护层、有源层、源极、漏极和数据线的示意图；
[0049] 图6c为实施例三中形成第一过孔的示意图；
[0050] 图6d为实施例三中形成像素电极层的示意图；
[0051] 图7为本发明实施例四提供的一种显示基板的制造方法的流程图；
[0052] 图8a为实施例四中形成公共电极层、栅线和栅极的示意图；
[0053] 图8b为实施例四中形成保护层、有源层、源极、漏极和数据线的示意图；
[0054] 图8c为实施例四中形成第一过孔和第二过孔的示意图；
[0055] 图8d为实施例四中形成像素电极层的示意图；
[0056] 图8e为实施例四中形成公共电极连接线的示意图。
【具体实施方式】
[0057] 为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提 供的显示基板及其制造方法、驱动方法和显示装置进行详细描述。
[0058] 图1为本发明实施例一提供的一种显不基板的结构不意图，如图1所不，该显不基 板包括衬底基板11和位于衬底基板11上方的像素电极层12和公共电极层13,所述像素电 极层和公共电极层之间形成有绝缘层14,像素电极层12包括交替设置的多个第一像素电 极121和第二像素电极122。第一像素电极121和相邻的第二像素电极122之间形成IPS 电场，第一像素电极121和公共电极层13之间形成FFS电场，第二像素电极122和公共电 极层13之间形成FFS电场。
[0059] 本实施例中，公共电极层13包括多个公共电极131，公共电极131与第一像素电极 121和第二像素电极122相对设置。具体地，第一像素电极121和相对设置的公共电极131 之间形成FFS电场；第二像素电极122和相对设置的公共电极131之间形成FFS电场。
[0060] 本实施例中，像素电极层12位于公共电极层13的上方，第一像素电极121位于相 对设置的公共电极131的正上方，第二像素电极122位于相对设置的公共电极131的正上 方。具体地，公共电极131位于衬底基板11的上方，第一像素电极121和第二像素电极122 位于绝缘层14之上。
[0061] 本实施例中，优选地，第一像素电极121、第二像素电极122和公共电极131的均为 条状结构。可选地，在实际应用中，公共电极131还以为板状结构，此种情况不再具体画出。
[0062] 本实施例中，公共电极131的宽度大于第一像素电极121的宽度，公共电极131的 宽度大于第二像素电极122的宽度。优选地，公共电极131的宽度与第一像素电极121的 宽度的差值包括2 ym至6 ym，公共电极131的宽度与第二像素电极121的宽度的差值包括 2 ym至6 ym。第一像素电极121和第二像素电极122的宽度可以相同或者不同，优选地， 第一像素电极121和第二像素电极122的宽度相同。
[0063] 图2为图1中显示基板的结构尺寸示意图，如图2所示，绝缘层14包括保护层141 和位于保护层141上方的钝化层142。本实施例中，当钝化层142采用不同的材料时，可根 据其导电率设计钝化层142的尺寸参数和各个电极的尺寸参数。第一像素电极121和第二 像素电极122的宽度相同，钝化层142为有机膜时，第一像素电极121的宽度a包括1 ym 至4 ym，相邻的第一像素电极121和第二像素电极122之间的距离b包括4 ym至10 ym， 相邻的公共电极131之间的距离c包括2 ym至8 ym，钝化层142的厚度d包括2000 A 至9000 A，例如：有机膜的材料可以为陶氏化学公司生产的材料；或者，第一像素电极121 和第二像素电极122的宽度相同，钝化层142为无机膜时，第一像素电极121的宽度a包 括1 y m至4 y m，相邻的第一像素电极121和第二像素电极122之间的距离b包括6 y m至 14 ym，相邻的公共电极131之间的距离c包括4 ym至10 ym，钝化层142的厚度d包括 8000 A至4ym。其中，优选地，相邻的第一像素电极121和第二像素电极122之间的距离 b大于或等于8 y m且小于或等于10 y m。
[0064] 本实施例中，优选地，显示基板可以为阵列基板，则该显示基板还可以包括栅线、 数据线和薄膜晶体管，栅线、数据线和薄膜晶体管在图1中未具体画出。对保护层、钝化层 与上述各个结构之间的位置关系的描述可参见下述实施例三或者实施例四提供的显示基 板的制造方法中的描述。
[0065] 图3为图1中的显示基板的驱动示意图，如图3所示，第一像素电极121上加载第 一驱动信号，第二像素电极122上加载第二驱动信号，公共电极131上加载第三驱动信号。 第一驱动信号和第二驱动信号使得第一像素电极121和第二像素电极122之间形成IPS电 场，第一驱动信号和第三驱动信号使得第一像素电极121和公共电极131之间形成FFS电 场，第二驱动信号和第三驱动信号使得第二像素电极122和公共电极131之间形成FFS电 场。FFS电场和IPS电场共同驱动液晶23。第一驱动信号和第二驱动信号不同，第三驱动 信号和第一驱动信号的差值为第三驱动信号和第二驱动信号的差值的负值，例如：本实施 例中，第一驱动信号为0V，第二驱动信号为8V，第三驱动信号为4V，则第三驱动信号和第一 驱动信号的差值为4V，第三驱动信号和第二驱动信号的差值为-4V，第二驱动信号和第一 驱动信号的差值为8V。
