集成电路的布局的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及集成电路，并且更具体地，涉及集成电路的布局。
【背景技术】
[0002]超大规模集成电路(VLSI)技术中的趋势已经导致了较窄的互连线和较小的接触件。此外，集成电路设计变得越来越复杂和密集。更多的器件压缩在集成电路中以改进性倉泛。
[0003]在集成电路设计中，使用具有预定功能的标准单元。标准单元的布局储存在单元库中。当设计集成电路时，从单元库重新取出相应的标准单元的布局并且放置到集成电路布局上的一个或多个期望的位置内。然后使用互连迹线实施布线以使标准单元彼此连接。
【发明内容】
[0004]为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种单元布局，包括:用于VDD电源的第一金属线，包括连接至所述第一金属线并且垂直于所述第一金属线的第一凸出件；用于VSS电源的第二金属线，包括连接至所述第二金属线并且垂直于所述第二金属线的第二凸出件；位于X方向上的上单元边界和下单元边界；以及位于Y方向上的第一单元边界和第二单元边界；其中，所述上单元边界限定在所述第一金属线的部分中；所述下单元边界限定在所述第二金属线的部分中；以及所述第一单元边界限定在所述第一凸出件的部分和所述第二凸出件的部分中。
[0005]在上述单元布局中，其中，所述第一金属线与所述第一凸出件一起形成第一 L型金属线，并且所述第二金属线与所述第二凸出件一起形成第二 L型金属线。
[0006]在上述单元布局中，其中，所述第一金属线与所述第一凸出件一起形成第一 L型金属线，并且所述第二金属线与所述第二凸出件一起形成第二 L型金属线；其中，所述第一L型金属线和所述第二 L型金属线在所述单元布局的相同侧的相应拐角上形成。
[0007]在上述单元布局中，还包括连接至所述第一金属线的第三凸出件；其中，所述第二单元边界限在所述第三凸出件的部分中；并且所述第一金属线与所述第一凸出件和所述第三凸出件一起形成U型金属线。
[0008]在上述单元布局中，还包括连接至所述第二金属线的第四凸出件；其中，所述第二单元边界限定在所述第四凸出件的部分中；并且所述第二金属线与所述第二凸出件和所述第四凸出件一起形成U型金属线。
[0009]在上述单元布局中，其中，所述第一凸出件的长度等于所述第二凸出件的长度。
[0010]在上述单元布局中，其中，所述第一凸出件的长度不同于所述第二凸出件的长度。
[0011]根据本发明的另一个方面，提供了一种单元布局，包括:用于VDD电源的第一金属线，包括连接至所述第一金属线并且垂直于所述第一金属线的第一凸出件；用于VSS电源的第二金属线，包括连接至所述第二金属线并且垂直于所述第二金属线的第二凸出件；沿着X方向的上单元边界和下单元边界；以及沿着Y方向的第一单元边界和第二单元边界；其中，所述上单元边界限定在所述第一金属线的部分中；所述下单元边界限定在所述第二金属线的部分中；所述第一单元边界限定在所述第一凸出件的部分中；且所述第二单元边界限定在所述第二凸出件的部分中。
[0012]在上述单元布局中，其中，所述第一金属线与所述第一凸出件一起形成第一 L型金属线，并且所述第二金属线与所述第二凸出件一起形成第二 L型金属线。
[0013]在上述单元布局中，其中，所述第一金属线与所述第一凸出件一起形成第一 L型金属线，并且所述第二金属线与所述第二凸出件一起形成第二 L型金属线；其中，所述第一L型金属线和所述第二 L型金属线对角地形成在所述单元布局的相对拐角上。
[0014]在上述单元布局中，其中，所述第一金属线与所述第一凸出件一起形成第一 L型金属线，并且所述第二金属线与所述第二凸出件一起形成第二 L型金属线；其中，所述第一L型金属线和所述第二 L型金属线在所述单元布局的相同侧的相应拐角上形成。
[0015]在上述单元布局中，其中，所述第一凸出件的长度等于所述第二凸出件的长度。
[0016]在上述单元布局中，其中，所述第一凸出件的长度不同于所述第二凸出件的长度。
