娃衬底时，绝缘材料1913可包括利 用热氧化工艺形成的氧化娃层。可通过用导电材料填充过孔来形成第一端子化和第二端 子化，并且可将第一端子化和第二端子化连接至第一电极1909a和第二电极1909b。第 一端子化和第二端子化可分别包括种层1918a和种层1918b W及通过利用种层1918a和 1918b执行电锻工艺而形成的电锻填充单元1919a和电锻填充单元1919b。 阳187] 图10是示出根据本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件所发射的光的普 朗克光谱的示图。图11是量子点（QD)结构的示例的示图，所述量子点结构可应用于根据 本发明构思的示例性实施例的发光器件封装件。
[0188] 参照图10,发光器件封装件的发光器件可根据构成发光器件的化合物半导体的种 类来发射蓝光、绿光或红光。可替代地，L邸忍片可发射UV光。在一些其它实施例中，发光 器件可包括UV L邸忍片、激光二极管忍片或有机L邸忍片。然而，根据本发明构思的发光 器件不限于上述示例，并且可包括各种光学装置。
[0189] 可将发光器件的显色指数（CRI)控制在40(例如，钢灯）至100(例如，日光）的 范围内，并且使其发射色溫范围为2000K至20000K的各种类型的白光。在必要时，可通过 产生可见光（例如，紫光、蓝光、绿光、红光和澄光）或红外（IR)光来根据环境气氛或屯、情 调整照明光的颜色。另外，发光器件可产生具有特定波长的光W刺激植物生长。
[0190] 将蓝色L邸与黄色憐光体、绿色憐光体、红色憐光体和/或与绿色发光器件和红 色发光器件进行组合而产生的白光可具有至少两个峰值波长。白光在CIE 1931坐标系中 的坐标（X，y)可位于对（0. 4476,0. 4074)、（0. 3484,0. 3516)、（0. 3101,0. 3162)、（0. 3128， 0.3292)和化3333,0. 3333)进行连接的线段上，或者位于由该线段与黑体福射体光谱包 围的区域中。白光的色溫可在2000K与20000K之间。 阳191] 例如，根据本发明构思的示例性实施例的憐光体可具有W下配方和颜色。 阳192] 基于氧化物的憐光体：黄色和绿色灯、Lu、Se、La、Gd、Sm)3(Ga、Al)5〇i2:Ce W及蓝 色6曰1邑411。〇17:611、35。任〇4)2.〇曰〔1:化； 阳193] 基于娃酸盐的憐光体：黄色和绿色度a, Sr)2Si〇4:Eu、黄色和澄色度a, Sr)3Si〇5:Eu W及对应于红色Ca2Si〇4:Eu的Cai.2化。.sSi〇4;
[0194] 基于氮化物的憐光体：绿色β-SiA10N:Eu，黄色化日、Gd、Lu、Υ、 Sc)3SieNu:Ce，澄色 a-SiA10N:Eu，红色（Sr, Ca) AlSi^iEu、（Sr, Ca) AlSiO^iEu、 (S;r,Ca)2Si5Ns:Eu、（S;r,Ca)2Si5(0N)s:Eu、（S;r,Ba)SiAl4N7:Eu、S;rLiAl3N4:Eu、Lri4x巧UzMiz) xSii2yAl/V"yNisxy〇). 5《X《3、0 < z < 0. 3、0 < y《4)，其中 Ln 可为从包含 Ilia 族元 素和稀±元素的组合中选择的至少一种元素，并且Μ可为从包含巧（Ca)、领度a)、锁（Sr) 和儀（Mg)的组合中选择的至少一种元素； 阳1巧]基于硫化物的憐光体：红色（Sr,化)S:Eu、（Y, Gd)2〇2S:Eu，绿色SrGa2S4:Eu ;
[0196] 基于氣化物的憐光体：基于KSF的红色KzSiFe: Mn4\ KzTiFe: Mn4\ NaYF4: Mn4\ NaGdF4:MrA 阳197] 憐光体的组成应该符合化学计算法，并且各个元素可由周期表中本族的其它元素 代替。例如，Sr可由诸如BaXa或Mg的II族元素（碱±金属）代替，并且Y可由诸如化、 Lu、Sc或Gd的基于铜的元素代替。另外，根据期望的能级，充当活化剂的館巧U)可由姉 (Ce)、铺帅）、错（Pr)、巧巧r)或镜州）代替。活化剂可单独使用，或者还可施加共活化 剂等W改变特性。
