:CsCl/FeBr3/Pt 的有机电致发光器件。
[0061]在玻璃基底磁控溅射阳极，材料为ΙΖ0，再进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为V2O5,厚度为40nm ;蒸镀空穴传输层:材料为TAPC，厚度为45nm ;蒸镀发光层:所选材料为DCJTB，厚度为1nm ;蒸镀电子传输层，材料为TPBi，厚度为65nm ;电子注入层包括铯盐掺杂层和铁盐层，采用热阻蒸镀铯盐掺杂层，材料为TRZ4:CsCl，TRZ4与CsCl的质量比为5:1，厚度为20nm ;在所述铯盐掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备铁盐层，所述铁盐层材料为FeBr3,厚度为5nm,最后蒸镀阴极,材料为Pt,厚度为80nm。
[0062]热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X10_3Pa，工作电流为5A，有机材料的蒸镀速率为lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s ；
[0063]磁控溅射条件为:工作压强为2 X10_3Pa，蒸镀速率为lnm/s，磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2。
[0064]实施例3
[0065]本实施例制备的结构为AZ0/Mo03/NPB/ADN/TAZ/p_TPAm-NTAZ:Cs2C03/Fe2S3/Al 的有机电致发光器件。
[0066]在玻璃基底磁控溅射阳极，材料为AZO，再进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理:氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W ;厚度为300nm，蒸镀空穴注入层，材料为MoO3,厚度为20nm ;蒸镀空穴传输层，材料为NPB，厚度为60nm ;蒸镀发光层，材料为ADN，厚度为8nm ;蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为200nm ；电子注入层包括铯盐掺杂层和铁盐层，采用热阻蒸镀铯盐掺杂层，材料为p-TPAm-NTAZ: Cs2CO3, p-TPAm-NTAZ与Cs2CO3的质量比为10:1，厚度为5nm ;在所述铯盐掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备铁盐层，所述铁盐层材料为FeCl3，厚度为lnm，蒸镀阴极，材料为Al，厚度为lOOnm。
[0067]热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为5X10_5Pa，工作电流为1A，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s。
[0068]磁控溅射条件为:工作压强为5 X 10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s，磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为lW/cm2。
[0069]实施例4
[0070]本实施例制备的结构为IT0/W03/TCTA/Alq3/Bphen/Cz0XD:CsBr/FeCl3/Au 的有机电致发光器件。
[0071]在玻璃基底磁控溅射阳极，材料为ΙΤ0，再进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理:氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W ;厚度为180nm，蒸镀空穴注入层，材料为WO3，厚度为80nm ;蒸镀空穴传输层，材料为TCTA，厚度为60nm ;蒸镀发光层,材料为Alq3,厚度为40nm ;蒸镀电子传输层,材料为Bphen,厚度为35nm ；电子注入层包括铯盐掺杂层和铁盐层，采用热阻蒸镀铯盐掺杂层，材料为CzOXD:CsBr，CzOXD与CsBr的质量比为9:1，厚度为15nm ;在所述铯盐掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备铁盐层，所述铁盐层材料为FeCl3，厚度为3nm，蒸镀阴极，材料为Au，厚度为lOOnm。
[0072]热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X10_4Pa，工作电流为2.5A，有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s。
[0073]磁控溅射条件为:工作压强为2 X 10_4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，磁控溅射的加速电压为600V，磁场为10G，功率密度为30W/cm2。
[0074]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由铯盐掺杂层和铁盐层组成，所述铯盐掺杂层包括双极性有机传输材料和铯盐，所述双极性有机传输材料选自2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪，2，6-二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)吡啶，3，，3，，- (4-(萘-1-基)-4!1-1，2，4-三唑-3，5-二基)双(N，N-二(联苯基)-4-氨)及2，5-双(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1，3，4_噁二唑中至少一种，所述铯盐材料选自氟化铯、氯化铯、碳酸铯及溴化铯中至少一种，所述铁盐层材料选自氯化铁、溴化铁及硫化铁中至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铯盐掺杂层中所述双极性有机传输材料和铯盐的质量比为5:1?10:1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铯盐掺杂层厚度为5nm?20nm,所述铁盐层厚度为Inm?5nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种，所述空穴注入层的材料选自三氧化钥、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述空穴传输层的材料选自1，1_ 二 [4-[Ν，Ν, -二 (P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -联苯二胺中的至少一种。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 通过磁控溅射的方式在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层; 然后再电子传输层表面制备电子注入层，所述电子注入层由铯盐掺杂层和铁盐层组成，所述电子注入层的制备方式为:在电子传输层表面通过热阻蒸镀的方法制备铯盐掺杂层，所述铯盐掺杂层包括双极性有机传输材料和铯盐，所述双极性有机传输材料选自2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1，3，5_三嗪，2，6-二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)吡啶，3，，3，，- (4-(萘-1-基)-4!1-1，2，4-三唑-3，5-二基)双(N，N-二(联苯基)-4-氨)及2，5-双(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1，3，4_噁二唑中至少一种，所述铯盐材料选自氟化铯、氯化铯、碳酸铯及溴化铯中至少一种，然后再所述铯盐掺杂层表面通过热阻蒸镀方式制备铁盐层，所述铁盐层材料选自氯化铁、溴化铁及硫化铁中至少一种，及， 在所述电子注入层表面通过磁控溅射的方式形成阴极。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述铯盐掺杂层中所述双极性有机传输材料和铯盐的质量比为5:1?10:1。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述铯盐掺杂层厚度为5nm?20nm,所述铁盐层厚度为Inm?5nm。
8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述热阻蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，工作电流为IA?5A，有机材料的蒸镀速率为0.1?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。
9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述磁控溅射方式的工艺具体为:工作压强为2X 10_3?5X 10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s?10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为lW/cm2?40W/cm2。
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由铯盐掺杂层和铁盐层组成，所述铯盐掺杂层包括双极性有机传输材料和铯盐，所述双极性有机传输材料选自2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪，2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶，3',3''-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）及2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑中至少一种，所述铁盐层材料选自氯化铁、溴化铁及硫化铁中至少一种。
【IPC分类】H01L51-52, H01L51-54, H01L51-56
【公开号】CN104659250
【申请号】CN201310585583
【发明人】周明杰, 黄辉, 陈吉星, 王平
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月19日