合基板的接触部分。其目的在于:冷却刀片与铸模树脂6或集合基板、或抑制切断时产生的灰尘的飞散、减轻切断时产生的带电。
[0030]继而，在标记步骤(105)中，通过包括YAG激光等的激光标记装置，在配线基板2上的铸模树脂6的上表面刻印制品名、制品编号、制造年月日、制造工厂等制品信息。就获得良好的视认性及作业性的观点来说，刻印的深度优选20?40 μ m左右，更优选25?35 μ m左右，进而优选设为大致30 μ m。
[0031]继而，在烘烤步骤(106)中，加热(烘烤)各个半导体装置10。在分离步骤中，由于各个半导体装置10浸溃于纯水中，所以存在铸模树脂6或配线基板2成为吸湿的状态的情况。若在铸模树脂6或配线基板2为吸湿的状态下直接实施金属溅镀，在金属溅镀膜与铸模树脂6间或金属溅镀膜与配线基板2间的任一个中，存在产生剥离的情况。为了抑制该剥离，在实施金属溅镀前，在水的沸点以上的条件下将各个半导体装置10放置特定时间，使铸模树脂6或配线基板2的吸湿率降低。
[0032]此时，在配线基板2的侧面，与在分离步骤(104)中被切断的屏蔽层电性连接的图案剖面露出。在烘烤步骤(106)中，如果在水的沸点以上的条件(例如I气压100°C以上)下将各个半导体装置10放置特定时间，则因放置环境，存在图案剖面氧化与屏蔽层电性连接的图案和屏蔽层8之间的电阻值变高的情况。
[0033]因此，为了抑制图案剖面的氧化，烘烤步骤(106)是在氧浓度低于大气氧浓度的环境中放置各个半导体装置10。例如，一面使用惰性气体(队或0)2等)冲洗炉内一面使用可加热的恒温槽(Anaerobic Temperature Oven)加热放置各个半导体装置10。
[0034]具体来说，低于大气氧浓度的氧浓度优选将炉内的氧浓度设为1.0 %以下。就谋求的屏蔽性能来说，与屏蔽层8电性连接的图案剖面的氧化膜厚度必须抑制为小于50nm。
[0035]此处，图3是表示一实施方式的半导体装置的烘烤步骤中的氧化膜的成长的图。横轴表示在设置为目标温度250°C的恒温槽内放置半导体装置10的时间，纵轴表示铜的露出面的氧化膜的膜厚，各曲线表示各个氧浓度下的氧化膜的成长。如图3所示，如果将炉内的氧浓度设为1.0 %以下，则烘烤时间超过200sec时，氧化膜的成长几乎未进展。由此，优选将炉内的氧浓度设为1.0%以下。此处，如果在超过温度250°C的温度下进行烘烤，则因铸模树脂6中包含环氧树脂或酚树脂，所以超过铸模树脂6的玻璃转移点。以像在超过铸模树脂6的玻璃转移点温度的温度下使吸水率降低的程度那样较长的时间进行烘烤并不现实，因此烘烤是在250°C以下下进行。
[0036]继而，在利用金属溅镀的屏蔽层形成步骤(107)中，对激光标记的铸模树脂6的表面整体、即对上表面及侧面整体实施金属溅镀，例如形成3μπι厚的屏蔽层8。由此，制作如图1所示的半导体装置10。
[0037]此外，当实施金属溅镀时，为了提高屏蔽层8对铸模树脂6的密接性，优选预先将铸模树脂6的表面、至少上表面粗化。本方法中，为了获取多个半导体装置，切断一次密封的铸模树脂。因此，由于铸模树脂6的侧面通过切断已被粗化，所以基本上无需进行粗化，但也可以视需要进而追加粗化步骤。作为粗化方法，可以使用反溅镀。通过使用反溅镀，无需重新准备用来进行粗化的装置。另外，由于可以使用与金属溅镀相同的腔室连续地进行处理，所以可谋求步骤的简化、步骤期间的缩短，因此优选。
[0038]然后，在测试步骤(108)中，测定与制成的半导体装置10的屏蔽层8电性连接的图案及屏蔽层的电阻值。在测试步骤(108)中，确认屏蔽层8的屏蔽性能未产生问题。
[0039]图4中表示半导体装置10的仰视图(从外部电极3侧观察的图)。外部电极3包含测定用的外部电极3a及通常的外部电极3b。测定用的外部电极3a连接于与屏蔽层8电性连接的图案。另外，通常的外部电极3b的一部分也连接于与屏蔽层8电性连接的图案。但，测定用的外部电极3a与通常的外部电极3b并非仅经由与屏蔽层8电性连接的图案而电性连接，而是经由与屏蔽层8电性连接的图案及屏蔽层8的两者而电性连接。
[0040]在测试步骤(108)中，测定测定用的外部电极3a和连接于与屏蔽层8电性连接的图案的一部分的通常的外部电极3b之间的电阻。
