二发光层的材质为发光材料、或者由主体材料掺杂相同或不 同的所述发光材料组成的掺杂混合材料；在所述掺杂混合材料中，所述发光材料占所述主 体材料的重量百分比为5wt%~15wt% ;所述发光材料为荧光材料或磷光材料；
[0044] 其中，所述荧光材料选自4_(二腈甲基）-2_ 丁基_6-(1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB)、二甲基喹吖啶酮（DMQA)、5,6, 11，12-四苯基萘并萘 (Rubrene)、2,3,6,7-四氢-1，1,7,7-四甲基-1Η，5Η, 11Η-10-(2-苯并噻唑基）-喹嗪并 [9,9八，16!1]香豆素（〇5451')、4,4'-二（2,2-二苯乙烯基）-1，1'-联苯（0?￥81)、4,4'-双 [4-(二对甲苯基氨基）苯乙烯基]联苯（DPAVBi)或4, 4'-双（9-乙基-3-咔唑乙烯 基）-1，1'-联苯（BCzVBi )中的任意一种或几种；
[0045] 所述磷光材料选自双（4,6-二氟苯基吡啶4,02)吡啶甲酰合铱^1印1(：)、双 (4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6)、双（4, 6-二氟-5-氰基苯基吡 啶-N，C2)吡啶甲酸合铱（FCNIrpic)、二（2'-二氟苯基）吡啶（四唑吡啶）合 铱（FIrN 4)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac))、 二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir (piq)2(acac))、乙酰丙酮酸二（2-苯基批陡） 铱（Ir(ppy)2(acac))、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq) 3)或三（2-苯基批陡）合铱 (Ir(ppy)3)中的任意一种或几种；
[0046] 所述主体材料选自4, 4' -二（9-咔唑）联苯（CBP)、8_羟基喹啉铝（Alq3)、 1,3,5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或N, Ν'-二苯基-N, Ν'-二（1-萘 基）_1，1'-联苯-4, 4'-二胺（NPB)中的任意一种；
[0047] 所述阴极层的材质选自金属银（Ag)、铝（Α1)、镁铝合金（Mg-Al)或镁银合金 (Mg-Ag)中的任意一种。
[0048] 在本发明一实施例中，所述真空蒸镀技术的蒸发速度为0. 01~lnm/s，真空度为 IXKT5 ~lXl(T3Pa。
[0049] 综上所述，本发明的有机电致发光器件及其制备方法具有以下优点：该有机电致 发光器件设置有多个有机电致发光单兀，在相邻的两个有机电致发光单兀之间包含一电荷 生成层，该电荷生成层包含N型层及P型层。其中，该N型层的材质为电子传输材料中掺杂 有机掺杂剂，用于电子的传输与注入，P型层的材质为空穴传输材料中掺杂有机掺杂剂，用 于空穴的传输与注入，且由于N型层与P型层均采用掺杂结构，在掺杂结构形成的电荷分离 界面上高效地分离了电子和空穴，从而大大提高了有机层的电导率，提高了载流子的传输 效率。本发明通过上述设置不仅提高了电荷分离的效率及电子传输的效率，降低了整个有 机电致发光器件的驱动电流，提高了发光效率，且即使在同等驱动电流的作用下，发光效率 也更高，此外，通过选用便于真空蒸镀的有机材料，进一步降低了制备工艺的复杂性。
【附图说明】
[0050] 图1为本发明的有机电致发光器件的结构示意图。
[0051] 图2为本发明的实施例1和对比例1所制备的有机电致发光器件的亮度-电流密 度特性曲线。
[0052] 其中，附图标记说明如下：
[0053] 1 有机电致发光器件
[0054] 10 基板
[0055] 20 阳极层
[0056] 30 第一有机电致发光单元
[0057] 301第一空穴传输层
[0058] 302第一发光层
[0059] 303第一电子传输层
[0060] 40 电荷生成层
[0061] 401 N 型层
[0062] 402 P 型层
[0063] 50 第二有机电致发光单元
[0064] 501第二空穴传输层
[0065] 502第二发光层
[0066] 503第二电子传输层
[0067] 60 阴极层
【具体实施方式】
[0068] 以下参考附图1~2,对本发明的一种有机电致发光器件及其制备方法予以进一 步地详尽阐述。
[0069] 如图1所不，该有机电致发光器件1包括：基板10、依次层叠设于基板10的一个 表面上的阳极层20、第一有机电致发光单元30、电荷生成层40、第二有机电致发光单元50 及阴极层60。
[0070] 其中，第一有机电致发光单元30包括依次层叠设于阳极层20表面上的第一空穴 传输层301、第一发光层302及第一电子传输层303 ;
[0071] 电荷生成层40包括依次层叠设于第一电子传输层303表面上的N型层401及P 型层402 ;
[0072] 第二有机电致发光单元50包括依次层叠设于P型层402表面上的第二空穴传输 层501、第二发光层502及第二电子传输层503。
[0073] 以下结合实施例1~3对本发明的有机电致发光器件1及其制备方法作具体说 明，由于实施例1~3的有机电致发光器件1的层状结构基本一致，故皆以图1所示作具体 说明：
[0074] 实施例1
