共电极连接结构23连接。
[0102] 本实施例提供的显示基板的制造方法可用于制造上述实施例一提供的显示基板， 对显示基板的具体描述可参见上述实施例一，此处不再重复描述。
[0103] 本实施例提供的显示基板的制造方法制造出的显示基板中，像素电极层包括交替 设置的多个第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极和相邻的第二像素电极之间形成 IPS电场，第一像素电极、第二像素电极分别和公共电极层之间形成FFS电场，IPS电场提高 了电极之间的光透过率且FFS电场提高了电极边缘的光透过率，从而提高了显示装置的光 透过率。
[0104] 需要说明的是：上述实施例三或者实施例四中提供的仅为显示基板的两种结构， 在实际应用中显示基板还可以采用其他结构，不再一一描述。
[0105] 本发明实施例五提供了一种显示基板的驱动方法，该驱动方法用于对显示基板进 行驱动，该显示基板可采用上述实施例一提供的显示基板，具体描述可参见上述实施例一。
[0106] 该方法包括：
[0107] 向第一像素电极加载第一驱动信号、向第二像素电极加载第二驱动信号以及向公 共电极层加载第三驱动信号，以使第一像素电极和相邻的第二像素电极之间形成IPS电 场、第一像素电极和公共电极层之间形成FFS电场以及第二像素电极和公共电极层之间形 成FFS电场。
[0108] 本实施例提供的显示基板的驱动方法可以可用于驱动上述实施例一提供的显示 基板，对显示基板的具体描述可参见上述实施例一，此处不再重复描述。
[0109] 本实施例提供的显示基板的驱动方法中，像素电极层包括交替设置的多个第一像 素电极和第二像素电极，第一像素电极和相邻的第二像素电极之间形成IPS电场，第一像 素电极、第二像素电极分别和公共电极层之间形成FFS电场，IPS电场提高了电极之间的光 透过率且FFS电场提高了电极边缘的光透过率，从而提高了显示装置的光透过率。
[0110] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施 方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精 神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板和位于衬底基板上方的像素电极层和 公共电极层，所述像素电极层和公共电极层之间形成有绝缘层，所述像素电极层包括交替 设置的多个第一像素电极和第二像素电极； 所述第一像素电极和相邻的所述第二像素电极之间形成IPS电场； 所述第一像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场； 所述第二像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场。2. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述公共电极层包括多个公共电极， 所述公共电极与所述第一像素电极和所述第二像素电极相对设置； 所述第一像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场； 所述第二像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场。3. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述像素电极层位于所述公共电极 层的上方，所述第一像素电极位于相对设置的公共电极的正上方，所述第二像素电极位于 相对设置的公共电极的正上方。4. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述公共电极的宽度大于所述第一 像素电极的宽度，所述公共电极的宽度大于所述第二像素电极的宽度。5. 根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述公共电极的宽度与所述第一像 素电极的宽度的差值包括2ym至6ym，所述公共电极的宽度与所述第二像素电极的宽度 的差值包括2ym至6ym。6. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层包括保护层和位于所述 保护层上方的纯化层，所述第一像素电极和第二像素电极的宽度相同，所述纯化层为有机 膜时，所述第一像素电极的宽度包括1ym至4ym，相邻的所述第一像素电极和所述第二像 素电极之间的距离包括4ym至10ym，相邻的所述公共电极之间的距离包括2ym至8ym， 所述纯化层的厚度包括2000A至9000A。7. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层包括保护层和位于所 述保护层上方的纯化层，所述第一像素电极和第二像素电极的宽度相同，所述纯化层为无 机膜时，所述第一像素电极的宽度包括1ym至4ym，相邻的所述第一像素电极和所述第 二像素电极之间的距离包括6ym至14ym，相邻的所述公共电极之间的距离包括4ym至 10ym，所述纯化层的厚度包括8000A至4ym。8. 根据权利要求6或7所述的显示基板，其特征在于，相邻的所述第一像素电极和所述 第二像素电极之间的距离大于或等于8ym且小于或等于10ym。9. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素电极上加载第一驱动 信号，所述第二像素电极上加载第二驱动信号，所述公共电极上加载第=驱动信号，所述第 一驱动信号和所述第二驱动信号不同，所述第=驱动信号和所述第一驱动信号的差值为所 述第=驱动信号和所述第二驱动信号的差值的负值。10. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素电极和第二像素电极 均为条状结构； 所述公共电极为条状结构或者板状结构。11. 一种显示装置，其特征在于，包括相对设置的对置基板和显示基板，所述对置基板 和所述显示基板之间设置有液晶，所述显示基板包括权利要求1至10任一所述的显示基 板。12. -种显示基板的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底基板的上方形成像素电极层、绝缘层和公共电极层，所述绝缘层位于所述像素 电极层和公共电极层之间，所述像素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第二像素 电极，所述第一像素电极和相邻的所述第二像素电极之间形成IPS电场，所述第一像素电 极和所述公共电极层之间形成FFS电场，所述第二像素电极和所述公共电极层之间形成 F!^S电场。13. 根据权利要求12所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板的上 方形成像素电极层、绝缘层和公共电极层包括： 在所述衬底基板的上方形成公共电极层； 在所述衬底基板的上方形成绝缘层，所述绝缘层位于所述公共电极层上方； 在所述衬底基板的上方形成像素电极层，所述像素电极层位于所述绝缘层上方。14. 根据权利要求13所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括保护 层和位于所述保护层上方的纯化层； 所述在所述衬底基板的上方形成公共电极层包括；在衬底基板之上形成公共电极层、 栅线和栅极；所述在所述衬底基板的上方形成绝缘层包括：在衬底基板之上形成保护层、 有源层、源极、漏极和数据线，在衬底基板之上形成纯化层，并在纯化层上形成第一过孔，所 述像素电极层通过第一过孔和漏极连接。15. 根据权利要求14所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板 的上方形成绝缘层还包括；在纯化层和保护层上形成第二过孔；所述在所述衬底基板的上 方形成像素电极层之后包括：在衬底基板之上形成公共电极连接线，公共电极连接线通过 第二过孔和公共电极连接结构连接。16. 根据权利要求12所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述公共电极层包括 多个公共电极，所述公共电极与所述第一像素电极和所述第二像素电极相对设置； 所述第一像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场； 所述第二像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场。17. 根据权利要求16所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述第一像素电极和 第二像素电极的宽度相同，所述纯化层为有机膜时，所述第一像素电极的宽度包括1ym至 4ym，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离包括4ym至10ym，相邻 的所述公共电极之间的距离包括2ym至8ym，所述纯化层的厚度包括2000A至9000A。18. 根据权利要求16所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述第一像素电极和 第二像素电极的宽度相同，所述纯化层为无机膜时，所述第一像素电极的宽度包括1ym至 4ym，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离包括6ym至14ym，相邻 的所述公共电极之间的距离包括4ym至10ym，所述纯化层的厚度包括80()0A至4ym。19. 根据权利要求17或18所述的显示基板的制造方法，其特征在于，相邻的所述第一 像素电极和所述第二像素电极之间的距离大于或等于8ym且小于或等于10ym。20. -种如权利要求1-10任一所述的显示基板的驱动方法，其特征在于，包括；向第一 像素电极加载第一驱动信号、向第二像素电极加载第二驱动信号W及向公共电极层加载第 =驱动信号，W使所述第一像素电极和相邻的所述第二像素电极之间形成IPS电场、所述 第一像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场W及所述第二像素电极和所述公共电 极层之间形成FFS电场。
【专利摘要】本发明公开了一种显示基板及其制造方法、驱动方法和显示装置。该显示基板包括：衬底基板和位于衬底基板上方的像素电极层和公共电极层，像素电极层和公共电极层之间形成有绝缘层，像素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第二像素电极；第一像素电极和相邻的第二像素电极之间形成IPS电场；第一像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场；第二像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场。本发明中，IPS电场提高了电极之间的光透过率且FFS电场提高了电极边缘的光透过率，从而提高了显示装置的光透过率。
【IPC分类】G02F1/1343
【公开号】CN104932159
【申请号】CN201510381835
【发明人】栗芳芳, 文锺源
【申请人】合肥鑫晟光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年6月30日