制作方法对第一道干蚀刻制程与第二道干蚀刻制程进行了改善， 通过在第一道干蚀刻制程中将非晶娃层5位于非TFT区域的部分保留一定的厚度，在第二 道干蚀刻制程中形成背沟道51的同时，蚀刻掉在非TFT区域保留下来的非晶娃层5,从而防 止栅极绝缘层4在第二道干蚀刻制程中受到损伤，提高了TFT基板的品质，减少品质问题发 生的风险，并且由于减少了第一道干蚀刻制程的蚀刻量，从而减少了干蚀刻制程时间，缩短 了生产周期，提升了工厂产能。
[0085] 请参阅图17,本发明还提供一种由上述制作方法制备的TFT基板结构，包括：
[0086]基板1，所述基板1上设有TFT区域与非TFT区域；
[0087] 栅极3,所述栅极3于所述TFT区域中部设于所述基板1上；
[008引栅极绝缘层4,所述栅极绝缘层4覆盖所述栅极3与基板1;
[0089] W及对应于所述TFT区域从下到上依次层叠设置于所述栅极绝缘层4上的非晶娃 层5、N型重渗杂非晶娃层6、及源/漏极71。
[0090] 其中，所述N型重渗杂非晶娃层6与源/漏极71在非晶娃层5上分布的位置与尺 寸相同，所述非晶娃层5中部形成有背沟道区51，所述非晶娃层5在该背沟道区51的厚度 小于其它区域的厚度。所述非晶娃层5与N型重渗杂非晶娃层6共同构成半导体层。
[0091] 优选地，所述基板1为玻璃基板。
[0092] 所述栅极3的材料为铜、侣、或钢。
[0093] 所述栅极绝缘层4的材料为氧化娃或氮化娃。
[0094] 所述源/漏极71的材料为铜、侣、或钢。
[0095] 综上所述，本发明的TFT基板的制作方法，通过在第一道干蚀刻制程中将非晶娃 层位于非TFT区域的部分保留一定的厚度，在第二道干蚀刻制程中形成背沟道的同时，蚀 刻掉在非TFT区域保留下来的非晶娃层，从而防止栅极绝缘层在第二道干蚀刻制程中受到 损伤，提高了TFT基板的品质，减少了品质问题发生的风险，并且由于减少了第一道干蚀刻 制程的蚀刻量，从而减少了干蚀刻制程时间，减短了生产周期，提高了工厂产能。本发明的 TFT基板结构，其结构简单，栅极绝缘层完整无损伤，可提高液晶显示器的显示品质。
[0096] W上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可W根据本发明的技术方案和技术 构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有该些改变和变形都应属于本发明权利要求的 保护范围。
【主权项】
1. 一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供一基板（1)，所述基板（1)上设有TFT区域与非TFT区域，在所述基板（1) 上沉积第一金属层，并通过一道光刻制程图案化该第一金属层，形成位于TFT区域中部的 栅极（3); 步骤2、在所述栅极（3)、及基板（1)上依次沉积栅极绝缘层（4)、非晶硅层（5)、N型重 掺杂非晶娃层（6)、及第二金属层（7); 步骤3、在所述第二金属层（7)上涂布一光阻层，并通过一道半色调光罩制程对该光阻 层进行曝光、显影，得到对应TFT区域覆盖于第二金属层（7)上的蚀刻阻挡层（8); 所述蚀刻阻挡层（8)包括薄层区域（81)、及分布于薄层区域（81)两侧的厚层区域 (82)，所述薄层区域（81)位于欲形成TFT背沟道的位置； 步骤4、以所述蚀刻阻挡层（8)为遮挡，采用第一道湿蚀刻制程对所述第二金属层（7) 进行蚀刻，保留该第二金属层（7)位于TFT区域的部分； 步骤5、采用第一道干蚀刻制程对非晶硅层（5)、N型重掺杂非晶硅层（6)、及蚀刻阻挡 层（8)进行蚀刻，使得所述N型重掺杂非晶硅层（6)位于非TFT区域的部分被完全蚀刻掉， 而所述非晶硅层（5)位于非TFT区域的部分未被完全蚀刻掉，从而保留一定的厚度，同时使 得所述蚀刻阻挡层（8)的薄层区域（81)被完全蚀刻掉，暴露出部分第二金属层（7); 