重渗杂非晶娃层，所述栅极绝缘层的材料为氧化娃或氮化娃。
[0032] 所述步骤2中，采用物理气相沉积法沉积所述该第二金属层，所述第二金属层的 材料为铜、侣、或钢。
[0033] 所述步骤7中第二道干蚀刻制程的蚀刻量大于所述步骤5进行完第一道干蚀刻制 程后所述非晶娃层在非TFT区域保留下来的厚度。
[0034] 本发明还提供一种TFT基板结构，包括：
[0035] 基板，所述基板上设有TFT区域与非TFT区域；
[0036] 栅极，所述栅极于所述TFT区域中部设于所述基板上；
[0037] 栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极与基板；
[003引 W及对应于所述TFT区域从下到上依次层叠设置于所述栅极绝缘层上的非晶娃 层、N型重渗杂非晶娃层、及源/漏极；
[0039] 其中，所述N型重渗杂非晶娃层与源/漏极在非晶娃层上分布的位置与尺寸相同， 所述非晶娃层中部形成有背沟道区，所述非晶娃层在该背沟道区的厚度小于其它区域的厚 度；
[0040] 所述非晶娃层与N型重渗杂非晶娃层共同构成半导体层。
[0041] 所述基板为玻璃基板。
[0042] 所述栅极的材料为铜、侣、或钢。
[0043] 所述栅极绝缘层的材料为氧化娃或氮化娃。
[0044] 所述源/漏极的材料为铜、侣、或钢。
[0045] 本发明的有益效果；本发明提供的一种TFT基板的制作方法，通过在第一道干蚀 刻制程中将非晶娃层位于非TFT区域的部分保留一定的厚度，在第二道干蚀刻制程中形成 背沟道的同时，蚀刻掉在非TFT区域保留下来的非晶娃层，从而防止栅极绝缘层在第二道 干蚀刻制程中受到损伤，提高了TFT基板的品质，减少了品质问题发生的风险，并且由于减 少了第一道干蚀刻制程的蚀刻量，从而减少了干蚀刻制程时间，缩短了生产周期，提升了工 厂产能。本发明提供的一种TFT基板结构，其结构简单，栅极绝缘层完整无损伤，可提高液 晶显不器的显不品质。
[0046] 为了能更进一步了解本发明的特征W及技术内容，请参阅W下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加W限制。
【附图说明】
[0047] 下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案 及其它有益效果显而易见。
[0048] 附图中，
[0049] 图1为现有的一种TFT基板的制作方法步骤1的示意图；
[0050] 图2为现有的一种TFT基板的制作方法步骤2的示意图；
[0051] 图3为现有的一种TFT基板的制作方法步骤3的示意图；
[0052] 图4为现有的一种TFT基板的制作方法步骤4的示意图；
[0053] 图5为现有的一种TFT基板的制作方法步骤5的示意图；
[0054] 图6为现有的一种TFT基板的制作方法步骤6的示意图；
[0055] 图7为现有的一种TFT基板的制作方法步骤7的示意图；
[0056] 图8为现有的一种TFT基板的制作方法步骤8的示意图；
[0057] 图9为本发明的TFT基板的制作方法的流程图；
[0化引图10为本发明的TFT基板的制作方法步骤1的示意图；
[0化9] 图11为本发明的TFT基板的制作方法步骤2的示意图；
[0060] 图12为本发明的TFT基板的制作方法步骤3的示意图；
[0061] 图13为本发明的TFT基板的制作方法步骤4的示意图；
[0062] 图14为本发明的TFT基板的制作方法步骤5的示意图；
[0063] 图15为本发明的TFT基板的制作方法步骤6的示意图；
[0064] 图16为本发明的TFT基板的制作方法步骤7的示意图；
[00化]图17为本发明的TFT基板的制作方法步骤8的示意图暨本发明的TFT基板结构 的不意图。
