，同时，与阴极的金属功函数接近，可降低注入势垒从而提闻发光效率。
[0060]以下各个实施例制备的有机电致发光器件的电流效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的电流效率，在下面不再赘述。
[0061]实施例2
[0062]本实施例制备的结构为AZ0/V205/TAPC/DCJTB/TAZ/RbCl:Cu1:Al/Al的有机电致发光器件。
[0063]先将AZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为V2O5，厚度为40nm ;蒸镀空穴传输层:材料为TAPC，厚度为45nm ;蒸镀发光层:所选材料为DCJTB，厚度为Snm ;蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为65nm;采用电子束蒸镀电子注入层，材料为RbCl:Cu1:Al，RbCl, CuI与Al之间的质量比为2:0.1:1，厚度为60nm蒸镀阴极，材料为Al，厚度为80nm。
[0064]电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2X 10_3Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s。
[0065]磁控溅射方式的工艺具体为:工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s?10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为Iff/cm2 ?40W/cm2。
[0066]实施例3
[0067]本实施例制备的结构为IZ0/W03/TCTA/ADN/Bphen/RbN03:Cu20:Pt/Au的有机电致发光器件。
[0068]先将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为WO3,厚度为20nm ;蒸镀空穴传输层:材料为TCTA，厚度为60nm;蒸镀发光层:所选材料为ADN,厚度为1nm ;蒸镀电子传输层，材料为Bphen,厚度为200nm ;采用电子束蒸镀电子注入层，材料为RbNO3: Cu2O: Pt，RbNO3, Cu2O与Pt之间的质量比为10:0.3:1，厚度为70nm，蒸镀阴极，材料为Au，厚度为lOOnm。
[0069]电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为5X 10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2，有机材料的蒸镀速率为lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s。
[0070]磁控溅射方式的工艺具体为:工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s?10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为Iff/cm2 ?40W/cm2
[0071]实施例4
[0072]本实施例制备的结构为IZ0/W03/NPB/BCzVBi/TPBi/Rb2SO4:CuO:Au/Pt 的有机电致发光器件。
[0073]先将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为WO3,厚度为SOnm ;蒸镀空穴传输层:材料为NPB，厚度为60nm ;蒸镀发光层:所选材料为BCzVBi，厚度为40nm ;蒸镀电子传输层，材料为TPBi，厚度为35nm ;采用电子束蒸镀电子注入层，材料为为Rb2SO4: CuO: Au, Rb2SO4, CuO与Au之间的质量比为4:0.15:0.1，厚度为50nm，蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为250nm。
[0074]电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为5X 10_4Pa，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为5nm/s。
[0075]磁控溅射方式的工艺具体为:工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s?10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为Iff/cm2 ?40W/cm2。
[0076]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由铷的化合物材料，铜的化物材料和金属材料组成，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述铜的化物材料选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中至少一种，所述金属材料的功函数为-4.0eV?-5.5eV。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层中所述铷的化合物材料，铜的化物材料和金属材料的质量比为(2?10): (0.1?0.3):1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层厚度为15nm ?60nmo
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属材料选自银、铝、钼及金中的至少一种。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 通过磁控溅射的方式在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层; 在电子传输层表面通过电子束蒸镀的方法制备电子注入层，所述电子注入层由铷的化合物材料，铜的化物材料和金属材料组成，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述铜的化物材料选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中至少一种，所述金属材料的功函数为-4.0eV?-5.5eV，及， 在所述电子注入层表面通过磁控溅射的方式形成阴极。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述电子注入层中所述铷的化合物材料，铜的化物材料和金属材料的质量比为(2?10):(0.1?0.3):1o
7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述电子注入层层厚度为15nm?60nm。
8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属材料选自银、铝、钼及金中的至少一种。
9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述电子束蒸镀方式的工艺具体为:工作压强为2X10—3?5X10_5Pa，电子束蒸镀的能量密度为1W/cm2?100W/cm2,有机材料的蒸镀速率为0.1?lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s ?10nm/so
10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述磁控溅射方式的工艺具体为:工作压强为2X 10_3?5X 10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s?10nm/s，磁控溅射的加速电压为300V?800V，磁场为50G?200G，功率密度为lW/cm2?40W/cm2。
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子注入层由铷的化合物材料，铜的化物材料和金属材料组成，所述铷的化合物材料选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷及硫酸铷中至少一种，所述铜的化物材料选自碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜及氧化铜中至少一种，所述金属材料的功函数为-4.0eV～-5.5eV。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
【IPC分类】H01L51-52, H01L51-56, H01L51-54
【公开号】CN104659251
【申请号】CN201310585637
【发明人】周明杰, 黄辉, 张振华, 王平
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月19日