步骤6、以所述蚀刻阻挡层（8)的厚层区域（82)为遮挡，采用第二道湿蚀刻制程对第二 金属层（7)进行蚀刻，去除第二金属层（7)被暴露出来的部分，形成源/漏极（71); 步骤7、以所述蚀刻阻挡层（8)的厚层区域（82)、及源/漏极（71)为遮挡，采用第二道 干蚀刻制程对所述非晶硅层（5)与N型重掺杂非晶硅层（6)进行蚀刻，去除掉所述N型重 掺杂非晶硅层（6)未被所述源/漏极（71)遮挡的部分，并降低所述非晶硅层（5)未被所述 源/漏极（71)遮挡的部分的厚度，形成背沟道区（51); 在该第二道干蚀刻制程中，所述非晶硅层（5)位于非TFT区域的部分被完全蚀刻掉； 步骤8、去除蚀刻阻挡层（8)的厚层区域（82)，得到一TFT基板。
2. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，采用物理气 相沉积法沉积所述第一金属层，所述第一金属层的材料为铜、铝、或钼。
3. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，采用化学气 相沉积法依次沉积所述栅极绝缘层（4)、非晶硅层（5)、及N型重掺杂非晶硅层（6)，所述栅 极绝缘层（4)的材料为氧化硅或氮化硅。
4. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，采用物理气 相沉积法沉积所述第二金属层（7)，所述第二金属层（7)的材料为铜、铝、或钼。
5. 如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤7中第二道干蚀刻 制程的蚀刻量大于所述步骤5进行完第一道干蚀刻制程后所述非晶硅层（5)在非TFT区域 保留下来的厚度。
6. -种TFT基板结构，其特征在于，包括： 基板（1)，所述基板（1)上设有TFT区域与非TFT区域； 栅极（3)，所述栅极（3)于所述TFT区域中部设于所述基板（1)上； 栅极绝缘层（4)，所述栅极绝缘层（4)覆盖所述栅极（3)与基板（1); 以及对应于所述TFT区域从下到上依次层叠设置于所述栅极绝缘层（4)上的非晶硅层 (5)、N型重掺杂非晶硅层（6)、及源/漏极（71); 其中，所述N型重掺杂非晶硅层（6)与源/漏极（71)在非晶硅层（5)上分布的位置与 尺寸相同，所述非晶硅层（5)中部形成有背沟道区（51)，所述非晶硅层（5)在该背沟道区 (51)的厚度小于其它区域的厚度； 所述非晶硅层（5)与N型重掺杂非晶硅层（6)共同构成半导体层。
7. 如权利要求6所述的TFT基板结构，其特征在于，所述基板（1)为玻璃基板。
8. 如权利要求6所述的TFT基板结构，其特征在于，所述栅极（3)的材料为铜、铝、或 钼。
9. 如权利要求6所述的TFT基板结构，其特征在于，所述栅极绝缘层（4)的材料为氧化 硅或氮化硅。
10. 如权利要求6所述的TFT基板结构，其特征在于，所述源/漏极（71)的材料为铜、 错、或钼。
【专利摘要】本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法通过在第一道干蚀刻制程中将非晶硅层(5)位于非TFT区域的部分保留一定的厚度，在第二道干蚀刻制程中形成背沟道(51)的同时，蚀刻掉在非TFT区域保留下来的非晶硅层(5)，从而防止栅极绝缘层(4)在第二道干蚀刻制程中受到损伤，提高了TFT基板的品质，减少了品质问题发生的风险，并且由于减少了第一道干蚀刻制程的蚀刻量，从而减少了干蚀刻制程时间，减短了生产周期，提高了工厂产能。本发明提供的一种TFT基板结构，其结构简单，栅极绝缘层完整无损伤，可提高液晶显示器的显示品质。
【IPC分类】H01L21-82, H01L27-02
【公开号】CN104766859
【申请号】CN201510209776
【发明人】孙博
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年4月28日