1.一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：其结构包括：脚架(1)、底座(2)、机架(3)、壳体(4)、电气箱(5)、调节面板(6)、平台(7)、气体接口(8)、制备装置(9)、进料口(10)、观察窗(11)、传送装置(12)、真空装置(13)、显示屏(14)、控制面板(15)、出料箱(16)；所述脚架(1)固定连接于底座(2)下，所述底座(2)上固定连接有机架(3)，所述机架(3)外设有壳体(4)，所述底座(2)上设有电气箱(5)，所述底座(2)上设有出料箱(16)，所述电气箱(5)上设有调节面板(6)，所述电气箱(5)上设有显示屏(14)，所述电气箱(5)上设有控制面板(15)，所述机架(3)上设有平台(7)，所述平台(7)上设有制备装置(9)，所述制备装置(9)上设有气体接口(8)，所述制备装置(9)上设有进料口(10)，所述制备装置(9)上设有观察窗(11)，所述制备装置(9)上设有传送装置(12)，所述制备装置(9)上设有真空装置(13)，所述制备装置(9)由处理腔室(901)、加热装置(902)、平衡腔室(903)、阀(904)、薄膜制备腔室(905)组成。
2.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述调节面板(6)设于壳体(4)上。
3.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述显示屏(14)设于壳体(4)上。
4.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述控制面板(15)设于壳体(4)上。
5.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述电气箱(5)、调节面板(6)、制备装置(9)、传送装置(12)、真空装置(13)、显示屏(14)、控制面板(15)通过导线连接。
6.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征 在于：所述加热装置(902)设于处理腔室(901)内。
7.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述处理腔室(901)通过阀(904)与平衡腔室(903)连接。
8.根据权利要求1所述的一种连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于：所述平衡腔室(903)通过阀(904)与薄膜制备腔室(905)连接。