[0066] 在实际应用中，可选地，公共电极层位于像素电极层的上方，第一像素电极位于相 对设置的公共电极的正下方，第二像素电极位于相对设置的公共电极的正下方，此种情况 不再具体画出。此种情况下，第一像素电极的宽度大于公共电极的宽度，第二像素电极的宽 度大于公共电极的宽度，第一像素电极和第二像素电极的宽度可以相同或者不同，优选地， 第一像素电极和第二像素电极的宽度相同。
[0067] 图4为图2中显示基板的光透过率的示意图，如图4所示，显示基板中除了像素电 极中间位置的光透过率略有降低之外，其余位置的光透过率较为均匀。
[0068] 本实施例提供的显示基板中，像素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第 二像素电极，第一像素电极和相邻的第二像素电极之间形成IPS电场，第一像素电极、第二 像素电极分别和公共电极层之间形成FFS电场，IPS电场提高了电极之间的光透过率且FFS 电场提高了电极边缘的光透过率，从而提高了显示装置的光透过率。第三驱动信号和第一 驱动信号的差值的绝对值与第三驱动信号和第二驱动信号的差值的绝对值相同，从而有效 确保两个像素电极和公共电极之间形成相同的液晶控制。像素电极之间采用IPS电场控 制，第三驱动信号和第一驱动信号的差值为第三驱动信号和第二驱动信号的差值的负值， 增强了两个像素电极缝隙之间的电场，使得液晶的驱动电压可以降低，从而降低了功耗。本 实施例中，公共电极的形状可以为条状，减少了电极覆盖的区域面积，从而进一步提高了光 透过率。
[0069] 本发明实施例二提供了一种显示装置，该显示装置包括相对设置的对置基板和显 示基板，对置基板和显示基板之间设置有液晶，显示基板可采用上述实施例一提供的显示 基板。
[0070] 本实施例中，显示基板可以为阵列基板，则对置基板可以为彩膜基板。
[0071] 本实施例提供的显示装置中，像素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第 二像素电极，第一像素电极和相邻的第二像素电极之间形成IPS电场，第一像素电极、第二 像素电极分别和公共电极层之间形成FFS电场，IPS电场提高了电极之间的光透过率且FFS 电场提高了电极边缘的光透过率，从而提高了显示装置的光透过率。第三驱动信号和第一 驱动信号的差值为第三驱动信号和第二驱动信号的差值的负值，从而有效确保两个像素电 极和公共电极之间形成相同的液晶控制。像素电极之间采用IPS电场控制，增强了两个像 素电极缝隙之间的电场，使得液晶的驱动电压可以降低，从而降低了功耗。本实施例中，公 共电极的形状可以为条状，减少了电极覆盖的区域面积，从而进一步提高了光透过率。
[0072] 本发明实施例三提供了一种显示基板的制造方法，该方法包括：
[0073] 在衬底基板的上方形成像素电极层、绝缘层和公共电极层，所述绝缘层位于所述 像素电极层和公共电极层之间，所述像素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第二 像素电极，所述第一像素电极和相邻的所述第二像素电极之间形成IPS电场，所述第一像 素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场，所述第二像素电极和所述公共电极层之间形 成FFS电场。具体地，在衬底基板的上方形成像素电极层、绝缘层和公共电极层可包括：在 衬底基板的上方形成公共电极层；在所述衬底基板的上方形成绝缘层，所述绝缘层位于所 述公共电极层上方；在所述衬底基板的上方形成像素电极层，所述像素电极层位于所述绝 缘层上方。其中，绝缘层可包括保护层和位于所述保护层上方的钝化层。
[0074] 下面通过一个具体的例子对实施例三的技术方案进行详细描述。
[0075] 图5为本发明实施例三提供的一种显示基板的制造方法的流程图，如图5所示，该 方法包括：
[0076] 步骤101、在衬底基板之上形成公共电极层、栅线和栅极。
[0077] 图6a为实施例三中形成公共电极层、栅线和栅极的示意图，如图6a所示，在衬底 基板之上连续制备公共电极材料层和栅极材料层，具体地可通过镀膜工艺在衬底基板之上 制备公共电极材料层和栅极材料层；对公共电极材料层和栅极材料层进行构图工艺形成公 共电极层13、栅线15和栅极16。构图工艺可包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥 离等工艺，其中，可通