如，大约20 μm至大约30 μm。
[0044]另外，如图8中所示，在导电材料的基体基板10的另一表面1b中形成第二凹槽或沟槽10d。第二凹槽或沟槽1d不完全穿透基体基板10。尽管未在图8的剖视图中示出，但基体基板10的另一表面1b的除了第二凹槽或沟槽1d之外的部分可被理解为沿一个方向延伸的布线图案或在俯视图上的曲径。可按照与用于形成第一凹槽或沟槽1c的上述方法相同或相似的方法来执行形成第二凹槽或沟槽1d的步骤。
[0045]保留在基体基板10的另一表面1b上且未被去除的部分(即，除了第二凹槽或沟槽1d之外的部分)可随后用作布线图案。因此，当在基体基板10的另一表面1b中形成第二凹槽或沟槽1d时，保留在邻近的第二凹槽或邻近的第二沟槽之间的部分的宽度可等于典型的布线图案的宽度，例如，大约20 μm至大约30 μm。
[0046]当形成第一凹槽或沟槽1c时以及当形成第二凹槽或沟槽1d时，可彼此对应地形成第一凹槽或沟槽1c和第二凹槽或沟槽10d。第一凹槽或沟槽1c的宽度wl和第二凹槽或沟槽1d的宽度《2可形成为彼此不同。这是为了使得在半导体封装基板的一个表面上的布线图案或宽度与在半导体封装基板的另一表面上的布线图案或宽度不同，随后将对此进行描述。
[0047]另外，可在形成第一凹槽或沟槽1c之后形成第二凹槽或沟槽10d。可选择地，可在形成第二凹槽或沟槽1d之后形成第一凹槽或沟槽10c。
[0048]第一凹槽或沟槽1c和第二凹槽或沟槽1d可同时形成。例如，将DFR层压到基体基板10的一个表面1a和另一表面1b上，然后执行曝光工艺和显影工艺，从而仅暴露基体基板10的一个表面1a的将要形成第一凹槽或沟槽1c的部分和基体基板10的另一表面1b的将要形成第二凹槽或沟槽1d的部分。接着，通过使用诸如氯化铜或氯化铁的蚀刻剂来同时蚀刻在基体基板10的一个表面1a和另一表面1b上的未用DFR覆盖的部分，使得形成在一个表面1a中的第一凹槽或沟槽1c与形成在另一表面1b中的第二凹槽或沟槽1d可如图8中所示地同时形成而不穿透基体基板10。如此，由于同时形成第一凹槽或沟槽1c以及第二凹槽或沟槽10d，因此可简化制造工艺并且可显著减少用于制造的时间和成本。可使覆盖基体基板10的一个表面1a的DFR和覆盖基体基板10的另一表面1b的DFR同时显影，并且各种修改可以是可用的。
[0049]如图8中所示，当在基体基板10的一个表面1a中形成第一凹槽或沟槽1c以及在基体基板10的另一表面1b中形成第二凹槽或沟槽1d时，第一凹槽或沟槽1c的深度与第二凹槽或沟槽1d的深度的总和可为基体基板10的厚度的大约80%至大约90%。例如，形成有基体基板10的第一凹槽或沟槽1c或基体基板10的第二凹槽或沟槽1d的保留部分的厚度可为大约10 μ m至大约40 μπι。
[0050]当第一凹槽或沟槽1c的深度与第二凹槽或沟槽1d的深度的总和大于基体基板10的厚度的大约80%至大约90%时，在制造半导体封装基板的工艺或随后的封装工艺中会难以处理基体基板10或半导体封装基板。另外，在某些情况下，在形成第一凹槽或沟槽1c和/或第二凹槽或沟槽1d时，会由于在形成第一凹槽或沟槽1c和/或第二凹槽或沟槽1d时的公差而形成穿透基体基板10的一个表面1a和另一表面1b的通孔。当第一凹槽或沟槽1c的深度与第二凹槽或沟槽1d的深度的总和小于基体基板10的厚度的大约80%至大约90%时，在半导体封装基板的制造中的随后工艺会有困难或者最终制造的半导体封装基板的厚度会太薄，随后将对此进行描述。