[0017]根据本发明的又一个方面，提供了一种集成电路布局，包括:第一单元和第二单元，所述第一单元和所述第二单元中的每一个包括位于金属层中的第一电源线的金属线和第二电源线的金属线；第一金属，连接至位于所述金属层中的第一单元和第二单元中的每一个的所述第一电源线的金属线并且垂直于位于所述金属层中的第一单元和第二单元中的每一个的所述第一电源线的金属线；第二金属，连接至位于所述金属层中的第一单元和第二单元中的每一个的所述第二电源线的金属线并且垂直于位于所述金属层中的第一单元和第二单元中的每一个的所述第二电源线的金属线；用于所述第一单元和所述第二单元中的每一个的第一单元边界，由所述第一金属的部分限定；以及用于所述第一单元和所述第二单元中的每一个的第二单元边界，由所述第二金属的部分限定；其中，所述第一单元和所述第二单元在X方向上彼此相对邻接；且所述第一单元的第一金属和所述第二单元的第一金属在Y方向上垂直地对准。
[0018]在上述集成电路布局中，其中，所述第一单元的第一金属与所述第二单元的第一金属物理分离。
[0019]在上述集成电路布局中，其中，所述第一单元的第一金属连接至所述第二单元的第一金属。
[0020]在上述集成电路布局中，其中，所述第一单元和所述第二单元的第一金属和第二金属在Y方向上垂直地对准。
[0021]在上述集成电路布局中，其中，所述第一单元和所述第二单元的第一金属和第二金属在Y方向上垂直地对准；其中，所述第一单元和所述第二单元的第二金属垂直地插入在所述第一单元和所述第二单元的第一金属之间。
[0022]在上述集成电路布局中，其中，所述第一金属的长度等于所述第二金属的长度。
[0023]在上述集成电路布局中，其中，所述第一金属的长度不同于所述第二金属的长度。
【附图说明】
[0024]图1是根据一些实施例的布局100的顶视图。
[0025]图2是根据一些实施例的布局200的顶视图。
[0026]图3是根据一些实施例的布局300的顶视图。
[0027]图4A是根据一些实施例的布局400A的顶视图。
[0028]图4B是根据一些实施例的单元的布局400B的顶视图。
[0029]图5A是根据一些实施例的布局500A的顶视图。
[0030]图5B是根据一些实施例的单元的布局500B的顶视图。
[0031]图6A是根据一些实施例的布局600A的顶视图。
[0032]图6B是根据一些实施例的单元的布局600B的顶视图。
[0033]图7是根据一些实施例的布局700的顶视图。
【具体实施方式】
[0034]以下讨论了本发明的各个实施例的制造和使用。然而应当理解，实施例提供许多可应用的发明构思，其可以在广泛的具体环境中实施。所讨论的具体实施例仅是说明性的，并且并不限定本发明的范围。
[0035]一些实施例具有一种以下特征和/或优势或具有以下特征和/或优势的组合。单元布局包括第一金属线和第二金属线。该第一金属线用于VDD电源，其包括连接至第一金属线并且与第一金属线垂直的第一凸出件(jog)。第二金属线用于VSS电源，其包括连接至第二金属线并且与第二金属线垂直的第二凸出件。单元布局也包括上单元边界、下单元边界、第一单元边界和第二单元边界。上单元边界和下单元边界限定为沿着X方向。第一单元边界和第二单元边界限定为沿着Y方向。上单元边界限定在第一金属线的部分中。下单元边界限定在第二金属线的部分中。第一单元边界限定在第一凸出件的部分中和第二凸出件的部分中。第一金属线与第一凸出件一起形成第一 L型金属线；第二金属线与第二凸出件一起形成第二 L型金属线。第一和第二 L型金属线在单元布局的同一侧的相应拐角角上形成。
[0036]图1是根据一些实施例的布局100的顶视图。布置布局100布置为执行标准单元库的单元的相应的功能。为简化，布局100仅包括用于说明目的必要的组件。单元具有通过沿着X方向的参考线140和142标示和通过沿着Y方向参考线144和146标示的单元边界。单元边界限定单元的单元区。在图1中，半导体衬底、有源区、栅电极层和各个金属层是重叠的。半导体衬底102是硅或其他合适的半导体衬底。P型有源区110和N型有源区112在半导体衬底102内形成。将P型有源区110布置为形成一个或多个P型晶体管。类似地，将N型有源区112布置为形成一个或多个N型晶体管。在一些实施例中，诸如有源区110和112的有源区在本文中也被成为OD(氧化物规模