【具体实施方式】
[0066] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，W下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0067] 请参阅图9,本发明首先提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
[0068] 步骤1、如图10所示，提供一基板1，所述基板1上设有TFT区域与非TFT区域，所 谓TFT区域是指最终制得的TFT在基板1上对应所处的区域；在所述基板1上沉积第一金 属层，并通过一道光刻制程图案化该第一金属层，形成位于TFT区域中部的栅极3。
[0069] 具体地，该步骤1采用物理气相沉积法沉积所述第一金属层，所述第一金属层的 材料为铜、侣、或钢。
[0070] 步骤2、如图11所示，在所述栅极3、及基板1上依次沉积栅极绝缘层4、非晶娃层 5、N型重渗杂非晶娃层6、及第二金属层7。
[0071] 具体地，该步骤2采用化学气相沉积法依次沉积所述栅极绝缘层4、非晶娃层5、及 N型重渗杂非晶娃层6,再采用物理气相沉积法沉积所述第二金属层7。
[0072] 所述栅极绝缘层4的材料为氧化娃或氮化娃。
[0073] 所述第二金属层7的材料为铜、侣、或钢。
[0074] 步骤3、如图12所示，在所述第二金属层7上涂布一光阻层，并通过一道半色调光 罩制程对该光阻层进行曝光、显影，得到对应TFT区域覆盖于第二金属层7上的蚀刻阻挡层 8。
[0075] 所述蚀刻阻挡层8包括薄层区域81、及分布于薄层区域81两侧的厚层区域82,所 述薄层区域81位于欲形成TFT背沟道的位置。
[0076] 步骤4、如图13所示，W所述蚀刻阻挡层8为遮挡，采用第一道湿蚀刻制程对所述 第二金属层7进行蚀刻，保留该第二金属层7位于TFT区域的部分。
[0077] 步骤5、如图14所示，采用第一道干蚀刻制程对非晶娃层5、N型重渗杂非晶娃层 6、及蚀刻阻挡层8进行蚀刻，使得所述N型重渗杂非晶娃层6位于非TFT区域的部分被完全 蚀刻掉，而所述非晶娃层5位于非TFT区域的部分未被完全蚀刻掉，从而保留一定的厚度， 同时使得所述蚀刻阻挡层8的薄层区域81被完全蚀刻掉，暴露出部分第二金属层7。
[007引步骤6、如图15所示，W所述蚀刻阻挡层8的厚层区域82为遮挡，采用第二道湿蚀 刻制程对第二金属层7进行蚀刻，去除第二金属层7被暴露出来的部分，形成源/漏极71。
[0079] 步骤7、如图16所示，W所述蚀刻阻挡层8的厚层区域82、及源/漏极71为遮挡， 采用第二道干蚀刻制程对所述非晶娃层5与N型重渗杂非晶娃层6进行蚀刻，去除掉所述 N型重渗杂非晶娃层6未被所述源/漏极71遮挡的部分，并降低所述非晶娃层5未被所述 源/漏极71遮挡的部分的厚度，形成背沟道区51;
[0080] 与此同时，在该第二道干蚀刻制程中，所述非晶娃层5位于非TFT区域的部分被完 全蚀刻掉。
[0081] 值得一提的是，理论上，该步骤7中的第二道干蚀刻制程的蚀刻量应与所述步骤5 进行完第一道干蚀刻制程后所述非晶娃层5在非TFT区域保留下来的厚度相等，但考虑到 蚀刻制程均一性的问题，该步骤7中的第二道干蚀刻制程的蚀刻量应略大于所述步骤5进 行完第一道干蚀刻制程后所述非晶娃层5在非TFT区域保留下来的厚度，W保证第二道干 蚀刻制程既能将非晶娃层5在非TFT区域保留下来的厚度完全蚀刻掉，又不对栅极绝缘层 4造成明显的损伤。
[0082] 进行完该步骤7后，所述非晶娃层5与N型重渗杂非晶娃层6共同构成半导体层。
[0083] 步骤8、如图17所示，去除位于源/漏极71上方的蚀刻阻挡层8的厚层区域82， 得到一TFT基板。
[0084] 上述TFT基板的