[0198] 此外，诸如量子点（QD)的材料可作为能够代替憐光体的材料使用，并且憐光体和 QD可单独使用或彼此组合用于LED。
[0199] QD可具有包括诸如CdSe或InP的核（约3皿至约lOnm)、诸如ZnS或化Se的壳 (约0. 5nm至约2nm) W及用于稳定所述核和壳的配体的结构，并且可根据尺寸实现各种颜 色。 阳200] 图12是示出关于根据本发明构思的示例性实施例的使用了蓝色发光器件的白色 发光器件封装件所处的应用领域的憐光体类型的表格。 阳201] 涂覆憐光体或QD的方法可包括W下处理中的至少一个：将憐光体或QD喷洒到 L邸忍片或发光器件上；用薄膜覆盖L邸忍片或发光器件；或者将薄膜或陶瓷憐光体片附着 至L邸忍片或发光器件。 阳202] 喷洒处理通常可包括分散处理和喷洒涂覆处理，并且分散处理可包括气动处理W 及诸如螺旋紧固处理或线型紧固处理的机械处理。在喷洒处理中，可通过喷射非常少量的 憐光体或QD来调整点的量，并且可通过调整点的量来控制色坐标。在利用喷洒处理将憐光 体统一地涂覆在晶圆级或发光器件衬底上的处理中，可提高生产率，并且可容易地控制所 涂覆的层的厚度。 阳203] 用薄膜覆盖L邸忍片或发光器件的处理可包括根据忍片的侧表面是否需要涂覆 薄膜而选择性地采用的电泳处理、丝网印刷处理或憐光体模制处理。 阳204] 可将具有不同发光波长的至少两个憐光体层分离W控制较长波长的发光憐光体 的效率，所述较长波长的发光憐光体被配置为从具有不同发光波长的至少两个憐光体中对 短波长范围内发射的光进行再吸收。另外，可在各憐光体层之间提供DBR(或全向反射器 (0DR))层，W使光的再吸收W及L邸忍片与至少两个憐光体层之间的干设最小化。 阳205] 为了形成均匀涂覆的层，憐光体可形成为薄膜或陶瓷类型，然后附着在忍片或发 光器件上。 阳206] 可按照远程方式设置光转换材料，W改变光学效率或光分布特性。在运种情况下， 光转换材料可根据其耐久性或耐热性与透明聚合物或玻璃一起设置。 阳207] 由于涂覆憐光体的技术极大地影响L邸装置的光学特性，因此已经对各种控制憐 光体涂层或均匀地分散憐光体的技术进行研究。可按照与憐光体的设置方式相同的方式将 QD设置在L邸忍片或发光器件上。另外，QD可形成在L邸忍片（或发光器件）中且介于玻 璃与透明聚合物材料之间，并且执行光转换操作。 阳20引透射材料可作为填充物设置在L邸忍片或发光器件上，W从外部保护L邸忍片或 发光器件或者提高光提取效率。
[0209] 透射材料可为透明有机材料（例如环氧树脂、娃树脂、环氧树脂和娃树脂的混合 物），并且可通过热或福射光来固化，或者通过允许透射材料放置超过预定时间段来固化。
[0210] 聚二甲硅氧烷（PDM巧可归类为基于甲基的娃树脂，而聚甲基苯基硅氧烷可归类 为基于苯基的娃树脂。基于甲基的娃树脂与基于苯基的娃树脂可在折射率、透湿性、透光 率、耐光稳定性和耐热稳定性的方面有所不同。另外，娃树脂可根据交联剂和催化剂W不同 速率固化，并且影响憐光体的分散。 阳211] 光提取效率可取决于填充物的折射率。具有不同折射率的至少两种娃树脂可顺序 堆叠 W使设置在发射蓝光的忍片的最外侧部分的介质的折射率与光从其发射至空气中的 介质的折射率之间的差异最小化。
[0212] 通常，基于甲基的娃树脂可具有最高的耐热稳定性，而基于苯基的娃树脂、混合物 和环氧树脂可随着溫度按照有序方式的升高而W低速率变化。娃树脂可根据硬度分为凝胶 类型、弹性体类型和树脂类型。
[0213] 发光器件还可包括对光源所福射的光进行放射状导向的透镜。在运种情况下，预 先成型的透镜可附着在L邸忍片或发光器件上。可替代地，可W将可流动的有机溶剂注射 到安装有L邸忍片或发光器件的模具中，并且使其固化W形成透镜。
[0214] 通过将发光器件的外部粘附于透镜的外部，可将透镜直接附着至形成在忍片上的 填充物，或者与填充物分隔开。当将可流动的有机溶剂注射到模具中时，可使用注射模制处 理、转移模制处理或压缩模制处理。
[0215] 光分布特性可受透镜形状（例如，凹形形状、凸形形状、粗糖形状、圆锥形状或几 何结构）影响。可对透镜的形状进行修改W符合效率和光分布特性的需求。
