专利名称：用于有机电致发光器件的材料的制作方法
技术领域：
本发明描述了作为具有发光和空穴传输性能的新型材料类别的含杂芳族桥原子的茚并芴衍生物，其特别用于在电致发光器件的发光层和/或电荷传输层中使用。本发明还涉及制备本发明化合物的方法，和涉及包括该化合物的电子器件。
背景技术：
有机电致发光器件的一般结构例如描述在US 4539507、US5151629、EP 0676461 和TO 98/27136中。然而，这些器件仍需要改进1.效率仍然低，特别是在荧光OLED情况下，并且应该改进。2.通常使用寿命仍然短，特别是在蓝色发光的情况下，因此在这一点上有进一步改进的需要。3.不仅在荧光OLED情况下而且在磷光OLED情况下工作电压都相当的高。工作电压的降低导致功率效率的改进。这特别是对于移动式应用是至关重要的。4.在现有技术的空穴传输材料的情况下，电压取决于空穴传输层的层厚度。在实践中，通常希望所述空穴传输层的层厚度更厚以改进光的耦合输出和成品率。然而，由于伴随电压增加，使用现有技术的材料不能实现这个目的。因此，在这一点上仍需要改进。5.现有技术的一些材料，特别是空穴传输材料，存在在气相沉积过程中在气相沉积源的边缘处它们会结晶，因此阻塞所述气相沉积源的问题。因此，对于大规模生产希望能够被更好处理的材料。茚并芴胺由于非常好的空穴迁移率被用作电荷传输材料和电荷注入材料。该类材料显示相对低的电压对于传输层厚度的依赖性。EP1860097、W0 2006/100896、DE 102006025846、WO 006/122630和W02008/006449公开了用于在电子器件中使用的茚并芴二胺。其中提到了当用作空穴传输材料或用作深蓝色发光体时良好的寿命。然而，这些化合物存在如下的问题由于所述材料的结晶性，在大规模生产中的气相沉积期间它们显示成问题的行为，因为在气相沉积期间该材料在蒸气沉积源上结晶并使其阻塞。因此，在生产中使用这些材料伴随有增加的技术复杂性。因此，在这一点上仍希望进一步改进。仍旧需要特别是改进的发光化合物，特别是发蓝色光的化合物，所述的化合物在有机电致发光器件中导致良好的效率而且同时导致长的寿命，并且它们能够在工业中毫无问题地进行处理。这同样地适用于电荷传输化合物和电荷注入化合物，以及适用于荧光或磷光化合物的基质材料。特别地，需要改进所述材料的结晶性。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供这样的化合物。令人惊讶地，已经发现使用正好含一个杂芳族桥原子的茚并芴衍生物的电致发光器件相对于现有技术具有明显的改进，特别是当该茚并芴衍生物用作在主体材料中的蓝色发光掺杂物或用作空穴传输化合物时。当用作空穴传输化合物时，将两个桥连基之一中的碳原子用杂原子代替，能够实现结晶度降低，并从而改进加工性。此外，可能由于空穴迁移率的改进，由于界面形态的变化发生了工作电压降低，以及电压对于传输层厚度依赖性的降低。当用作深蓝色掺杂物时，杂芳族桥原子的引入导致更长的寿命和改进的效率。为此目的，本发明提供了通式I或II的化合物
权利要求
1.通式I或II的化合物通式丨通式Il其中A对应于通式III通式III 和其中通过γ与通式ι或II的化合物连接；Y在每种情况下彼此独立地是N、P、P = 0、B、C = 0、0、S、S = 0或；Z在每种情况下彼此独立地是CR或N ；X在每种情况下彼此独立地是二价桥连基，其选自B(R0、C = 0、C = C(R%、S、S = 0、 SO2 禾口 N (R1)；R 在每种情况下彼此独立地是 H、D、F、Cl、Br、I、N(Ar)2, N(R2)2, C( = 0)Ar、P( = 0) Ar2, S( = 0)Ar、S( = 0)2Ar、CR2 = CR2Ar、CN、N02、Si (R2)3、B(OR2)2、0S&R2，具有 1 至 40 个 C原子的直链烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基或具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，它们每一个可被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的 CH2 基团可被 R2C = CR2、C = C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 0、C = S、 C = Se, C = NR2, P ( = 0) (R2)、SO、S02、NR2、0、S 或 CONR2 代替，和其中一个或多个 H 原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至40个芳环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情况下可以被一个或多个基团R2取代，或具有5至40个芳环原子的芳氧基或杂芳氧基，它们可被一个或多个基团R2取代，或者这些体系的组合；其中另外，两个或多个取代基R也可以彼此形成单或多环的脂族环系；R1 在每种情况下彼此独立地是 H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO2, N(R2) 2、B (OR2)2, Si (R2) 3，具有 