弥补，既降低了氮化硅薄膜的纵向渗透特性带来的不良影响，又降低了氧化硅薄膜质密性低所带来的不良影响，从而使钝化层能够提供较好的防止水、氧和氢基团渗透的性能，氧化物TFT的有源层不会被水、氧和氢基团所影响，确保氧化物TFT的性能并防止氧化物TFT失效。
[0058]实施例二
[0059]本实用新型实施例提供一种显示面板，包括如上实施例提供的阵列基板。
[0060]本实用新型实施例有益效果如下:显示面板的阵列基板设置有氧化物TFT，氧化物TFT上方的钝化层的第一膜层由氧化硅薄膜形成，第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，且第一膜层的厚度大于第二膜层的厚度，因此第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜均为较薄的膜层，第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜相互弥补，既降低了氮化硅薄膜的纵向渗透特性带来的不良影响，又降低了氧化硅薄膜质密性低所带来的不良影响，从而使钝化层能够提供较好的防止水、氧和氢基团渗透的性能，氧化物TFT的有源层不会被水、氧和氢基团所影响，确保氧化物TFT的性能并防止氧化物TFT失效。
[0061]实施例三
[0062]本实用新型实施例提供一种显示装置，包括如上实施例提供的显示面板。
[0063]本实用新型实施例有益效果如下:显示面板的阵列基板设置有氧化物TFT，氧化物TFT上方的钝化层的第一膜层由氧化硅薄膜形成，第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，且第一膜层的厚度大于第二膜层的厚度，因此第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜均为较薄的膜层，第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜相互弥补，既降低了氮化硅薄膜的纵向渗透特性带来的不良影响，又降低了氧化硅薄膜质密性低所带来的不良影响，从而使钝化层能够提供较好的防止水、氧和氢基团渗透的性能，氧化物TFT的有源层不会被水、氧和氢基团所影响，确保氧化物TFT的性能并防止氧化物TFT失效。
[0064]实施例四
[0065]参见图7，本实用新型实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括:
[0066]101、在衬底基板上形成氧化物TFT。
[0067]102、在氧化物TFT的上方形成钝化层的第一膜层，在第一膜层之上交替形成氮化硅薄膜和氧化硅薄膜，交替形成的各层氮化硅薄膜和各层氧化硅薄膜的交替叠层作为第二膜层，第二膜层的靠近第一膜层的底层为氮化硅薄膜；其中，第一膜层的厚度大于第二膜层的厚度。
[0068]优选的，第二膜层的远离第一膜层顶层为氮化硅薄膜。
[0069]优选的，在第一膜层之上交替形成氮化硅薄膜和氧化硅薄膜，包括:
[0070]以预定的厚度交叠形成第二膜层中的各层氮化硅薄膜和各层氧化硅薄膜；其中，第二膜层中的各层氮化硅薄膜的厚度相等，第二膜层中的各层氧化硅薄膜的厚度相等，且第二膜层中的氧化硅薄膜的厚度大于或等于第二膜层中的氮化硅薄膜的厚度。
[0071]优选的，在第一膜层之上交替形成氮化硅薄膜和氧化硅薄膜，包括:
[0072]由第二膜层的底层至顶层，以递减的厚度交叠形成第二膜层中的各层氮化硅薄膜和各层氧化硅薄膜。
[0073]优选的，第一膜层的厚度范围为1500?4000埃。
[0074]优选的，第二膜层中每一层氧化硅薄膜的厚度为100?300埃，第二膜层中第一层氮化硅薄膜的厚度为100?300埃。
[0075]优选的，第二膜层中的各层氧化硅薄膜和各层氮化硅薄膜的厚度之和小于1000埃，即第二膜层的整体厚度小于1000埃。
[0076]本实用新型实施例有益效果如下:使阵列基板的氧化物TFT上方的钝化层的第一膜层由氧化硅薄膜形成，第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，且第一膜层的厚度大于第二膜层的厚度，因此第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜均为较薄的膜层，第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜相互弥补，既降低了氮化硅薄膜的纵向渗透特性带来的不良影响，又降低了氧化硅薄膜质密性低所带来的不良影响，从而使钝化层能够提供较好的防止水、氧和氢基团渗透的性能，氧化物TFT的有源层不会被水、氧和氢基团所影响，确保氧化物TFT的性能并防止氧化物TFT失效。
[0077]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括衬底基板、形成于衬底基板上的氧化物TFT，所述氧化物TFT的上方设置有钝化层，其特征在于，所述钝化层包括第一膜层，所述第一膜层为氧化硅薄膜； 所述钝化层还包括形成于所述第一膜层之上的第二膜层，所述第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，所述第二膜层的靠近所述第一膜层的底层为氮化硅薄膜； 其中，所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二膜层的远离所述第一膜层顶层为氮化硅薄膜。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二膜层中的各层氮化硅薄膜的厚度相等，所述第二膜层中的各层氧化硅薄膜的厚度相等，且所述第二膜层中的氧化硅薄膜的厚度大于或等于所述第二膜层中的氮化硅薄膜的厚度。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二膜层中的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，由底层至顶层，各层薄膜的厚度递减。
5.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层的厚度范围为1500 ?4000 埃。
6.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二膜层中每一层氧化硅薄膜的厚度为100?300埃，所述第二膜层中第一层氮化硅薄膜的厚度为100?300埃。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二膜层中的各层氧化硅薄膜和各层氮化娃薄膜的厚度之和小于1000埃。
8.—种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板。
【专利摘要】本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，解决由于水、氧和氢基团会由氧化物TFT上方的钝化层渗透至氧化物TFT的有源层，使氧化物TFT的阈值电压发生较大的漂移，所导致的氧化物TFT性能降低甚至会失效的问题。所述阵列基板，包括衬底基板、形成于衬底基板上的氧化物TFT，所述氧化物TFT的上方设置有钝化层，所述钝化层包括第一膜层，所述第一膜层为氧化硅薄膜；所述钝化层还包括形成于所述第一膜层之上的第二膜层，所述第二膜层为氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的交替叠层，所述第二膜层的靠近所述第一膜层的底层为氮化硅薄膜；其中，所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度。本实用新型还公开了一种显示面板和显示装置，包括上述的阵列基板。
【IPC分类】H01L27-02, G02F1-1362, G02F1-1368
【公开号】CN204464279
【申请号】CN201520163056
【发明人】刘凤娟, 辛龙宝
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年3月20日