等要素构成的密封体51的切 害d(参照图11)。利用W上操作，就可W得到向忍片区域的外侧引出了布线的电子设备封装 体61。而且，也可W不切割而将密封体51直接作为电子设备封装体使用。
[0157] (基板安装工序）
[0158] 根据需要，将电子设备封装体61安装在基板上。
[0159] (激光标记工序）
[0160] 激光标记可W对密封体51或电子设备封装体61在任意的时刻进行。例如，既可W 对热固化前的密封体51进行激光标记，也可W对热固化后的密封体51进行激光标记，还可 W对电子设备封装体61进行激光标记。
[0161] 激光标记优选对密封体51或电子设备封装体61的第一树脂层1部分进行。
[0162] 由于密封体51或电子设备封装体61具有高对比度的第一树脂层1，因此可W利用 激光标记形成观察性优异的标记。
[0163] 而且，虽然在图6~11中，表示出利用密封体51的磨削除去第一树脂层1的情况，然 而电子设备封装体的制造方法并不限定于此，也可W残留第一树脂层1。
[0164] 在前述的电子设备封装体的制造方法中，激光标记的深度优选相对于第一树脂层 1的厚度为80% W上。如果是80% w上，则可w获得高对比度。激光标记的深度更优选为 100%。如果将激光标记的深度设定为100%，即利用激光器在第一树脂层1形成贯穿孔，贝U 会露出第二树脂层2,因此可W提高标记的观察性。
[016引（变形例）
[0166] 在实施方式1中，对具备第一树脂层1及配置于第一树脂层1上的第二树脂层2的树 脂片11进行了说明。变形例1中，树脂片具备第一树脂层1、配置于第一树脂层1上的层、和配 置于层上的第二树脂层2。作为层，例如适合为含有树脂的层、金属层等。层既可W是单层， 也可W是多层。变形例2中，树脂片具备第一树脂层1、配置于第一树脂层1上的第二树脂层 2、和配置于第二树脂层2上的层。变形例2中，作为层，例如适合为含有树脂的层、金属层等， 更适合为含有树脂的层。变形例2中，层既可W是单层，也可W是多层。
[0167] [实施例]
[0168] W下，对本发明的合适的实施例示例性地详细说明。然而，该实施例中记载的材 料、配合量等只要没有特别限定性的记载，就不是将本发明的范围仅限定于它们的意旨。
[0169] 首先，对实施例中使用的成分进行说明。
[0170] 对为了制作第一树脂层而使用的成分进行说明。
[0171] 环氧树脂:新日铁化学(株)制的YSLV-80XY(双酪F型环氧树脂、环氧当量200g/eq. 软化点80°C)
[0172] 酪醒树脂：明和化成公司制的MEH-7851-SS(具有联苯基芳烷基骨架的酪醒树脂、 径基当量203g/eq.软化点67°C)
[0173] 热塑性树脂:Ξ菱丽阳公司制METABLEN C-132E(MBS树脂、平均粒径120皿）
[0174] 填料：电化学工业公司制的FB-9454FC(烙融球状二氧化娃、平均粒径20μπι)
[017引炭黑:Ξ菱化学公司制的#20
[0176] 染料:0rient化学工业株式会社制的OIL BLACK BS
[0177] 固化促进剂：四国化成工业公司制的2P监-PW( 2-苯基-4，5-二径基甲基咪挫）
[0178] 对为了制作第二树脂层而使用的成分进行说明。
[0179] 环氧树脂:新日铁化学(株)制的YSLV-80XY(双酪F型环氧树脂、环氧当量200g/eq. 软化点80°C)
[0180] 酪醒树脂：明和化成公司制的MEH-7851-SS(具有联苯基芳烷基骨架的酪醒树脂、 径基当量203g/eq.软化点67°C)
[0181] 热塑性树脂:Ξ菱丽阳公司制METABLEN C-132E(MBS树脂、平均粒径120皿）
[0182] 硅烷偶联剂处理填料:将电化学工业公司制的FB-9454FC(烙融球状二氧化娃、平 均一次粒径20μπι)用信越化学公司制的KBM-403(3-环氧丙氧基丙基Ξ甲氧基硅烷)处理了 的填料(相对于。8-9454。0 87.9重量份，用邸1-403 0.5重量份的比例进行处理）
[0183] 固化促进剂：四国化成工业公司制的2P监-PW( 2-苯基-4，5-二径基甲基咪挫）
[0184] [实施例及比较例]
[0185] (第一树脂层的制作）
[0186] 依照表1中记载的配比配合各成分，向其中添加与各成分的总量相同量的甲乙酬， 制备出清漆。将所得的清漆利用逗点型刮刀涂布机涂布在厚50WI1的聚醋膜Α(Ξ菱化学聚醋 公司制、MRF-50)的剥离处理面上，使之干燥。然后，将厚3祉m的聚醋膜Β(Ξ菱化学聚醋公司 审ij、MRF-38)的剥离处理面粘合在干燥后的清漆上，制作出第一树脂层。
[0187][表 1]
[018 引[表 1]
[0189] (第一树脂层）
[0190]
[0191] (第二树脂层的制作）
