温度下热退火1小时。
[0070] ③将[Ru (bpy) 3]2+ (PF6 ) 2溶解在三氯甲烧，形成30mg/ml溶液，通过旋涂方法，在 涂有PEDOT: PSS的ΙΤ0基片上旋涂[Ru (bpy) 3]2+(PF6) 2发光层，并在80 °C恒温下烘烤30分 钟。
[0071] ④将处理后的透明衬底传入高真空的有机蒸镀室，按照器件结构依次蒸镀各有机 功能层和金属电极。其中，金属电极为Mg:Ag合金，比例为10:1，厚度为200nm。蒸镀速率 及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控。
[0072] ⑤将做好的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为99. 9%氮气氛围。
[0073] ⑥测试器件的电流一电压一亮度特性曲线，并测试器件的发光光谱特性。
[0074] 实施例1制备器件为器件A。
[0075] 另外制备器件B，器件的制备流程与实施例1相似，器件结构为：
[0076] 玻璃衬底/IT0/PED0T:PSS(30nm)/CBP:5% (piq)2Ir(acac) (30nm)/TPBi(40nm)/ Mg:Ag(200nm)
[0077] 实施例2
[0078] 如图2所示，器件结构中的空穴传输材料3为PED0T:PSS，绿光离子过渡金属复合 物4为绿光材料[Cu (dnbp) (DPEphos) ]+ (BF4)，电子传输材料6为Alq3 (8-羟基喹啉铝）， 阴极层为Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：
[0079] 玻璃衬底 /IT0/PED0T:PSS (40nm)/[Cu (dnbp) (DPEphos) ] + (BF4) (15nm)/ Alq3(40nm)/Mg:Ag(200nm)
[0080] 器件的制备流程与实施例1相似。
[0081] 实施例3
[0082] 如图3所示，器件结构中的空穴传输材料3为PED0T:PSS，离子过渡金属复合 物4为红光材料[Ru(bpy)3]2+(C104 )2，发光层50的主体材料为ADN(C34H22)，客体染料为 DCJTB(C3QH35N30)，电子传输材料6为Bphen(4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲），阴极层为Mg:Ag 合金。整个器件结构描述为：
[0083] 玻璃衬底 /IT0/PED0T:PSS(30nm)/[Ru(bpy)3]2+(C104) 2(15nm)/ADN:l % DCJTB(30nm)/Bphen(30nm)/Mg:Ag(200nm)
[0084] 器件的制备流程与实施例1相似。
[0085] 实施例4
[0086] 如图3所示，器件结构中的空穴传输材料3为PED0T:PSS，离子过渡金属复合物 4为红光材料[Ru(bpy)3]2+(C104 )2，发光层51的主体材料为TBADN(C3SH3。)，客体染料为 DCM(C19H17N30)，电子传输材料6为Bphen，阴极层为Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：
[0087] 玻璃衬底 /IT0/PED0T:PSS(30nm)/[Ru(bpy)3]2+(C104) 2(15nm)/TBADN:l % DCM(30nm)/Bphen(30nm)/Mg:Ag(200nm)
[0088] 器件的制备流程与实施例1相似。
[0089] 实施例5
[0090] 如图3所示，器件结构中的空穴传输材料3为PED0T:PSS，离子过渡金属复合物4 为红光材料[Ru (bpy) 3]2+(C104 ) 2，发光层52的主体材料为CBP，客体染料为Ir (piq) 3，电子 传输材料6为Bphen，阴极层为Cu。整个器件结构描述为：
[0091] 玻璃衬底 /IT0/PED0T:PSS(30nm)/[Ru(bpy)3]2+(C104) 2(15nm)/CBP:6 % Ir (piq) 3(30nm)/Bphen(30nm)/Cu(lOOnm)
[0092] 器件的制备流程与实施例1相似。
[0093] 实施例6
[0094] 如图4所示，器件结构中的空穴传输材料3为TPD (N，Ν' -双（3-甲基苯 基）-(1，Γ -联苯）-4' -二胺），离子过渡金属复合物4为红光材料[Ru (bpy) 3]2+ (C104) 2， 发光层53的主体材料为CBP，客体染料为Ir(piq)2(acaC)，电子传输材料6为Bphen，阴极 层为Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：
[0095] 玻璃衬底 /ITO/TPD (30nm)/CBP: 5 % Ir (piq)2(acac) (30nm) /
[Ru (bpy) 3]2+ (Cl04) 2 (15nm) /Bphen (30nm) /Mg: Ag (200nm)
