:在显示区域400V中形成触控显示结构。形成触控显示结构的过程包括:形成栅线、数据线、公共电极、像素电极和触控显示走线。其中，栅线、数据线、公共电极、像素电极和触控显示走线为位于不同层的五层导电结构。
[0121]本实施例中，采用所述五层导电结构其中四层的工艺步骤同时形成所述四层导电结构。具体的制作过程中可以为，在显示区域400V制作栅线时，同时形成第一移位寄存器组的信号走线；在显示区域400V制作数据线时，同时形成第二移位寄存器组的信号走线；在显示区域400V制作公共时，同时形成第三移位寄存器组的信号走线；在显示区域400V制作触控显示走线时，同时形成第四移位寄存器组的信号走线。
[0122]本实施例所提供的形成方法中，利用在显示区域400V形成触控显示结构的工艺步骤，同时形成位于非显示区域400N的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路中，不同移位寄存器组的信号走线层叠在一起，因此，不仅能够使所形成的阵列基板边框面积减小，实现窄边框设计，而且简化了制作工艺，节约了制作成本。
[0123]需要说明的是，在本发明的其它实施例中，当M等于6时，可以设置第一边框区域和第二边框区域均具有六个移位寄存器组。且每个边框区域中，可以设置六个移位寄存器组的信号走线为位于不同层中的六层导电结构。所述阵列基板的形成方法还可以包括形成位于显示区域400V的触控显示结构，形成触控显示结构的过程包括:形成栅线、数据线、公共电极、像素电极和触控显示走线、多晶硅半导体层和导电遮光层，栅线、数据线、公共电极、像素电极和触控显示走线、多晶硅半导体层和导电遮光层为位于不同层的七层导电结构。可以采用所述七层导电结构其中六层的工艺步骤同时形成所述六层导电结构。
[0124]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括: 位于非显示区域的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括M个移位寄存器电路，每个所述移位寄存器电路具有两个移位寄存器组，每个所述移位寄存器组具有N个移位寄存器，其中，M为正偶数且N为大于2的正整数； 每个所述移位寄存器组中，第η个移位寄存器的栅输出端具有信号走线，所述信号走线包括结束信号走线和触发信号走线，其中，所述第η个移位寄存器的结束信号走线与第η-1个移位寄存器电连接，所述第η个移位寄存器的触发信号走线与第η+1个移位寄存器电连接，η为大于I且小于N的正整数； 在垂直所述非显示区域的方向上，至少有一个所述移位寄存器组的信号走线位于另一个所述移位寄存器组的信号走线上方。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述结束信号走线具有沿第一轴向延伸的第一线段； 所述触发信号走线具有沿所述第一轴向延伸的第二线段； 在垂直所述非显示区域的方向上，位于上方的线段与位于下方的线段至少部分重叠，所述线段为所述第一线段和所述第二线段的至少其中之一。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，M等于4，且在垂直所述非显示区域的方向上，位于上方的所述线段宽度小于位于下方的所述线段宽度。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在垂直所述非显示区域的方向上，位于上方的至少部分所述线段与位于下方的所述线段完全重叠。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区域包括第一边框区域和第二边框区域；所述第一边框区域和第二边框区域均具有四个所述移位寄存器组；且所述四个移位寄存器组的所述信号走线为位于不同层的四层导电结构。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于显示区域的触控显示结构，所述触控显示结构包括: 栅线、数据线、公共电极、像素电极和触控显示走线； 所述栅线、所述数据线、所述公共电极、所述像素电极和所述触控显示走线为位于不同层的五层导电结构； 所述四层导电结构与所述五层导电结构中的四层同层设置且材料相同。