[0216] 发光器件可由例如半导体形成。例如，发光器件可由氮化物半导体形成，所述氮化 物半导体可由下式表示：AlxGaylrizN (0《x《 l、0《y《 l、0《z《1、x+y+z = 1)。可通 过利用诸如MOCVD工艺的气相生长工艺在衬底上W外延方式生长出诸如InN、AIN、InGaN、 AlGaN或InGaAlN的氮化物半导体，来形成发光器件。除氮化物半导体之外，发光器件可由 诸如化0、aiS、aiSe、SiC、GaP、GaAlAs或AlInGaP的半导体形成。半导体可包括通过顺序 堆叠 η型半导体层、发射层和P型半导体层而形成的堆叠结构。发射层（或有源层）可包 括具有MQW结构或单量子阱（SQW)结构的堆叠的半导体，或者具有双异质结构的堆叠的半 导体。虽然发光器件可为被配置为发射蓝光的装置，但是本发明构思不限于此。可选择发 光器件W使其发射具有任意波长的光。
[0217] 图13Α是包括有发光器件阵列单元的背光度L)组件的示例的分解透视图，在所述 发光器件阵列单元中布置了使用根据本发明构思的示例性实施例的制造发光器件封装件 的方法而制造的发光器件封装件，并且图13Β是可包括在图13Α的化组件中的发光模块的 示例的截面图。
[0218] 如图13Α所示，直接发光型化组件3000可包括下盖3005、反射片3007、发光模块 3010、光学片3020、液晶化C)面板3030和上盖3040。根据示例性实施例的发光器件阵列 单元可W作为包括在直接发光型化组件3000中的发光模块3010使用。
[0219] 根据示例性实施例，发光模块3010可包括具有电路衬底和至少一个发光器件封 装件的发光器件阵列3012 W及行列存储单元3013。发光器件阵列3012可包括参照图1至 图12描述的发光器件封装件之一。发光器件阵列3012可从设置在直接式化组件3000之 外的发光器件驱动器接收用于发光的功率，并且发光器件驱动器可对供应至发光器件阵列 3012的电流进行控制。 阳220] 在一个实施例中，如图13Β所示，发光模块可包括：第一平面部分1002a，其对应于 电路衬底1002的主要区域；倾斜部分1002b，其设置为邻近第一平面部分1002a并且至少 一部分弯曲；W及第二平面部分1002c，其设置在倾斜部分100化之外的电路衬底1002的 拐角。多个光源可布置在第一平面部分1002a上且彼此间隔开第一距离d2,并且至少一个 光源1001可布置在倾斜部分100化上且彼此间隔开第二距离dl。第一距离d2可等于第二 距离dl。倾斜部分100化的宽度（或者在截面图中获得的倾斜部分1002b的长度）可小于 第一平面部分1002a的宽度且大于第二平面部分1002c的宽度。另外，在必要时，至少一个 光源可布置在第二平面部分1002c上。 阳221] 可将倾斜部分100化与第一平面部分1002a形成的角度合适地控制为在0°至 90°之间的范围内。电路衬底1002可具有上述结构，从而使光学片3020甚至在其边缘部 分也可保持均匀的亮度。 阳222] 可W在发光模块3010上提供光学片3020,并且光学片3020包括发散片3021、会 聚片3022和保护片3023。也就是说，发散片3021、会聚片3022和保护片3023可在发光模 块3010上顺序制备。发散片3021可使发光模块3010所发射的光发散，会聚片3022可使 经发散片3021发散的光会聚并增加发光模块3010的亮度，并且保护片3023可保护会聚片 3022并保证发光模块3010的视角。 阳223] 上盖3040可封闭光学片3020的边缘，并且与下盖3005组装。
[0224] 另外，可在光学片3020与上盖3040之间提供LC面板3030。LC面板3030可包括 一对第一衬底（未示出）和第二衬底（未示出），运一对衬底可在LC层位于它们之间的情 况下彼此键合。多条栅极线可与多条数据线交叉W在第一衬底上限定像素区。可在各像素 区之间的交叉部分分别提供薄膜晶体管（TFT)，并且所述薄膜晶体管可与安装在各像素区 上的像素电极一一对应并连接至所述像素电极。第二衬底可包括分别与各像素区对应的红 色（时、绿色（G)和蓝色度）的彩色滤波器W及覆盖各个彩色滤波器的边缘、各条栅极线、各 条数据线和TFT的黑矩