1至40个C原子的直链烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基或具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，它们每一个可被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的洱基团可被-R2C = CR2-、-CEC-、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、 C = 0、C = S、C = Se、C = NR2、-0-、-S-、-COO-或-CONR2-代替，和其中一个或多个 H 原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者芳基胺或取代的咔唑，它们每一个可被一个或多个基团R2取代，或者具有5至40个芳环原子的芳族或杂芳族环系，它们可被一个或多个非芳族的基团R2取代，或者具有5至40个芳环原子的芳氧基或杂芳氧基，它们可被一个或多个非芳族的基团R2取代，或者这些体系的组合，其中另外，两个或多个取代基R1也可以彼此形成单或多环体系；R2在每种情况下彼此独立地是H、D或具有1至20个C原子的脂族或芳族烃基团； Ar在每种情况下彼此独立是具有5至40个芳环原子的芳族或杂芳族环系，它们可被一个或多个基团R1取代；E在每种情况下彼此独立地是单键、N (R1)、0、S、C (R1) 2、Si (R1) 2或B (R1)； q在基团Y的相应中心原子是第3或5主族的元素时等于=1 ；或者在基团Y的相应中心原子是第4或6主族的元素时等于0 ；t在每种情况下彼此独立地是0或1，条件是如果q = 0，则t = 0，和其中t = 0意思是基团R1而不是基团E被结合；ν在每种情况下彼此独立地是0或1，条件是ν和w的总和大于或等于1，其中ν = 0意思是基团R而不是基团A被结合；w在每种情况下彼此独立地是0或1，条件是ν和w的总和大于或等于1，其中w = 0意思是基团R而不是基团A被结合。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中基团Y在每种情况下彼此独立地是N或C= 0。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中X选自MR1)或S。
4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的化合物，其中基团Z在每种情况下彼此独立地是CR。
5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的化合物，其中Ar是苯基、萘基、具有5-15 个碳原子的取代的芳族或杂芳族环系或者被芳基胺或咔唑取代的芳族或杂芳族环系。
6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的化合物，其中E不存在，即t= 0，或其中 E是单键或C(R1)215
7.根据权利要求1至6中一项或多项所述的化合物，其中所述化合物选自通式Ia和IIa 其中符号和标记具有在权利要求1中指出的含义。
8.根据权利要求7所述的化合物，其中X等于S或N(R0。
9.聚合物、低聚物或树枝状聚合物，其包括一种或多种根据权利要求1至8中一项或多项所述的化合物，其中从通式I或II的化合物出发到所述聚合物、低聚物或树枝状聚合物的结合能够位于特征为任选被基团R或R1取代的通式I或II化合物的任何希望的位置。
10.根据权利要求1至9中一项或多项所述的化合物在电子器件中的用途。
11.电子器件，其包括至少一种根据权利要求1至9中一项或多项所述的化合物。
12.根据权利要求11所述的电子器件，其特征在于所述器件选自有机电致发光器件(OLED)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、 有机集成电路(O-IC)、有机太阳能电池(O-SC)、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池 (LEC)、有机光感受器和有机激光二极管(O-Iaser)。
13.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于将根据权利要求1至9中一项或多项所述的化合物用作在空穴传输层和/或空穴注入层中的空穴传输材料，其中在这些层中的化合物还可以用电子受体化合物进行掺杂，或者特征在于将根据权利要求1至 9中一项或多项所述的化合物用作在电子传输层中的电子传输材料和/或用作在空穴阻挡层中的空穴阻挡材料和/或用作在发光层中的三重态基质材料，或者特征在于在发光层中使用根据权利要求1至9中一项或多项所述的化合物。
14.制备根据权利要求1至8中一项或多项所述的化合物的方法，其特征在于如下的步骤a)使芴衍生物与被基团X1取代的苯衍生物偶联，其中所述基团X1是能够转化为所述二价基团X的基团，和b)使所述基团X1转化为所述基团X， 其中X具有权利要求1中指出的含义。
全文摘要
本发明涉及作为具有发光和空穴传输性能的新型材料类别的含杂芳族桥原子的茚并芴衍生物，其特别用于在电致发光器件的发光层和/或电荷传输层中使用。本发明还涉及制备本发明化合物的方法，和涉及包括该化合物的电子器件。
文档编号C09K11/06GK102272264SQ200980154217
公开日2011年12月7日 申请日期2009年12月22日 优先权日2009年1月20日
发明者克里斯托夫·普夫卢姆, 埃米尔·侯赛因·帕勒姆, 菲利普·施特塞尔, 阿尔内·比辛, 霍尔格·海尔 申请人:默克专利有限公司