光材料的质量比为1:1?4:1，所述所述钙的化合物材料掺杂层202中所述钙的化合物材料与所述镁的化合物材料的质量比为2:1?15:1。
[0028]所述金属材料选自银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)及金(Au)中至少一种。
[0029]阳极30形成于散射层20的表面。阳极30的材料为铟锡氧化物(ΙΤ0)、铝锌氧化物(AZO)或铟锌氧化物(ΙΖ0)，优选为ΙΤ0。阳极30的厚度为80nm?300nm，厚度优选为10nm0
[0030]空穴注入层40形成于阳极30的表面。空穴注入层40的材料选自