k)。
[0075]接着，作为步骤4，如图5的㈧所示，利用网版印刷在陶瓷坯片110e之上涂敷感光性金属膏410。将感光性金属膏410涂敷在整个陶瓷坯片110e之上。感光性金属膏410是含有钨粉末、感光性聚合物、光固化剂等的膏。感光性金属膏410的粘度可以设为lOOpoise?20000poise，涂敷厚度可以设为5 μ m?30 μ m。在80°C?120°C、5分钟?30分钟的条件下使涂敷后的感光性金属膏410干燥。
[0076]接着，作为步骤5，如图5的⑶所示，将玻璃掩模72以与陶瓷坯片110e位置对准的方式配置在陶瓷坯片110e的上方。然后，使光(紫外线)自曝光装置71经由玻璃掩模72照射在陶瓷坯片110e之上的感光性金属膏410的规定的部分。作为光源，能够使用水银灯(g射线、h射线)等。曝光量可以设为200mj?6000mj。作为曝光装置71，使用例如激光直接成像装置(LD1:Laser Direct Imager)。作为玻璃掩模72，使用包括可供紫外线透过的多个光透过部和紫外线不能透过的非透过部在内的光掩模。
[0077]此时，向感光性金属膏410中的、要成为发热体41的部分照射光。由此，使感光性金属膏410中的、被光照射的部分(被曝光的部分)固化而形成中间发热体410a。没有被光照射的部分(没有被曝光的部分)成为未曝光部410b。
[0078]接着，作为步骤6，如图5的(C)所示，将感光性金属膏410中的、中间发热体410a以外的部分(未曝光部410b)去除。具体而言，将涂敷有感光性金属膏410的陶瓷坯片110e浸渍在显影液中。作为显影液，使用了 0.1质量％?5质量％的碳酸钠水溶液。由此，在感光性金属膏410之中，将未曝光部410b去除，留下中间发热体410a。之后，进行清洗、干燥。干燥是在80°C?120°C、5分钟?30分钟的条件下进行的。
[0079]如图6所示，陶瓷坯片110e之上的中间发热体410a具有矩形形状(长方形)的截面。中间发热体410a的表面粗糙度Ra为Ιμπι以下。中间发热体410a的图案宽度(线宽)W可以设为20μπι?2000 μπι。此外，该图示出了与中间发热体410a的长度方向(轴线方向)正交的截面。
[0080]接着，作为步骤7，如图7所示，在陶瓷坯片110e以外的陶瓷坯片110c、110f的需要的部位上也进行所述金属油墨的填充、涂敷等。
[0081]具体而言，利用冲孔等方法在陶瓷坯片110c上形成通孔。然后，使用金属掩模等在通孔内填充要成为通路22的通路用油墨220。之后，利用网版印刷等方法在陶瓷坯片110c之上涂敷要成为吸附用电极21的电极用油墨210。通路用油墨220和电极用油墨210是所述金属油墨。
[0082]另外，利用冲孔等方法在陶瓷坯片110f上形成一对通孔。然后，使用金属掩模等在一对通孔内填充要成为一对通路46、47的通路用油墨460、470。之后，利用网版印刷等方法在陶瓷坯片110f之上涂敷要成为驱动器44、45的驱动器用油墨440、450。通路用油墨460、470和驱动器用油墨440、450是所述金属油墨。
[0083]另外，预先在陶瓷坯片110d?陶瓷坯片110f的要成为内部孔31的部分上形成通孔(在所述图5中省略通孔的图示)。另外，预先在陶瓷坯片110f的要成为内部孔51的部分上形成凹部。
[0084]接着，作为步骤8，将多个陶瓷坯片110a?陶瓷坯片110f(参照图7)层叠并进行热压接。由此，获得包括陶瓷坯片110a?陶瓷坯片110f、中间发热体410等的层叠片。然后，将层叠片切成规定的形状。之后，在还原气氛中，在1400°C?1800°C的范围(例如1450°C )的温度条件下对层叠片进行5小时的同时烧制。其结果，使陶瓷坯片110a?陶瓷坯片110f中的氧化铝、导电性膏剂中的钨以及感光性金属膏410(中间发热体410a)中的钨同时烧结。于是，陶瓷坯片110a?陶瓷坯片110f成为氧化铝制烧结体，感光性金属膏410 (中间发热体410a)成为发热体41。
[0085]接着，作为步骤9，在氧化铝制烧结体的需要的部位上形成金属化层23、48等。由此，获得主体基板11。之后，使用由硅酮树脂形成的粘接剂将主体基板11和金属基座12接合起来。由此，获得利用粘接层13将主体基板11和金属基座12接合起来而成的静电卡盘
Ιο
[0086]此外，在本实施方式中，作为构成主体基板11的陶瓷而使用了氧化铝，而在使用例如氮化铝的情况下，在所述步骤8中，在还原气氛中，在1600°C?2000°C的范围的温度条件下对层叠片进行5小时的同时烧制。
[0087]接下来，说明本实施方式的作用效果。
[0088]在本实施方式的静电卡盘(半导体制造装置用部件)1的制造方法中，进行所述涂敷工序、所述曝光工序以及所述显影工序。即，使用光刻法使发热体材料(感光性金属膏410)形成期望的图案。因此，能够使使用光刻法形成的发热体材料(中间发热体410a)的图案的厚度、宽度的偏差小于使用以往的网版印刷等方法形成的图案的厚度、宽度的偏差。