[0096] 器件的制备流程与实施例1相似，其中步骤②、③、④为：
[0097] ②将干燥后的基片移入真空室，在气压为25Pa的氧气压环境下对ITO玻璃进行低 能氧等离子预处理10分钟，溅射功率为~20W。
[0098] ③将处理后的透明衬底传入高真空的有机蒸镀室，按照器件结构依次蒸镀各有机 功能层。其中，[Ru(bpy)3]2+(C104)2(15nm)溶解在二氯甲烧中形成20mg/ml溶液，通过旋涂 方法制备[Ru(bpy)3]2+(PF6 )2发光层，并在80°C恒温下烘烤30分钟
[0099] ④将处理后的基片传入高真空的有机蒸镀室蒸镀电子传输层，有机层蒸镀结束后 进行金属电极的制备。其中，金属电极为Mg:Ag合金，比例为10:1，厚度为200nm。蒸镀速 率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控。
[0100] 实施例7
[0101] 如图4所示，器件结构中的空穴传输材料3为TPD，离子过渡金属复合物4为 黄光材料[Ir (ppy) 2 (SB) ]+ (PF6)，发光层54的主体材料为ADN (C34H22)，客体染料为 Rubrene (C42H2S)，电子传输材料6为Bphen，阴极层为Ag。整个器件结构描述为：
[0102] 玻璃衬底 /IT0/TPD(30nm)/AND:2 % Rubrene(30nm)/[Ir(ppy)2(SB)] + (PF6) (15nm)/Bphen(30nm)/Ag(lOOnm)
[0103] 器件的制备流程与实施例6相似。
[0104] 实施例8
[0105] 如图5所示，器件结构中的空穴传输材料3为NPB(C44H32N2)，发光层55的主体材料 为mCP (C3(]H2(]N2)，客体染料为黄光染料（tbt) 2Ir (acac)，蓝光染料FIr6以及黄光离子过渡 金属复合物[Ir(ppy)2(SB)] + (PF6)，电子传输材料6为Bphen，阴极层为Mg:Ag合金。整个 器件结构描述为：
[0106] 玻璃衬底 /IT0/NPB(40nm)/mCP: 1 % (tbt)2Ir(acac) :8 % FIr6:8 %
[Ir (ppy) 2 (SB) ]+ (PF6) (30nm)/Bphen (30nm)/Mg: Ag (200nm)
[0107] 器件的制备流程与实施例6相似，其中步骤③为：
[0108] ③采用三氯甲烷作为溶剂，将（tbt)2Ir(acac)、FIr6 和[Ir(ppy)2(SB)] + (PF6)分 别以lwt%，8wt%和8wt%的质量百分比掺杂到mCP中配成混合溶液，然后进行旋涂，将旋 涂好的基片在80°C恒温下烘烤20分钟，以去除残留的有机溶剂。烘烤后的基片传入高真空 的有机蒸镀室，蒸镀有机功能层。
[0109] 实施例9
[0110] 如图5所示，器件结构中的空穴传输材料3为NPB，发光层56的主体材料为ADN， 客体染料为黄光染料Rubrene，蓝光染料DPVBi (C56H4SN2)以及黄光离子过渡金属复合物 [Ir(ppy)2(SB)] + (PF6)，电子传输材料6为Bphen，阴极层为Mg:Ag合金。整个器件结构描 述为：
[0111] 玻璃衬底 /IT0/NPB(40nm)/ADN:2 % Rubrene:2 % DPVBi:l % [Ir (ppy) 2 (SB) ]+ (PF6) (30nm)/Bphen (30nm)/Mg: Ag (200nm)
[0112] 器件的制备流程与实施例6相似。
[0113] 实施例10
[0114] 如图6所示，器件结构中的发光层57的主体材料为PVK(-种聚合物，分子式 (C14HnN)n，摩尔质量为25000-50000)，客体染料为Ir(piq)3&及红光离子过渡金属复合物 [Ir(tb-ppz)2_(biq)] + (PF6 )，电子传输材料6为Alq3,阴极层为Mg:Ag合金。整个器件结 构描述为：
[0115] 玻璃衬底/IT0/PVK :6 % Ir(piq)3:10 % [Ir(tb-ppz) 2_(biq)] + (PF6 ) (50nm)/ Alq3(40nm)/Mg:Ag(200nm)
[0116] 器件的制备流程与实施例1相似，其中步骤③为：
[0117] ③采用乙腈作为溶剂，将Ir(piq)3和[Ir(tb-ppz) 2_(biq)] + (PF6 )分别以6wt%和 6wt%的质量百分比掺杂到PVK中配成混合溶液，然后进行旋涂，将旋涂好的基片在60°C恒 温下烘烤15分钟，以去除残留的有机溶剂。烘烤后的基片传入高真空的有机蒸镀室，蒸镀 有机功能层。
[0118] 实施例11
[0119] 如图7所示，器件结构中的空穴传输材料3为NPB，发光层58的主体材料为Alq3 兼做电子传输材料，掺杂绿光离子过渡金属复合物为[Ir (dFppy) 2 (SB) ]+ (PF6)，阴极层为 Mg:Ag合金。整个器件结构描述为：