[0051]然后，如图9中所示，用树脂20填充基体基板10的第一凹槽或沟槽10c。树脂20由足以防止电传导的绝缘材料形成。例如，树脂20可为通过由热处理而被聚合来硬化的热固性树脂。树脂20使随后形成在半导体封装基板上的布线图案之间电绝缘。可以通过使用液体树脂材料或通过使用包含树脂成分的固态胶带来完成填充树脂20。在填充树脂20之后，如必要可在炉中执行热固化树脂20的工艺。
[0052]在用树脂20进行填充期间，如图9中所示，树脂20可不仅填充基体基板10的第一凹槽或沟槽10c，而且还覆盖基体基板10的一个表面1a的至少一部分。如此，当过涂覆树脂20时，可通过诸如刷擦、研磨或磨蚀的机械加工或者通过化学树脂蚀刻来去除过涂覆的树脂20。因此，如图10中所示，树脂20可仅位于基体基板10的第一凹槽或沟槽1c中。
[0053]接着，如图11中所示，蚀刻基体基板10的另一表面1b以暴露填充第一凹槽或沟槽1c的树脂20。当蚀刻基体基板10的另一表面1b时，在不使用DFR的情况下完全蚀刻基体基板10的另一表面10b。于是，因为不需要图案化工艺，所以可非常容易且快速地执行基体基板10的另一表面1b的蚀刻工艺。为此，可使用基于氯化铜、氯化铁、硫酸、或过氧化氢的蚀刻剂。根据上述蚀刻，如图11中所示，与形成在一个表面1a中的树脂20之间的布线图案12相似的布线图案14可形成在基体基板10的另一表面1b中。
[0054]由于第二凹槽或沟槽1d存在于基体基板10的另一表面1b中，因此在第二凹槽或沟槽1d被蚀刻时，树脂20的与第二凹槽或沟槽1d对应的部分被暴露。换言之，基体基板10的另一表面1b的布线图案14与基体基板10的一个表面1a的布线图案12对应。由于第二凹槽或沟槽1d的形状或尺寸在第二凹槽或沟槽1d最初形成在基体基板10的另一表面1b中时被确定，因此可确定基体基板10的另一表面1d的布线图案的形状。
[0055]按照根据本实施例的制造半导体封装基板的方法，简化了制造工艺而且可以以各种方式来制作上图案和下图案的形状。参照图8，如上所述，第一凹槽或沟槽1c的宽度Wl和第二凹槽或沟槽1d的宽度《2可形成为彼此不同。因此，如图11中所示，在完成的半导体封装基板的一个表面上的布线图案或宽度与在半导体封装基板的另一表面上的布线图案或宽度不同。这是因为暴露在基体基板10的一个表面1a上的树脂20的表面的宽度wl’与图8的第一凹槽或沟槽1c的宽度wl对应，暴露在基体基板10的另一表面1b上的树脂20的表面的宽度w2’与图8的第二凹槽或沟槽1d的宽度《2对应。
[0056]按照根据本实施例的制造半导体封装基板的方法，虽然在另一表面1b上的布线图案14的宽度或形状与在一个表面1a上的布线图案12的宽度或形状形成为彼此不同，但是与现有技术的制造半导体封装基板的方法不同，可简化制造工艺。具体地，当在形成第一凹槽或沟槽1c和第二凹槽或沟槽1d的步骤期间同时执行使覆盖基体基板10的一个表面1a的光致抗蚀剂显影的工艺和使覆盖另一表面1b的光致抗蚀剂显影的工艺时，在另一表面1b上的布线图案14的宽度或形状与在一个表面1a上的布线图案12的宽度或形状形成为彼此不同，而且与现有技术的制造半导体封装基板的方法不同，也可显著地简化制造工艺。
[0057]当如上所述地参照图8在基体基板10中形成第一凹槽或沟槽1c和第二凹槽或沟槽1d时，第一凹槽或沟槽1c的深度与第二凹槽或沟槽1d的深度的总和可为基体基板10的厚度的大约80%至大约90%。当第一凹槽或沟槽1c的深度与第二凹槽或