[0041]此外，在本实施方式中，测定用的外部电极3a是使用所述电极膜，通常的外部电极3b是使用突起电极。
[0042]根据以上所说明的半导体装置的制造方法，通过金属溅镀形成屏蔽层，因此可以形成厚度非常薄的屏蔽层，可以使半导体装置小型化、薄型化。
[0043]而且，在分离成各个半导体封装体后，在金属溅镀前加热半导体装置10。由此，可以抑制金属溅镀的剥离，可以效率良好地制造半导体装置。此处，金属溅镀前的半导体装置10的加热是在氧浓度大气氧浓度的环境中进行。由此，可以抑制与屏蔽层8电性连接的图案的露出面的氧化。结果，可以将与屏蔽层8电性连接的图案和屏蔽层8之间的电阻抑制为较低。
[0044]进而，通过激光在铸模树脂的表面标记制品信息等后，形成屏蔽层。由此，可以具有可靠性较高的屏蔽性能，并且可以形成具有充分的视认性的标记部。即，于在形成屏蔽层后进行激光标记的情况下，有产生因激光所致的屏蔽层的贯通，屏蔽降低的担忧。另外，在未贯通的情况下，刻印较浅，无法获得充分的视认性。在所述半导体装置的制造方法中，在激光标记后形成屏蔽层，因此无屏蔽层贯通的担忧，可以形成具有充分的深度的刻印。因此，可以具有可靠性较高的屏蔽性能，且可以形成具有充分的视认性的标记部。
[0045]进而，于在金属溅镀后进行激光标记的情况下，由于金属一般激光反射率较大，所以必须使激光输出变大，激光材料的消耗变快，必须频繁更换，但在所述方法中，由于对激光光的吸收良好的铸模树脂进行标记，所以激光输出可较低，无需频繁更换，可以谋求制造成本的降低、作业效率的提高。
[0046]以上说明了本发明的实施方式，但该实施方式是作为示例而提出的，并非意图限定发明的范围。该新颖的实施方式可以通过其他各种方式而实施，可以在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、替换、变更。该实施方式或其变化包含于发明的范围或主旨，并且包含于权利要求书中记载的发明及其均等的范围。
[0047][符号的说明]
[0048]I半导体元件
[0049]2配线基板
[0050]3外部电极
[0051]4信号线金属线
[0052]5接地金属线
[0053]6铸模树脂
[0054]7标记部
[0055]8屏蔽层
[0056]10半导体装置
【主权项】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于:是使用密封树脂将搭载着多个半导体元件的配线基板的搭载着所述半导体元件的面与多个所述半导体元件密封； 切断被密封的所述配线基板而分离成各个半导体装置； 加热分离后的所述半导体装置； 对加热后的所述半导体装置的所述密封树脂表面与所述配线基板的切断面，通过金属溅镀形成屏蔽层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于:所述半导体装置的加热是在氧浓度低于大气氧浓度的环境中加热。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于:所述半导体装置的加热是在氧浓度I%以下的环境中加热。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于:所述屏蔽层包含Cu。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于:在分割成各个半导体装置之后、形成所述屏蔽层之前，在所述密封树脂表面进行刻印。
【专利摘要】本发明提供一种具备对于树脂密封面具有良好的密接性的半导体装置的制造方法。将多个半导体元件搭载于配线基板。使用密封树脂将配线基板的搭载着半导体元件的面与多个半导体元件密封。切断被密封的配线基板，分离成各个半导体装置。加热分离后的半导体装置。于加热后的半导体装置的密封树脂表面与配线基板的切断面，通过金属溅镀形成屏蔽层。
【IPC分类】H01L21-56
【公开号】CN104716051
【申请号】CN201410444315
【发明人】渡部武志, 井本孝志, 高野勇佑, 本间庄一, 涩谷克则
【申请人】株式会社东芝
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2014年9月3日
【公告号】US20150170988