Tft基板的制作方法及其结构的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术领域，尤其设及一种TFT基板的制作方法及其结构。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的发展，液晶显示器（LiquidhystalDisplay,LCD)等平面显示装 置因具有高画质、省电、机身薄等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字 相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
[0003] 现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及 背光模组化ackli曲tmo化le)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放 置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶 分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
[0004] 通常液晶显示面板由彩膜（ColorFilter,CF)基板、薄膜晶体管阵列基板（Thin FilmTransistorArraySubstrate,TFTArraySubstrate)、夹于CF基板与TFT基板之间 的液晶（Liquid化ystal，LC)及密封胶框（Sealant)组成，其成型工艺一般包括；前段阵 列（Array)制程（薄膜、黄光、蚀刻及剥膜）、中段成盒（Cell)制程（TFT基板与CF基板贴 合）及后段模组组装制程（驱动1C与印刷电路板压合）。其中，前段Array制程主要是形 成TFT基板，W便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间 添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动1C压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子 转动，显示图像。
[000引如图1-8所示，现有的一种TFT基板的制作方法包括如下步骤：
[0006] 步骤1、如图1所示，提供一基板100,所述基板100上设有TFT区域与非TFT区域， 所谓TFT区域是指最终制得的TFT在基板上对应所处的区域；在所述基板100上沉积第一 金属层，并通过一道光刻制程图案化该第一金属层，形成位于TFT区域中部的栅极300 ;
[0007] 步骤2、如图2所示，在所述栅极300、及基板100上依次沉积栅极绝缘层400、非晶 娃层500、N型重渗杂非晶娃层600、及第二金属层700 ;
[000引步骤3、如图3所示，在所述第二金属层700上涂布一光阻层，并通过一道半色调 光罩制程对该光阻层进行曝光、显影，得到对应TFT区域覆盖于第二金属层700上的蚀刻阻 挡层800,所述蚀刻阻挡层800包括薄层区域810、及分布于薄层区域810两侧的厚层区域 820,所述薄层区域810位于欲形成TFT背沟道的位置；
[0009] 步骤4、如图4所示，W所述蚀刻阻挡层800为遮挡，采用第一道湿蚀刻制程对所述 第二金属层700进行蚀刻，未被所述蚀刻阻挡层800遮挡的第二金属层700完全被蚀刻掉， 而保留该第二金属层700位于TFT区域的部分；
[0010] 步骤5、如图5所示，采用第一道干蚀刻制程对非晶娃层500、N型重渗杂非晶娃层 600、及蚀刻阻挡层800进行蚀刻，使得所述非晶娃层500、及N型重渗杂非晶娃层600位于 非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，同时使所述蚀刻阻挡层800的薄层区域810被完全蚀刻 掉，暴露出部分第二金属层700 ;
[0011] 步骤6、如图6所示，w所述蚀刻阻挡层800的厚层区域820为遮挡，采用第二道湿 蚀刻制程对第二金属层700进行蚀刻，去除第二金属层700被暴露出来的部分，形成源/漏 极 710 ;
[0012] 步骤7、如图7所示，W所述蚀刻阻挡层800的厚层区域820、及源/漏极710为遮 挡，采用第二道干蚀刻制程对所述非晶娃层500与N型重渗杂非晶娃层600进行蚀刻，去除 掉所述N型重渗杂非晶娃层600未被所述源/漏极710遮挡的部分，并降低所述非晶娃层 500未被所述源/漏极710遮挡的部分的厚度，形成背沟道区510;
[0013] 在该第二道干蚀刻制程中，由于所述栅极绝缘层400位于非TFT区域的部分上方 没有遮挡，往往会被蚀刻掉一部分，从而使所述栅极绝缘层400位于非TFT区域的部分的厚 度降低。
[0014] 步骤8、如图8所示，去除蚀刻阻挡层8的厚层区域82得到一TFT基板。
[0015] 上述现有的TFT基板的制作方法，由于在进行步骤5的第一道干蚀刻制程时，已经 将位于非TFT区域的非晶娃层500与N型重渗杂非晶娃层600完全蚀刻掉（如图5所示）， 当进行步骤7的第二道干蚀刻制程时，会造成栅极绝缘层400位于非TFT区域的部分的损 伤（如图7所示），根据实际经验，第二道干蚀刻制程的蚀刻量为1OOOA，通常会造成栅极绝 缘层400减薄800A，该样会造成实际的液晶电容W及存储电容（MII电容）偏离模拟结果， 造成图像闪烁（Flicker)、W及禪合电压（Vft)、响应时间、与充电率等参数的偏离。
[0016] 因此有必要提供一种改进的TFT基板的制作方法，W克服上述技术问题。
【发明内容】
[0017] 本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，能够防止栅极绝缘层在第二道 干蚀刻制程中受到损伤，提高TFT基板的品质，并缩短生产周期，提升工厂产能。
[0018] 本发明的目的还在于提供一种TFT基板结构，其结构简单，栅极绝缘层完整，可W 提高液晶显示器的显示品质。
[0019] 为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
[0020] 步骤1、提供一基板，所述基板上设有TFT区域与非TFT区域，在所述基板上沉积第 一金属层，并通过一道光刻制程图案化该第一金属层，形成位于TFT区域中部的栅极；
[0021] 步骤2、在所述栅极、及基板上依次沉积栅极绝缘层、非晶娃层、N型重渗杂非晶娃 层、及第二金属层；
[0022] 步骤3、在所述第二金属层上涂布一光阻层，并通过一道半色调光罩制程对该光阻 层进行曝光、显影，得到对应TFT区域覆盖于第二金属层上的蚀刻阻挡层；
[0023] 所述蚀刻阻挡层包括薄层区域、及分布于薄层区域两侧的厚层区域，所述薄层区 域位于欲形成TFT背沟道的位置；
[0024] 步骤4、W所述蚀刻阻挡层为遮挡，采用第一道湿蚀刻制程对所述第二金属层进行 蚀刻，保留该第二金属层位于TFT区域的部分；
[0025]步骤5、采用第一道干蚀刻制程对非晶娃层、N型重渗杂非晶娃层、及蚀刻阻挡层 进行蚀刻，使得所述N型重渗杂非晶娃层位于非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，而所述非晶 娃层位于非TFT区域的部分未被完全蚀刻掉，从而保留一定的厚度，同时使得所述蚀刻阻 挡层的薄层区域被完全蚀刻掉，暴露出部分所述第二金属层；
[0026] 步骤6、W所述蚀刻阻挡层的厚层区域为遮挡，采用第二道湿蚀刻制程对第二金属 层进行蚀刻，去除第二金属层被暴露出来的部分，形成源/漏极；
[0027] 步骤7、W所述蚀刻阻挡层的厚层区域、及源/漏极为遮挡，采用第二道干蚀刻制 程对所述非晶娃层与N型重渗杂非晶娃层进行蚀刻，去除掉所述N型重渗杂非晶娃层未被 所述源/漏极遮挡的部分，并降低所述非晶娃层未被所述源/漏极遮挡的部分的厚度，形成 背沟道区；
[002引在该第二道干蚀刻制程中，所述非晶娃层位于非TFT区域的部分被完全蚀刻掉；
[0029] 步骤8、去除蚀刻阻挡层的厚层区域，得到一TFT基板。
[0030] 所述步骤1中，采用物理气相沉积法沉积所述第一金属层，所述第一金属层的材 料为铜、侣、或钢。
[0031] 所述步骤2中，采用化学气相沉积法依次沉积所述栅极绝缘层、非晶娃层、及N型