[0075] 如图1所示，本实施例的有机电致发光器件的结构为：玻璃/ΙΤ0/ΝΡΒ/ Ir (piq)2(acac):CBP(10:100)/Bphen/BEDT-TTF:NTCDA(1:100)/F4-TCNQ:NPB(1:100)/ m-MTDATA/FIr6: CBP (15:100) /Bphen/Mg-Al，其中，冒号"："表示前者掺杂在后者中。
[0076] 该实施例的有机电致发光器件的制备方法包括以下步骤：
[0077] 提供一玻璃作为基板10,洗净干燥后备用。
[0078] 在基板10的一个表面上制备一层ITO导电薄膜，即阳极层20,完成后并清洗干净， 该阳极层20的方块电阻为5 Ω /□。
[0079] 采用真空蒸镀技术在阳极层20表面上制备一层第一有机电致发光单元30 :
[0080] 在真空度为IXKT5Pa的真空镀膜系统中，在阳极层20表面上制备一层厚度为 20nm的第一空穴传输层301，所用材质为NPB，NPB的蒸发速度为0. lnm/s ;
[0081] 在真空度为IXKT5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在第一空穴传输层 301表面上制备一层厚度为30nm的第一发光层302,所用材质为Ir (piq) 2 (acac)掺杂在CBP 中形成的混合材料，表示为Ir (piq)2 (acac):CBP，Ir (piq)2 (acac)与CBP的重量百分比为 10:100,其中，Ir (piq)2 (acac)的蒸发速度为0. lnm/s，CBP的蒸发速度为lnm/s ;
[0082] 在真空度为IX KT5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在第一发光层302表 面上制备一层厚度为IOnm的第一电子传输层303,所用材质为Bphen，Bphen的蒸发速度为 0·lnm/s〇
[0083] 米用真空蒸镀技术在第一电子传输层303表面上制备一层电荷生成层40 :
[0084] 首先，在真空度为IXKT5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术，在第一电子 传输层303表面上制备一层厚度为8nm的N型层401，所用材质为BEDT-TTF掺杂在NTCDA 中形成的混合材料，表示为BEDT-TTF: NTCDA，BEDT-TTF与NTCDA的重量百分比为1:100，其 中，BEDT-TTF的蒸发速度为0. 0lnm/s，NTCDA的蒸发速度为lnm/s ;
[0085] 最后，在真空度为IX KT5Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术，在N型层401 表面上制备一层厚度为8nm的P型层402,所用材质为F4-TCNQ掺杂在NPB中形成的混合材 料，表示为F4-TCNQ:NPB，F4-TCNQ与NPB的重量百分比为1:100,其中，F4-TCNQ的蒸发速度 为0. 01nm/s，NPB的蒸发速度为lnm/s。
[0086] 采用真空蒸镀技术在P型层402表面上制备一层第二有机电致发光单元50 : [0087] 在真空度为IX KT5Pa的真空镀膜系统中，在P型层402表面上制备一层厚度为 40nm的第二空穴传输层501，所用材料为m-MTDATA，m-MTDATA的蒸发速度为0. 5nm/s ;
[0088] 在真空度为IXKT4Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在第二空穴传输层 501表面上制备一层厚度为20nm的第二发光层502,所用材质为FIr 6掺杂在CBP中形成的 混合材料，表示为FIr6:CBP，FIr6与CBP的重量百分比为15:100,其中，FIr 6的蒸发速度为 0. 15nm/s，CBP的蒸发速度为lnm/s ;
[0089] 在真空度为IX KT4Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在第二发光层502表 面上制备一层厚度为30nm的第二电子传输层503,所用材质为Bphen，Bphen的蒸发速度为 0·5nm/s〇
[0090] 在真空度为IXKT4Pa的真空镀膜系统中，采用真空蒸镀技术在第二电子传输层 503表面上制备一层厚度为IOOnm的阴极层60,所用材质为金属Mg-Al合金，金属的蒸发速 度为lnm/s。
[0091] 待上述制备步骤完成后，即得所述有机电致发光器件1。
[0092] 实施例2
[0093] 如图1所示，本实施例的有机电致发光器件的结构为：玻璃/IZO/MeO-TH)/ DCJTB:Alq3(5:100)/TPBi/Pyronin B:NTCDA(10:100)/F6-TNAP:m-MTDATA(10:100)/ MeO-TPD/DPVBi/TPBi/Al，其中，冒号"："表示前者掺杂在后者中。
[0094] 该实施例的有机电致发光器件的制备方法包括以下步骤：
[0095] 提供一玻璃作为基板10,洗净干燥后备用。
[0096] 在基板10的一个表面上制备一层IZO导电薄膜，即阳极层20,完成后并清洗干净， 该阳极层20的方块电阻为100 Ω / 口。
[0097] 采用真空蒸镀技术在阳极层20表面上制备一层第一有机电致发光单元30 :
[0098] 在真空度为IXKT3Pa的真空镀膜系统中，在阳极层20表面上制备一层厚度为 40nm的第一空穴传输层301，所用材料为MeO-TPD，MeO-Tro的蒸发速度为lnm/s ;
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