[0192] 依照表2中记载的配比配合各成分，利用漉混炼机在60~120°C、10分钟、减压条件 下(0.(nkg/cm2)进行烙融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物利用平板压制法制成 片状，制作出第二树脂层。
[019引[表 2]
[0194][表 2]
[019引（第二树脂层）
[0196]
[0197] (树脂片的制作）
[0198] 剥离第一树脂层的聚醋膜A后，使用漉压机在第二树脂层上层叠第一树脂层。由 此，制作出在第二树脂层上层叠了第一树脂层的树脂片。
[0199] (激光标记）
[0200] 对树脂片的第一树脂层，利用激光标记赋予了文字及二维码。
[0201 ]激光标记条件如下所示。
[0202] 激光标记装置:商品名"MD-S990(T、KYENCE公司制
[0203] 波长：532nm
[0204] 强度:1.0W
[020引 扫描速度:700mm/sec
[0206] Q 开关频率:64kHz
[0207] 加工出作为整体的尺寸为约4mmX约4mm、各单元的尺寸为0.08mmX0.24mm的二维 码。而且，作为文字，没有特别限制。
[020引[评价]
[0209] 对进行了激光标记的树脂片进行W下的评价。将结果表示于表3中。
[0210] (对比度）
[0211] 使用图像处理装置(商品名乂V-500(T、KYENCE公司制），在光量30 %的条件下，测 定出标记部的明度及非标记部的明度。此后，利用下式算出对比度值。
[021引[(标记部的明度-非标记部的明度)/标记部的明度]X 100(%)
[0引引（观察性）
[0214]将可W通过目视（目视距离：约40cm)辨识利用激光标记形成的文字、并且能够用 二维码读取器化YENCE公司制、产品名"SR-600"、读取时的二维码与二维码读取器的距离： lOcmW下)读取的树脂片设为〇,将无法通过目视辨识利用激光标记形成的文字的、或无法 用二维码读取器读取的树脂片设为X。对10个树脂片进行该评价，计数〇的树脂片。
[0引引（蚀刻率）
[0216] 在对第一树脂层在前述的激光标记条件下进行激光标记后，使用测长显微镜（奥 林己斯公司制的STM6)测定出激光标记部的雕刻深度。将利用激光标记形成贯穿孔时的蚀 刻率设为100%，求出蚀刻率。因而，例如在20WI1的厚度的第一树脂层中雕刻深度为lOwn的 情况下，蚀刻率为50 %。
[0217] 对第二树脂层，也利用相同的方法测定出蚀刻率。
[021 引[表 3]
[0219] [表 3]
[0220]
[0221]符号的说明 [022引1 第一树脂层，
[022引2 第二树脂层，
[0224] 11 树脂片，
[0225] 12 基板，
[0226] 13 电子设备，
[0227] 13a 突起电极，
[022引 14 中空部，
[0229] 15、16电子设备封装体，
[0230] 17 凸点，
[0231] 18 基板，
[0232] 41 粘合片，
[0233] 42 支撑体，
[0234] 43 粘合剂层，
[023引 51 密封体，
[0236] 52 再布线，
[0237] 53 凸点，
[〇23引 61 电子设备封装体
【主权项】
1. 一种电子设备密封用树脂片，其具备第一树脂层及第二树脂层， 对所述第一树脂层进行激光标记后的标记部与所述标记部以外的对比度为20%以上。2. 根据权利要求1所述的电子设备密封用树脂片，其中， 所述第一树脂层中的填料的含量为76体积％以下。3. 根据权利要求1或2所述的电子设备密封用树脂片，其中， 所述第一树脂层含有炭黑， 所述第一树脂层中的所述炭黑的含量为0.1~2重量％。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的电子设备密封用树脂片，其中， 所述第一树脂层含有染料， 所述第一树脂层中的所述染料的含量为0.1~2重量％。5. 根据权利要求1~4中任一项所述的电子设备密封用树脂片，其中， 利用混炼得到所述第二树脂层。6. -种电子设备封装体的制造方法，其包括用权利要求1~5中任一项所述的电子设备 密封用树脂片将电子设备密封的工序。7. 根据权利要求6所述的电子设备封装体的制造方法，其中， 在将所述电子设备密封后，包括对所述第一树脂层进行激光标记的工序。
【专利摘要】本发明提供可以利用激光标记形成观察性优异的标记的电子设备密封用树脂片及电子设备封装体的制造方法。本发明涉及一种电子设备密封用树脂片，其具备第一树脂层及第二树脂层，对所述第一树脂层进行激光标记后的标记部与所述标记部以外的对比度为20％以上。
【IPC分类】H01L23/31, H01L23/12, H01L23/29, H01L23/00
【公开号】CN105493270
【申请号】CN201480046689
【发明人】丰田英志, 志贺豪士, 石坂刚, 清水祐作
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年7月18日
【公告号】WO2015029642A1