5.0Pa，衬底温度为750°C，激光能量300W。得到的样品的化学式为0.06Na20-0.12LaF3-0.29TiF4_0.48Si02: 0.05Sm3+的发光薄膜，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0073]实施例4
[0074]选用纯度为99.99%的粉体，将Na2CO3, LaF3, TiF4, S12和Sm2O3粉体按照摩尔数为0.07mmol, 0.1 mmol, 0.3mmol, 0.49mmol 和 0.07mmol,经过均勻混合后，在 1250 °C 下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氧气的工作气体流量为20SCCm，压强调节为3.0Pa，衬底温度为500°C，激光能量150W。得到的样品的化学式为0.07Na20-0.1LaF3-0.3TiF4_0.49Si02: 0.04Sm3+的发光薄膜，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0075]实施例5
[0076]选用纯度为99.99%的粉体，将Na2CO3, LaF3, TiF4, S12和Sm2O3粉体按照摩尔数为
0.1mmol, 0.08mmol, 0.28mmol, 0.52mmol 和 0.02mmol,经过均勻混合后，在 900°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0 X 10_3Pa，氧气的工作气体流量为lOsccm，压强调节为0.5Pa，衬底温度为250°C，激光能量80W。得到的样品的化学式为0.1Na2O-0.08LaF3-0.28TiF4_0.52Si02: 0.02Sm3+的发光薄膜，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0077]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种钐掺杂氟钛硅酸盐发光材料，其特征在于:其化学式为aNa20-bLaF3-cTiF4-dS12: xSm3+，其中，a 为 0.07 ?0.12，b 为 0.06 ?0.12，c 为 0.25 ?0.32，d 为 0.48.?0.53，x 为 0.01 ?0.05。
2.一种钐掺杂氟钛硅酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 根据 aNa20-bLaF3_cTiF4-dSi02: xSm3+各元素的化学计量比称取 Na2CO3, LaF3, TiF4,S12 Sm2O3粉体并混合均匀,其中，a为0.07?0.12，b为0.06?0.12，c为0.25?0.32，d 为 0.48.?0.53，X 为 0.01 ?0.05 ;及 将混合均匀的粉体在900 °C?1300 °C下烧结0.5小时?5小时即得到化学式为aNa20-bLaF3-cTiF4-dSi02: xSm3+的钐掺杂氟钛硅酸盐发光材料。
3.一种钐掺杂氟钛硅酸盐发光薄膜，其特征在于，该钐掺杂氟钛硅酸盐发光薄膜的材料的化学通式为 aNa20-bLaF3-cTiF4-dSi02: xSm3+，其中，a 为 0.07 ?0.12，b 为 0.06 ?0.12，c 为 0.25 ?0.32，d 为 0.48.?0.53，x 为 0.01 ?0.05。
4.一种钐掺杂氟钛硅酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 根据 aNa20-bLaF3_cTiF4-dSi02: xSm3+各元素的化学计量比称取 Na2CO3, LaF3, TiF4,S12和Sm2O3粉体并混合均匀在900°C?1300°C下烧结0.5小时?5小时制成靶材，其中，a 为 0.07 ?0.12，b 为 0.06 ?0.12，c 为 0.25 ?0.32，d 为 0.48.?0.53，x 为 0.01 ?0.05 ； 将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0X KT3Pa ?1.0 X KT5Pa ;及 调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa?4Pa，工作气体的流量为1sccm?40sccm，衬底温度为250°C?750°C，激光能量为80W?300W，接着进行制膜，得到化学式为aNa20-bLaF3_cTiF4-dSi02: xSm3+的钐掺杂氟钛硅酸盐发光薄膜，a 为 0.07 ?0.12,b 为 0.06 ?0.12，c 为 0.25 ?0.32，d 为 0.48.?0.53，x 为0.01 ?0.05。
5.根据权利要求4所述的钐掺杂氟钛硅酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述真空腔体的真空度为5.0X 10_4Pa，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强为2.0Pa，工作气体为氧气，工作气体的流量为20SCCm，衬底温度为500°C，激光能量为150W。
6.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为钐掺杂氟钛硅酸盐发光材料，该钐掺杂氟钛硅酸盐发光材料的化学式为aNa20-bLaF3-cTiF4-dSi02: xSm3+，其中，a为0.07?0.12，b为 0.06 ?0.12，c 为 0.25 ?0.32，d 为 0.48.?0.53，x 为 0.01 ?0.05。
7.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供具有阳极的衬底； 在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为钐掺杂氟钛硅酸盐发光材料，该钐掺杂氟钛硅酸盐发光材料的化学式为aNa20-bLaF3_cTiF4-dSi02: xSm3+，其中，a为0.07?0.12，b 为 0.06 ?0.12，c 为 0.25 ?0.32，d 为 0.48.?0.53，x 为 0.01 ?0.05 ; 在所述发光层上形成阴极。
8.根据权利要求7所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的制备包括以下步骤: 根据 aNa20-bLaF3-cTiF4-dSi02: xSm3+各元素的化学计量比称取 Na2CO3, LaF3, TiF4,S12和Sm2O3粉体并混合均匀在900°C?1300°C下烧结0.5小时?5小时制成靶材，其中，a 为 0.07 ?0.12，b 为 0.06 ?0.12，c 为 0.25 ?0.32，d 为 0.48.?0.53，x 为 0.01 ?0.05 ； 将所述靶材以及所述衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0X KT3Pa ?1.0X KT5Pa ； 调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa?4Pa，工作气体的流量为1sccm?40sccm，衬底温度为250°C?750°C，激光能量为80W?300W，接着进行制膜，得到化学式为aNa20-bLaF3_cTiF4-dSi02: xSm3+的钐掺杂氟钛硅酸盐发光薄膜，a 为 0.07 ?0.12,b 为 0.06 ?0.12，c 为 0.25 ?0.32，d 为 0.48.?0.53, x 为0.01?0.05，在所述阳极上形成发光层。
9.根据权利要求8所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述a为0.09，b 为 0.1，c 为 0.28，d 为 0.5，X 为 0.03。
【专利摘要】一种钐掺杂氟钛硅酸盐发光材料，其化学式为aNa2O-bLaF3-cTiF4-dSiO2∶xSm3+，其中，a为0.07～0.12，b为0.06～0.12，c为0.25～0.32，d为0.48.～0.53，x为0.01～0.05。该钐掺杂氟钛硅酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该钐掺杂氟钛硅酸盐发光材料的制备方法及其应用。
【IPC分类】H01L33-50, C09K11-85, C23C14-06, C23C14-35
【公开号】CN104650915
【申请号】CN201310578832
【发明人】周明杰, 陈吉星, 王平, 钟铁涛
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月18日