7.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述M等于6，且在垂直所述非显示区域的方向上，位于上方的所述线段宽度小于位于下方的所述线段宽度。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区域包括第一边框区域和第二边框区域，所述第一边框区域和所述第二边框区域均具有六个所述移位寄存器组；且所述六个移位寄存器组的所述信号走线为位于不同层中的六层导电结构。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于显示区域的触控显示结构，所述触控显示结构包括: 栅线、数据线、公共电极、像素电极、触控显示走线、多晶硅半导体层和导电遮光层； 所述栅线、所述数据线、所述公共电极、所述像素电极、所述触控显示走线、所述多晶硅半导体层和所述导电遮光层为位于不同层的七层导电结构； 所述六层导电结构与所述七层导电结构中的六层同层设置且材料相同。
10.一种阵列基板的形成方法，其特征在于，包括: 在非显示区域形成栅极驱动电路，设置所述栅极驱动电路包括M个移位寄存器电路，设置每个所述移位寄存器电路具有两个移位寄存器组，设置每个所述移位寄存器组具有N个移位寄存器，其中，M为正偶数且N为大于2的正整数； 每个所述移位寄存器组中，在第η个移位寄存器的栅输出端形成信号走线，所述信号走线包括结束信号走线和触发信号走线，其中，设置所述第η个移位寄存器的结束信号走线与第η-1个移位寄存器电连接，设置所述第η个移位寄存器的触发信号走线与第η+1个移位寄存器电连接，η为大于I且小于N的正整数； 在垂直所述非显示区域的方向上，至少将一个所述移位寄存器组的信号走线形成在另一个所述移位寄存器组的信号走线上方。
11.如权利要求10所述的阵列基板的形成方法，其特征在于， 所述结束信号走线具有沿第一轴向延伸的第一线段； 所述触发信号走线具有沿所述第一轴向延伸的第二线段； 在垂直所述非显示区域的方向上，设置位于上方的线段至少部分重叠位于下方的线段，所述线段为所述第一线段和所述第二线段的至少其中之一。
12.如权利要求11所述的阵列基板的形成方法，其特征在于，所述M等于4，且在垂直所述非显示区域的方向上，设置位于上方的所述线段宽度小于位于下方的所述线段宽度。
13.如权利要求12所述的阵列基板的形成方法，其特征在于，在垂直所述非显示区域的方向上，设置位于上方的至少部分所述线段与位于下方的所述线段完全重叠。
14.如权利要求13所述的阵列基板的形成方法，其特征在于，所述非显示区域包括第一边框区域和第二边框区域；设置所述第一边框区域和第二边框区域均具有四个所述移位寄存器组；且设置所述四个移位寄存器组的所述信号走线为位于不同层中的四层导电结构。
15.如权利要求14所述的阵列基板的形成方法，其特征在于，还包括在显示区域中形成触控显示结构，形成所述触控显示结构的过程包括: 形成栅线、数据线、公共电极、像素电极和触控显示走线，所述栅线、所述数据线、所述公共电极、所述像素电极和所述触控显示走线为位于不同层的五层导电结构； 采用所述五层导电结构其中四层的工艺步骤同时形成所述四层导电结构。
16.如权利要求11所述的阵列基板的形成方法，其特征在于，所述M等于6，且在垂直所述非显示区域的方向上，设置位于上方的所述线段宽度小于位于下方的所述线段宽度。
17.如权利要求16所述的阵列基板的形成方法，其特征在于，所述非显示区域包括第一边框区域和第二边框区域，设置所述第一边框区域和所述第二边框区域均具有六个所述移位寄存器组；且设置所述六个移位寄存器组的所述信号走线为位于不同层中的六层导电结构。
18.如权利要求17所述的阵列基板的形成方法，其特征在于，还包括形成位于显示区域的触控显示结构，形成所述触控显示结构的过程包括: 形成栅线、数据线、公共电极、像素电极、触控显示走线、多晶硅半导体层和导电遮光层，所述栅线、所述数据线、所述公共电极、所述像素电极、所述触控显示走线、所述多晶硅半导体层和所述导电遮光层为位于不同层的七层导电结构；采用所述七层导电结构其中六层的工艺步骤同时形成所述六层导电结构。
【专利摘要】一种阵列基板及其形成方法。其中，所述阵列基板包括：位于非显示区域的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括M个移位寄存器电路，每个所述移位寄存器电路具有两个移位寄存器组，每个所述移位寄存器组具有N个移位寄存器，其中，M为正偶数且N为大于2的正整数；每个所述移位寄存器组中，第n个移位寄存器的栅输出端具有信号走线；在垂直所述非显示区域的方向上，至少有一个所述移位寄存器组的信号走线位于另一个所述移位寄存器组的信号走线上方。采用此阵列基板的显示面板能够实现窄边框设计。
【IPC分类】G09G3-36
【公开号】CN104700813
【申请号】CN201510152986
【发明人】金慧俊
【申请人】上海中航光电子有限公司, 天马微电子股份有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年4月1日