[0089]由此，能够在所述烧制工序中形成厚度、宽度的偏差得到抑制且发热的均匀性优异的发热体41。因此，能够抑制设有发热体41的主体基板11的温度偏差(面方向上的温度偏差)，进而能够抑制由主体基板11支承的半导体晶圆8的温度偏差。其结果，例如，能够提尚对半导体晶圆8进彳丁蚀刻的加工精度，从而能够提尚成品率。
[0090]另外，即使对于使用所述光刻法形成的发热体材料(中间发热体410a)的图案而言混杂有不同的线宽，也能够抑制各个图案的厚度、宽度的偏差。由此，例如，能够精度良好地形成混杂有不同的线宽那样的复杂图案的发热体41。
[0091]另外，在本实施方式的制造方法中，中间发热体410a具有矩形形状的截面。因此，能够抑制发热体材料(中间发热体410a)的厚度、宽度的偏差。由此，能够抑制厚度、宽度的偏差而获得发热的均匀性优异的发热体41。
[0092]另外，中间发热体410a的表面粗糙度Ra为1 μπι以下。因此，能够抑制发热体材料(中间发热体410a)的厚度、宽度的偏差。由此，能够抑制厚度、宽度的偏差而获得发热的均匀性优异的发热体41。
[0093]在本实施方式的静电卡盘(半导体制造装置用部件)1中，设于主体基板11的发热体41具有矩形形状的截面。因此，发热体41的厚度的偏差、宽度的偏差较小而发热的均匀性优异。由此，能够抑制设有发热体41的主体基板11的温度偏差(面方向上的温度偏差)，进而能够抑制由主体基板11支承(保持)的半导体晶圆8的温度偏差。其结果，例如，能够提尚对半导体晶圆8进彳丁蚀刻的加工精度，从而能够提尚成品率。
[0094]另外，在本实施方式中，设于主体基板11的发热体41的表面粗糙度Ra为1 μ m以下。因此，发热体41的厚度的偏差、宽度的偏差较小而发热的均匀性优异。
[0095]如上所述，采用本实施方式，能够提供能抑制发热体41的厚度、宽度的偏差并抑制设有发热体41的主体基板11的温度偏差的静电卡盘(半导体制造装置用部件)1及其制造方法。
[0096]实施方式2
[0097]如图8、图9所示，本实施方式是对所述实施方式1的静电卡盘1(参照图1?图3)的制造方法进行变更后的例子。
[0098]如图8、图9所示，本实施方式的静电卡盘(半导体制造装置用部件)1的制造方法具有以下工序:涂敷工序，在该涂敷工序中，在载膜600之上涂敷作为发热体材料的感光性金属膏410 ;曝光显影工序，在该曝光显影工序中，对涂敷在载膜600之上的感光性金属膏410进行曝光和显影，在载膜600之上形成要成为发热体41的中间发热体410a ;转印工序，在该转印工序中，将载膜600之上的中间发热体410转印到要成为主体基板11的陶瓷坯片110e之上；以及烧制工序，在该烧制工序中，同时对陶瓷坯片110e和中间发热体410a进行烧制，形成主体基板11和发热体41。
[0099]本实施方式的制造方法与所述实施方式1的制造方法中的步骤1?步骤9中，步骤4?步骤6不同，其他步骤与所述实施方式1相同。以下，以与实施方式1不同的步骤4?步骤6为中心进行说明。
[0100]作为步骤4A，如图8的(A)所示，使用涂布机等在树脂制的载膜600之上涂敷感光性金属膏410。将感光性金属膏410涂敷在整个载膜600之上。在80°C?120°C、5分钟?30分钟的条件下使涂敷后的感光性金属膏410干燥。本实施方式的载膜600由聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)形成。此外，作为载膜600，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)以及聚酰亚胺等。
[0101]作为步骤5A，如图8的(B)所示，将玻璃掩模72以与载膜600位置对准的方式配置在载膜600的上方。然后，使光(紫外线)自曝光装置71经由玻璃掩模72照射在载膜600之上的感光性金属膏410的规定的部分。
[0102]此时，向感光性金属膏410中的、要成为发热体41的部分照射光。由此，使感光性金属膏410中的、被光照射的部分(被曝光的部分)固化而形成中间发热体410a。没有被光照射的部分(没有被曝光的部分)成为未曝光部410b。
[0103]作为步骤6A— 1，如图8的(C)所示，将感光性金属膏410中的、中间发热体410a以外的部分(未曝光部410b)去除。具体而言，将涂敷有感光性金属膏410的载膜600浸渍在显影液中。由此，在感光性金属膏410之中，将未曝光部410b去除，留下中间发热体410a。之后，进行清洗、干燥。干燥是在80°C?120°C、5分钟?30分钟的条件下进行的。
[0104]作为步骤6A - 2，如图9的(A)所示，将形成有中间发热体410a的载膜600粘接(压接)在陶瓷坯片110e之上。此时，以使形成于载膜600的中